Bài giảng điện tử tương tự transistor lưỡng cực

Transistor lưỡng cựcBipolar Junction Transistor Nguyễn Quốc Cường... Transistor lưỡng cựcNguyễn Quốc Cường 2 Giới thiệu dụng nhiều trong công nghệ chế tạo IC từ năm 1980s – chế tại linh

Transistor lưỡng cực

Bipolar Junction Transistor

Nguyễn Quốc Cường

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

2

Giới thiệu

dụng nhiều trong công nghệ chế tạo IC từ năm 1980s

– chế tại linh kiện rời công suất lớn

– chế tạo IC hoạt động ở tần số cao

– các thiết bị điện tử trong automotive

– các thiết bị truyền tin không dây

Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu npn

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

4Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu pnp

– Tiếp giáp emitter-base (EBJ)

– Tiếp giáp collector-base (CBJ)

giáp này BJT có các chế độ hoạt động khác nhau

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

6Chế độ hoạt động của BJT

Chế độ tích cực

– tại B, một số ít e sẽ tái hợp với một số lỗ trống, còn phần lớn

sẽ di chuyển đến gần tiếp giáp CBJ

• Nếu nhìn từ các cực E,B,C ta có 3 dòng điện tương ứng là iE, iB và

α

β α

Transistor pnp

là dòng điện chủ yếu được tạo lên bởi các lỗ trống từ E đến B

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

12

Ký hiệu

Đặc tính dòng điện – điện áp

– iC-vCB với iE = const

– iC-vCE với iB = const

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

14Đặc tính iC-vCB

• Để đo đặc tính iC-vCB: Với mỗi giá trị iE thay đổi vCB để đo

Hiệu ứng Early

– Theo mô hinhf Ebers-Moll khi vBE = const thì iC phụ thuộc rất ít vào vCE (do vBC < 0)

– Thực tế iC có thể phụ thuộc nhiều vào vCE (hay vBC)

– Nếu kéo dài các đương iC-vCE trong vùng tích cực thuận sẽ gặp

Transistor lưỡng cực

Nguyễn Quốc Cường

18

Đặc tính iC-vCE

B v const

i i

• Hệ số khuếch đại dòng dc và ac trong thực tế thường sai khác từ 10% đến 20%

không đổi

Hệ số khuếch đại dòng ac

Miền bão hòa

miền bão hòa