1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Báo cáo đề tài phương pháp CVD, môn phương pháp thực nghiệm, lớp quang học K21

21 778 2

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 21
Dung lượng 3,07 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

3 Lắng đọng hơi hóa học là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng tạo thành màng... 4 Vật liệu rắn H

Trang 1

MÔN PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM

Đề tài:

Báo cáo: Nguyễn Thị Hảo

Quang học K21 22/10/2011

1

Trang 2

C V D

What is ….?

Lắng đọng hơi hóa học

Trang 3

3

Lắng đọng hơi hóa học là phương pháp mà vật

liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng tạo thành màng

C V D

Trang 4

4

Vật liệu (rắn)

Hơi Hợp chất Màng

+ Tác nhân

(Precusor) Ngƣng tụ trên đế

Trang 5

Khí phản ứng

(Precursor)

Buồng phản ứng (reactor)

Khuyếch tán xuống đế

Hấp thụ

Phản ứng hóa học Tạo màng

Trang 6

SƠ ĐỒ

C V D

Bộ phận cấp nhiệt

Đế

Sản phẩm khí thải

Hơi vật liệu (Precursor)

Vùng phản ứng hóa học

Khuyếch

tán

t = 900 o C, p = 0.1 mbar – 1bar

Trang 7

Khuyếch tán trên bề mặt đế

Sự hình thành nguyên tử

Trang 8

BUỒNG PHẢN ỨNG

Trang 10

Đế Đế

Khí thải

Khí phản ứng (Precursor)

Bộ phận cấp nhiệt

BUỒNG PHẢN ỨNG

C V D

Trang 11

ĐIỀU KIỆN TRONG CVD

C V D

Nhiệt độ đế Precursor Buồng phản ứng

Trang 12

ĐỘ PHỦ MÀNG

C V D

Tốc độ lắng đọng tỉ lệ với góc tới

Trang 13

PHẢN ỨNG HÓA HỌC TRONG CVD

C V D

Phản ứng phân hủy Phản ứng khử

Phản ứng thủy phân Vận chuyển hóa học Phản ứng trùng hợp

Trang 14

CƠ CHẾ & QUÁ TRÌNH TRONG

CVD

C V D

Vận chuyển nhiệt Ngưng tụ

Hấp phụ

Trang 15

ƢU ĐIỂM

C V D

Phủ khu vực

Hệ thiết

bị đơn giản

Tạo màng hợp kim nhiều tp

Trang 16

Cơ chế phản ứng

phức tạp

Nhiệt độ đế cao

Cơ chế phản ứng phức tạp

Đế & thành buồng phản ứng

dễ bị ăn mòn Sản phẩm khí độc

NHƢỢC ĐIỂM

C V D

Trang 17

Tạo nhiều loại màng mỏng

Sợi quang

Trang 18

• Atmospheric pressure chemical vapor deposition

•  Lắng đọng hơi hóa học ở áp suất khí quyển

APCVD

• Low pressure chemical vapor deposition

•  Lắng đọng hơi hóa học ở áp suất thấp

LPCVD

• Metal organic chemical vapor deposition

• CVD nhiệt, precursor là hợp chất hữu cơ kim loại

MOCVD

• Plasma enhanced chemical vapor deposition

• Năng lượng của plasma để kích hoạt phản

ứng.300-500 o C

PECVD

Trang 19

Dòng nhiệt

Đế

Sản phẩm khí thải

Khí vào

chất phản

Quá trình ngưng tụ kim loại

Trang 20

Hidro Cacbon Kim loại

PRECURSOR CỦA MOCVD

C V D

Trang 21

CÔNG NGHIỆP MOCVD

C V D

Ngày đăng: 27/05/2015, 22:18

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

SƠ ĐỒ - Báo cáo đề tài phương pháp CVD, môn phương pháp thực nghiệm, lớp quang học K21
SƠ ĐỒ (Trang 5)
SƠ ĐỒ - Báo cáo đề tài phương pháp CVD, môn phương pháp thực nghiệm, lớp quang học K21
SƠ ĐỒ (Trang 6)
SƠ ĐỒ - Báo cáo đề tài phương pháp CVD, môn phương pháp thực nghiệm, lớp quang học K21
SƠ ĐỒ (Trang 7)
SƠ ĐỒ THIẾT BỊ - Báo cáo đề tài phương pháp CVD, môn phương pháp thực nghiệm, lớp quang học K21
SƠ ĐỒ THIẾT BỊ (Trang 8)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w