Tia laser được hấp thụ trong vật liệu bán dẫn, tạo ra cặp electron – lỗ trống và làm thay đổi hàm điện môi.. Cái điều khiển chopper điều biến hiệu ứng này, và do đó điều biến luôn hệ số
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ
PHỔ BIẾN ĐIỆU BẰNG CHÙM SÁNG (QUANG PHẢN XẠ)
GVHD: GS.TS LÊ KHẮC BÌNH HV: LÊ NGUYỄN BẢO THƯ
Trang 2 Học liệu mở tiếng Việt:
http://mientayvn.com/OCW/MIT/Vat_li.html
Trang 3Sơ đồ thực nghiệm
Trang 4Tia laser được chiếu vào mẫu
Trang 5Tia laser được hấp thụ trong vật liệu bán dẫn, tạo ra cặp electron – lỗ trống và làm thay đổi hàm điện môi.
Cái điều khiển chopper điều biến hiệu ứng này, và do
đó điều biến luôn hệ số phản xạ R của vật liệu.
Trang 6Tia sáng đơn sắc được hội tụ vào vùng điều biến trên mẫu và tia phản xạ được ghi lại bởi detector
Trang 7Một máy khuếch đại lock-in kết nối với chopper laser được dùng để tách tín hiệu được điều biến Sau khi được thu nhận, tỉ số được tính toán và vẽ đồ thị theo bước sóng phản xạ.
/
R R
∆
Lock –in amplifier
Trang 8Ưu điểm của PR
Là kĩ thuật không tiếp xúc, không phá hủy mẫu
Cho kết quả tốt ở nhiệt độ phòng.
Có những ưu điểm của phương pháp điều biến.
Trang 9Ứng dụng của PR
quá trình xử lý/ tạo vật liệu như xác định nhiệt
độ đế và thành phần của hợp kim
Fermi
cấu trúc đa lớp
dị thể với sự pha tạp biến đổi, các cấu trúc bán dẫn thấp chiều
Trang 10Ứng dụng phổ PR xác định thành phần Zn trong
dẫn 3, 4 thành phần phụ thuộc vào sự tập trung tương đối của các thành phần cấu tạo
được ước lượng bằng PR chính xác tới 0.4 meV với lượng Zn nhỏ (x<0.2), dẫn tới sự chính xác trong xác định thành phần lên tới 0.001 bằng
cách xác định dựa vào độ rộng vùng cầm
Trang 11 TN sử dụng một diode laser Phillips với
bước sóng 675 nm, công suất 30mW,
tần số điều biến được giữ ở 200 Hz
Trên mỗi mẫu 5 chấm được dùng để
xác định sự thay đổi thành phần nằm ở
4 góc và 1 ở tâm
Vùng bước sóng quét tương ứng với
vùng có dịch chuyển vùng cấm hay dịch
chuyển exciton
Ứng dụng phổ PR xác định thành phần Zn trong
Trang 12Sơ đồ thí nghiệm đo phổ bằng kĩ thuật SPR
Trang 13Giá trị Eg như một hàm tập trung rút ra từ việc làm khớp với lý thuyết.
- Các kết quả thu được được fit theo giá trị năng lượng
vùng cấm (band gap fit, m= 2.5) và eciton fit (m =2)
(1)
(2)
Ứng dụng phổ PR xác định thành phần Zn trong hợp chất bán dẫn Cd1-xZnxTe
- Công thức tính độ rộng vùng cấm chất bán dẫn theo
thành phần
Trang 14Đầu tiên người ta sẽ đo
hai mẫu CdTe không pha
tạp Zn, năng lượng vùng
cấm đo được bằng cách
lấy giá trị trung bình của
hai mẫu.
Giá trị Eg của mẫu ứng
với x=0 được thay vào
giá trị Eg(CdTe) trong pt
trên, từ đó ta có:
(3)
Trang 15Kết quả
Các giá trị x thu được từ các mẫu khác nhau
Trang 16Phổ PR của mẫu
Cd1-xZnxTe với x<0.1 có fit theo dịch chuyển exciton (mẫu 9478-C3-18c với x=0.046)
Kết quả
Trang 17Kết quả
Phổ PR của mẫu chứa 10% Zn được fit theo hai loại dịch chuyển (mẫu A57-18c)
Trang 18TÀI LIỆU THAM KHẢO
V.A.Stoica, Optical characterization of compound semiconductor
using of photoconductivity and photoreflectance, M.Thesis, West
Virginia, 2000.
J.Misiewicz, Electromodulation- absorption type spectroscopy of
semiconductor structure, Wroclaw University of Technology,2009