Trong mục $ 2.1, theo quy tắc Feynman cho tương tác điện từ ta viết yếu tố ma trận tương ứng với quá trình tán xạ electron ở bậc thấp nhất gần đúng Born của của lý thuyết nhiễu loạn hiệ
Trang 1ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
-
Trang 2ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
-
Đỗ Đức Thành
TÁN XẠ HAI HẠT TRONG ĐIỆN ĐỘNG LỰC HỌC LƯỢNG TỬ TRONG
GẦN ĐÚNG MỘT VÒNG
Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán
Mã số: 60.44.01.03
LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC
CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS TSKH Nguyễn Xuân Hãn
Hà Nội – 2014
Trang 3LỜI CẢM ƠN
Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới Thầy giáo, GS TSKH Nguyễn Xuân Hãn, người đã trực tiếp chỉ bảo tận tình, trực tiếp giúp đỡ em trong
suốt thời gian học tập và hoàn thành bản luận văn thạc sĩ khoa học này
Em cũng gửi lời cảm ơn chân thành nhất tới tất cả các Thầy Cô, tập thể cán
bộ Bộ môn Vật lý lý thuyết, cùng toàn thể người thân, bạn bè đã giúp đỡ, dạy bảo,
động viên, và trực tiếp đóng góp, trao đổi những ý kiến khoa học quý báu để em có thể hoàn thành bản luận văn này
Qua đây, em cũng chân thành gửi lời cảm ơn tới các Thầy Cô ở khoa vật lý
đã dạy bảo và tạo mọi điều kiện thuận lợi giúp đỡ em trong suốt quá trình học tập
và hoàn thành bản luận văn này
Hà Nội, tháng năm 2014 Học viên
Đỗ Đức Thành
Trang 4MỤC LỤC
Mục lục……….………02
Danh mục hình vẽ……… ………… ………03
Mở đầu……… ……….……….……… 04
Chương 1: Tiết diện tán xạ…….…… ……….…07
1.1 Các biến Mandelstam……… ……… ….…… 07
1.2 Tiết diện tán xạ vi phân cho hai hạt…….……… ………10
1.2.1 Tiết diện tán xạ trong hệ khối tâm………… ………15
1.2.2 Tiết diện tán xạ trong hệ phòng thí nghiệm……….16
Chương 2: Tán xạ electron-electron … ……….……… …18
2.1 Tán xạ electron-electron………18
2.1.1 Tiết diện tán xạ trong hệ khối tâm……….……… 22
2.1.2 Tiết diện tán xạ trong hệ phòng thí nghiệm………23
2.2 Tán xạ electron-positron ……… ……… 25
2.2.1 Tiết diện tán xạ trong hệ khối tâm……….… 28
2.2.2 Tiết diện tán xạ trong hệ phòng thí nghiệm.……… ……30
Chương 3: Bổ chính một vòng cho tán xạ electron-electron ……… 33
3.1 Giản đồ Feynman ……….…… … 32
3.2 Tiết diện tán xạ khi tính đến bổ chính một vòng 34
3.3 Thế năng khi tính đến bổ chính một vòng……… …… 37
Kết luận……… ……… 43
Tài liệu tham khảo……….……….……… 45
Phụ lục A Metric giả Euclide……….……… 46
Phụ lục B Các toán tử chiếu ……… ….…… ……….50
Phụ lục C Tái chuẩn hóa……… ……… …….56
Trang 5C.2 Năng lượng riêng của photon ……… …….62
DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1 Các biến Mandelstam ………05
Hình 1.2 Tán xạ hai hạt thành hai hạt ……… … ……08
Hình 2.1 Tán xạ electron-electron 16
Hình 2.2 Tán xạ electron-positron 23
Hình 3.1 Giản đồ Feynman 30
Hình 3.2: Bổ chính một vòng trong tán xạ electron-electron……… …31
Hình 3.3 Bổ chính một vòng cho thế năng giữa hai hạt ….……… 39
Hình 3.2 Giản đồ phân cực chân không………53
Hình C.1 Tái chuẩn hóa điện tích electron ……… ……….57
Hình C.2 Giản đồ năng lượng riêng của photon ……….……….58
Trang 6
MỞ ĐẦU
Điện động lực học lượng tử (QED) dựa vào việc tái chuẩn hóa khối lượng và
điện tích hạt là lý thuyết tái chuẩn hóa, đã được chứng minh vào giữa thế kỷ 20 [1], [3], [6], [8], [10], [11], song việc tái chuẩn hóa cho các quá trình vật lý cụ thể vẫn
được nghiên cứu liên tục và phát triển bởi khi chúng ta tính đến cấu trúc bên trong của các hạt cơ bản thì ta lại gặp các bài toán tương tự trong tương tác giữa các hạt bên trong đó với nhau Trong tự nhiên tồn tại bốn loại tương tác: tương tác điện từ, tương tác yếu, tương tác mạnh và tương tác hấp dẫn, các công cụ tính toán định lượng của tương tác điện từ-QED thường được vận dụng để mô phỏng và xây dựng công cụ tính toán tương tự cho các dạng tương tác khác, hay tổ hợp giữa các dạng tương tác kể trên dựa vào lý thuyết nhiễu loạn hiệp biến với việc tái chuẩn hóa các tham số vật lý tùy từng mô hình Việc nghiên cứu quá trình vật lý cụ thể trong bổ
chính một vòng của QED là cần thiết và quan trọng, [8], [11]
Mục đích của bản luận văn thạc sĩ khoa học vật lý này dành cho việc nghiên cứu quá trình tán xạ hai hạt thành hai hạt (22) khi tính đến bổ chính một vòng ở đường trong trong QED
Luận văn bao gồm phần mở đầu, ba chương, kết luận, phụ lục và tài liệu tham khảo
Chương 1: Tiết diện tán xạ hai hạt Trong mục $1.1 giới thiệu vắn tắt các biến
số Mandelstam và công thức cho biên độ tán xạ vi phân qua các biến này Mục $1.2 dành cho việc xây dựng công thức tiết diện tán xạ vi phân kể trên ở hệ khối tâm và
hệ phòng thí nghiệm
Chương 2: Tán xạ electron-electron Trong mục $ 2.1, theo quy tắc Feynman
cho tương tác điện từ ta viết yếu tố ma trận tương ứng với quá trình tán xạ electron ở bậc thấp nhất (gần đúng Born) của của lý thuyết nhiễu loạn hiệp biến Dựa vào yếu tố ma trận, ta tính tiết diện tán xạ vi phân cho quá trình tán xạ electron-electron trong hệ khối tâm và hệ phòng thí nghiệm Mục $2.2 dành cho việc nghiên cứu quá trình tán xạ electron lên positron Cách tính tương tự như quá
Trang 7electron-trình tán xạ electron–electron, có thay đổi khi một electron được thay bằng positron Kết quả ta thu được tiết diện tán xạ vi phân cho quá trình tán xạ electron-positron
So sánh kết quả tiết diện tán xạ vi phân của hai quá trình tán xạ kể trên ta nhận thấy hai kết quả hầu như giống nhau chỉ khác nhau về dấu, có nghĩa là ta có thể chuyển
từ kết quả này thành kết quả kia bằng cách chuyển đổi dấu của chúng
Chương 3: Bổ chính một vòng cho tán xạ electron-electron.Trong mục $3.1
giới thiệu các giản đồ Feynman cho quá trình tán xạ electron-electron ở gần đúng bậc 4 theo hằng số tương tác điện từ So với các gản đồ Feynman xét ở chương trước, số lượng giản đồ tăng lên do việc trao đổi hai photon (giản đồ d) gữa các hạt, giản đồ phân cực của chân không (chân không vật lý của trường electron-positron) gắn với photon ảo trao đổi giữa các hạt (giản đồ c), các giản đồ còn lại liên quan đến tương tác của electron với chân không vật lý của trường điện từ Trong bản luận văn này chúng tôi chỉ xét các giản đồ (b) và giản đồ (c) và bỏ các giản đồ Feynman còn lại Giản đồ (a) không cho đóng góp vào tương tác giữa hai electron, các giản
đồ gắn với các đường electron liên quan đến việc tái chuẩn hóa khối lượng của electron, chứ không cho đóng góp vào tương tác hai electron Mục $3.2 dành cho việc tính tiết diện tán xạ electron-electron , kết quả thu được tiết diện tán xạ vi phân (3.6) Nghiên cứu thế năng tương tác tương ứng giữa hai electron khi tính bổ chính một vòng được giới thiệu ở mục $3.3
Kết luận dành cho việc liệt kê các kết quả thu được trong luận văn và phương hướng nghiên cứu tiếp theo
Trong bản luận văn này, chúng tôi sẽ sử dụng hệ đơn vị nguyên tử c 1 và
metric giả Euclide (metric Feynman) tất cả bốn thành phần véctơ 4-chiều ta chọn
là thực AA A0, gồm một thành phần thời gian và các thành phần không gian, các chỉ số0,1, 2,3, và theo quy ước ta gọi là các thành phần phản biến của véctơ 4-chiều và ký hiệu các thành phần này với chỉ số trên
AA A0, A A A A0, 1, 2, 3def A
(0.1)
Trang 8Các véctơ phản biến là tọa độ:
x x0t x, 1x x, 2 y x, 3z t x, ,
(0.2) Các véctơ tọa độ hiệp biến:
x g x x0 t x, 1 x x, 2 y x, 3 z t, x
(0.3) Véctơ năng xung lượng:
p E p p p, x, y, zE p,
(0.4) Tích vô hướng của hai véc tơ được xác định bởi công thức:
ABg A B A B A B AB
(0.5) Tensor metric có dạng:
tơ hiệp biến được xác định bằng công thức sau:
A g A , A0 A0, A k A k
(0.7) Các chỉ số Hy Lạp lặp lại có ngụ ý lấy tổng từ 0 đến 3
Trang 9CHƯƠNG 1:
TIẾT DIỆN TÁN XẠ
Chương này dành cho việc dẫn những công thức cơ bản của tán xạ hai hạt [8]
Biên độ tán xạ, mà tỷ lệ với yếu tố của S-matrận tán xạ, là một đại lượng phức Trước tiên ta xem xét quá trình p1p2p3p4, mà ta gọi nó là tán xạ 22 Tính toán mang tính bất biến (biểu diễn qua các biến bất biến- u, s, t là các biến số Mandelstam) của quá trình tán xạ 22 này sẽ là bài toán động học cơ sở của vật
lý hạt cơ bản Trong chương này ta xem xét các đại lượng bất biến cho quá trình tán
xạ hai hạt vô hướng 22, tìm biểu thức giải tích tổng quát cho tiết diện tán xạ vi phân cho quá trình này qua biên độ tán xạ Viết biểu thức tiết diện tán vi phân này
trong hai hệ phòng thí nghiệm và hệ khối tâm Việc tổng quát hóa cho những quá
trình mà có spin sẽ không là vấn đề khó khăn nào
1.1 Các biến Mandelstam
Chúng ta sử dụng cho quá trình tán xạ của hai hạt với hai hạt Mọi công thức sẽ trở nên đơn giản hơn nếu ta biểu diễn xung lượng của các hạt theo một tập hợp các biến được gọi là biến Mandelstam Các biến Mandelstam được định nghĩa như sau:
Trang 10
p3
4
p
p2
lượng) Các kênh này miêu tả giản đồ Feynman khác nhau hoặc quá trình tán xạ khác nhau
ở đây tương tác là sự trao đổi các lượng tử-các hạt giữa chúng, và bình phương các xung lượng bốn chiều kể trên là biểu thức s, t, u tách ra theo thứ tự định sẵn
Ví dụ: kênh s tương ứng với quá trình hai hạt 1, 2 tương tác kết hợp thành một hạt truyền tương tác trung gian, cuối cùng sinh ra hai hạt 3 và 4, kênh s là cách duy nhất có thể chỉ ra sự xuất hiện của cộng hưởng và một hạt mới với điều kiện thời gian sống ở đây là đủ dài để ta có thể đo được trực tiếp Kênh t trình bày quá trình trong đó hạt 1 phát ra một hạt tương tác và cuối cùng trở thành hạt 3, trong khi
đó hạt 2 hấp thụ hạt tương tác và trở thành hạt 4 Kênh u là kênh t với việc đổi vị trí giữa các hạt 3, 4 Các biến Mandelstam lần đầu tiên được đưa vào bởi nhà vật lý Stanley Mandelstam vào năm 1938 Trong giới hạn năng lượng cao và trong tương đối tính, khi khối lượng nghỉ có thể bỏ qua , vì vậy ta có:
s p p p p p p p p (1.4) Bởi vì: 2 2
Trang 11Bây giờ ta sẽ đi chứng minh biểu thức sau đây đối với biến s, t, u:
t p p p p p p , (1.6) 2 2 2
u p p p p p p (1.7) Đầu tiên sử dụng biểu thức (i), ta viết lại các biến s, t, u như sau:
u p p m m p p , (1.10) Cộng biểu thức (1.8), (1.9), (1.10), ta được:
Trang 122 2 2 2
s t u m m m m (1.11)Trong trường hợp tán xạ hai hạt, A + B → C + D, các biến Mandelstam được đưa
vào có dạng như sau:
p gp p Lý thuyết có ưu điểm của các biến Mandelstam
là ở đây chúng bất biến Lorentz, với một vài giá trị là quán tính của hệ Mặc dù vậy,
hơn nữa qua thực nghiệm nó là thông số giới hạn giữa năng lượng và góc tán xạ
1.2 Tiết diện tán xạ vi phân cho hai hạt
Chúng ta xét quá trình tán xạ xạ hai hạt 1 + 2 → 3 + 4 xảy ra do tương tác, yếu tố
ma trận được xác định bởi công thức sau:
int
ST L x d x , (1.13) Trong đó T là T-tích, Lint( )x là Lagrangian tương tác, việc cụ thể hóa Lagrangian
tương tác sẽ được xem xét sau tùy thuộc vào bài toán cụ thể
Như vậy để nghiên cứu bài toán tán xạ phải tính yếu tố ma trận S if f S i
(S-ma trận) Hằng số tương tác ở đây giả thiết là nhỏ, và việc tính toán quá trình vật
lý này ta tính toán theo lý thuyết nhiễu loạn hiệp biến
4
f S i P P M
, (1.14) trong đó P f và P i là các tổng năng xung lượng của trạng thái cuối và đầu tương
ứng M f ilà biên độ tán xạ hai hạt 22
Trang 13
a a'
Hình 1.2 Tán xạ hai hạt thành hai hạt Yếu tố ma trận của phép chuyển dời từ trạng thái đầu i i đến trạng thái cuối
Trang 14Từ đây suy ra :
2
4 ,
đó có thể xảy ra quá tình tương tác Nhân công thức trên với các yếu tố thể tích
dWfi R fi (p f p d p d p i) a b
Dễ dàng nhận thấy rằng hai hạt tự do tương tác với nhau thì xác suất sẽ tỷ lệ nghịch với thể tích chuẩn hóa V mà V có thể chọn tùy ý Do đó để đặc trưng cho quá trình tán xạ không phụ thuộc vào V ta cần phải chia xác suất tán xạ vi phân dWfi cho mật
độ dòng của các hạt tương tác đầu mà nó tỷ lệ nghịch với thể tích chuẩn hóa V Đại lượng được xác định như vậy được gọi là tiết diện ngang tán xạ vi phân và được ký hiệu bằng
dWfi
d
J
Trang 15Trong hệ quy chiếu phòng thí nghiệm thì mật độ dòng J bằng tích mật độ dòng của
các hạt a, b trong một đơn vị thể tích nhân với vận tốc tương đối của hai hạt đó :
l l l
a b a
J v
(1.22) Trong cơ học tương đối tính, năng xung lượng của hạt được xác định bằng biểu
thức :
2 0
p v p c
p p
(1.26) Bây giờ ta viết yếu tố ma trận dưới dạng :
Trang 162 Yếu tố ma trận là một vô hướng Nếu chúng ta chuẩn
hóa véc tơ trạng thái để trong một đơn vị thể tích mật độ hạt
3
12
2 2
Tính toán trong trường hợp tán xạ đàn hồi A + B → A + B trong trường hợp hạt B
đứng yên, khối lượng hạt bia là rất lớn (m B E A), sự giật lùi là không đáng kể Sử
dụng vế phải của biểu thức (1.16) để xác định tiết diện vi phân tán xạ d /d
Trang 171.2.1 Trong hệ khối tâm
Nếu chúng ta coi hệ hai hạt là một thể thống nhất thì hệ khối tâm là hệ quy chiếu
gắn liền và chuyển động cùng vận tốc với hệ hạt Với định nghĩa trên thì xung
lượng bốn chiều của hạt trong hệ khối tâm được xác định bởi:
Trang 19Trong các trường hợp còn lại, giả sử m3m1, m4m2 Vẫn trong hệ quy chiếu
phòng thí nghiệm thì (1.41) được rút gọn lại như sau:
E E m pp E m m
(1.42) Điều này chỉ ra rằng momen bốn chiều qp3p1 liên quan tới các biến khác theo
như sau:
2 2
Trang 20CHƯƠNG 2:
TÁN XẠ ELECTRON-ELECTRON
Trong chương này chúng tôi nghiên cứu quá trình tán xạ electron-electron Trong mục $ 2.1, theo quy tắc Feynman cho tương tác điện từ ta viết yếu tố ma trận tương ứng với quá trình tán xạ electron-electron ở bậc thấp nhất (gần đúng Born) của của lý thuyết nhiễu loạn hiệp biến Dựa vào yếu tố ma trận, ta tính tiết diện tán
xạ vi phân cho quá trình tán xạ electron-electron trong hệ khối tâm và hệ phòng thí nghiệm Mục $2.2 dành cho việc nghiên cứu quá trình tán xạ electron lên positron Cách tính tương tự như quá trình tán xạ electron-electron, có thay đổi khi một electron được thay bằng positron Kết quả ta thu được tiết diện tán xạ vi phân cho quá trình tán xạ electron positron So sánh kết quả tiết diện tán xạ vi phân của hai quá trình tán xạ kể trên ta nhận thấy hai kết quả hầu như giống nhau chỉ khác nhau
về dấu, có nghĩa là ta có thể chuyển từ kết quả này thành kết quả kia bằng cách
chuyển đổi dấu của chúng [11].
2.1 Tán xạ electron-electron ee ee
Trong phần đầu này ta xét quá trình tán xạ giữa electron-electron trong gần
đúng bậc thấp nhất Hai electron với xung lượng lần lượt là p1, p2 đến và tương tác
với nhau, sau đó sinh ra hai electron với xung lượng lần lượt là p1',p2' Do hai
electron ở trạng thái cuối hoàn toàn giống nhau, ta không có cách nào để phân biệt chúng, vì thế ta xét cả hai quá trình như hình vẽ dưới đây
Trang 21Sử dụng quy tắc Feynman ta có biên độ tán xạ cho quá trình này:
Trang 22d
A là yếu tố ma trận của quá trình tán xạ ứng với kênh t khi hạt hạt ra có xung
lượng lần lượt là p1' p2' trong hình vẽ (2.1a)
ex
A là yếu tố ma trận của quá trình tán xạ ứng với kênh u khi hati hat có xung lượng lần lượt là p2' p1' trong hình vẽ ( 2.1b)
int
A là yếu tố ma trận của cả hai quá trinh tán xạ ứng với kênh t và kênh u
Các ký hiệu trên đã được sử dụng trong tài liệu [11]
Trang 23Ta thu được biểu thức:
2 2
21
Trang 242.1.1 Trong hệ khối tâm
Hệ khối tâm là hệ quy chiếu chuyển động với vận tốc của khối tâm của hệ hạt và
tổng xung lượng trước và sau của hệ đều bằng không Do đo ta có xung lượng của
các electron là:
1 2 1 2
Từ công thức (2.9), (2.14) và (2.17) cuối cùng ta thu được tiết diện tán xạ cho hai
hạt trong hệ khối tâm là:
4 0
Trang 25' '
( , )( , 0)
Trang 262 '
1 '
1 '
1
2 ' 1
Từ công thức (2.9), (2.14) và (2.23) Ta thu được công thức cuối cùng cho tiết diện
tán xạ hai hạt trong hệ phòng thí nghiệm
d lab
-( - E)cos θ + (E + ) ( -E)cos θ +(E + )
Trang 27P là tiết diện tán xạ của quá trinh tán xạ giữa hai hạt ứng với kênh t và kênh u
Các ký hiệu trên đã được dùng trong tài liệu [11]
2.2 Tán xạ electron-positon e e e e
Trong phần đầu này ta xét quá trình tán xạ giữa electron-positron trong gần đúng
bậc thấp nhất Electron và positron với xung lượng lần lượt là p1, '
2
p đến và tương tác với nhau, sau đó một electron và positron bay ra với xung lượng lần lượt là
Trang 28
' '
1 1
' '
2 2
Trang 29' '
' '
' '
A là yếu tố ma trận của cả hai quá trinh tán xạ ứng với kênh t và kênh u
Ta thu được biểu thức:
2 2
Trang 302.2.1 Trong hệ khối tâm
Hệ khối tâm là hệ quy chiếu chuyển động với vận tốc của khối tâm của hệ hạt và tổng xung lượng trước và sau của hệ đều bằng không Do đo ta có xung lượng của electron và positron là:
1 ' 2 1
Trang 31Do đó, các bất biến mandelstam có các giá trị:
Trang 32' 2
1 '
1
2 ' 1
cos
cos2
2 1
Trang 33P là tiết diện tán xạ của quá trình tán xạ giữa hai hạt ứng với kênh t và kênh u
Các ký hiệu trên đã được dùng trong tài liệu [11]