1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps

10 242 1

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 10
Dung lượng 475,12 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Rõ ràng, khi điện áp điều chế đặt vào base của phần tử điện kháng thay đổi thì S thay đổi và do đó các tham số Ltđ hoặc Ctđ thay đổi làm cho tần số dao động thay đổi theo V.. Trên hình

Trang 1

Nếu chọn các linh kiện sao cho R

C j

1



 thì trở kháng Z có thể xác định theo biểu thức:

Cách

mắc

Sơ đồ nguyên lý Đồ thị vector Trị số điện

kháng

Tham số tương đương Mạch

phân

áp RC

S

RC j

Z 

S

RC

L tđ

Mạch

phân

áp RL

LS

jR Z

R

LS

Ctđ 

Mạch

phân

áp RC

RCS

j Z

Mạch

phân

áp LC

RS

j

Z 

RS

L

L tđ

Z  = jXL = jLtđ (3.24) jCR

S Trong đó: Ltd = SC

S

I

V

VR

VL

I

V

VC

VR

I

V

VL

VR

Bảng 3-1

I

VR

R

C

I

V

I

L

R

V

R

I

C

V

I

R

L

V

Trang 2

Tương tự như vậy, có thể chứng minh cho các sơ đồ phân áp còn lại trong bảng 3-1 Các tham số tương đương của thành phần điện kháng điều phụ thuộc vào hổ dẫn S

Rõ ràng, khi điện áp điều chế đặt vào base của phần tử điện kháng thay đổi thì S thay đổi và do đó các tham số Ltđ hoặc Ctđ thay đổi làm cho tần số dao động thay đổi theo V

Điều tần dùng phần tử điện kháng có thể đạt được lượng di tần tương đối f/ft khoảng 2%

Trên hình 3.7 là sơ đồ bộ dao động ghép biến áp được điều tần bằng phần tử điện kháng phân áp RC Trong đó T1 là transistor điện kháng, T2 là transistor tạo dao động Transistor điện kháng được mắc một phần (trên L1) với hệ dao động

Cũng có thể mắc hai transistor điện kháng thành một mạch đẩy kéo để tăng lượng di tần trên hình 3.8

Trên sơ đồ này (hình 3-8), T1 là phần tử điện kháng cảm tính, với Ltđ

=

1

T

S

CR

và T2 là phần tử điện kháng dung tính với Ctđ = CRST2

Hình3-7: Sơ đồ bộ tạo dao động điều tần bằng phần tử điện kháng phân áp RC CB1  CB4: Tụ điện ngắn mạch cao tần

LC: Cuộn chặn cao tần

LK

CB2

CB3

CB4

CK

LC

L1 CB1

Trang 3

Theo sơ đồ, khi USSB tăng thì ST1 tăng, còn ST2 giảm, làm cho Ltđ và Ctđ đều giảm, do đó tần số giảm nhanh hơn theo điện áp điều chế và lượng di tần tăng lên gấp đôi (nếu T1, T2 có tham số giống nhau) Mạch còn có ưu tiên, tăng được độ ổn định tần số trung tâm ft của bộ tạo dao động (T3) Thật vậy, giả thiết điện áp nguồn cung cấp tăng thì hỗ dẫn của cả T1 và T2 đều tăng một lượng S Lúc đó Ltđ giảm, Ctđ tăng Nếu mạch điện T1, T2 hoàn toàn đối xứng thì lượng tăng của Ctđ sẽ bù được lượng giảm của Ltđ , do đó có thể coi tần số trung tâm không đổi

b) Điều tần dùng diode Tunel:

Người ta có thể đưa điện áp ngược vào hai đầu diode để thay đổi điện dung gián tiếp của diode theo tín hiệu điều chế âm tần Khi đó:

CĐ 

Đ

V

k

(3.25)

k = const

VĐ  0,8 VĐ đánh thủng

Hình 3-8: Sơ đồ tạo dao động điều tần bằng mạch điện kháng đẩy kéo CB1 CB4: tụ điện ngắn mạch cao tần:

CB5: tụ điện ngắn mạch âm tần (u)

US

UB

R

R1

R2

R3 R4

CB1

C2

C1

CB5

CB3

CB2

CE

CB4

CK

LK

T3 T2

T1

R4

LC

Trang 4

Nhưng do CĐ biến đổi

trong một phạm vi rất nhỏ và

không tuyến tính, nên nó chỉ

được sử dụng trong các mạch tự

động điều chỉnh tần số, mà

không dùng để tạo nên tín hiệu

điều tần Để tạo tín hiệu FM ta

có thể dùng diode tunel như

hình 3-9

 R1, R2: tạo phân cực cho

diode Tunel nằm ở đoạn có

điện trở âm

 C1: cho điện áp âm tần đi

qua, ngăn điện áp một

chiều

 C2: ngắn mạch điện áp cao

tần không cho vào nguồn

cung cấp VCC

Đối với diode Tunel tần số dao động của mạch biến thiên theo điện áp phân cực Từ hình 3-9b ta nhận thấy chỉ cần một sự thay đổi nhỏ của điện áp phân cực cũng gây nên sự biến thiên lớn của điện trở âm và làm cho tần số dao động thay đổi theo biểu thức:

 Khi V tăng thì VĐ tăng và IĐ giảm nên R = VĐ/IĐ tăng làm f0 tăng lên

 Khi V giảm thì VĐ giảm và IĐ tăng nên R = VĐ/IĐ giảm làm f0 giảm xuống

Mạch điều tần bằng diode Tunel khá đơn giản và tuyến tính hơn dùng diode thường song độ di tần khá hẹp ( nhỏ)

f0 = - (3.26) 1

2

1 LK(CK + C2)

1 C2(CK + C1)R2

V

VCC

R+

0

0

I

V

V

b)

a) V

Hình 3-9: Điều tần bằng Diode Tunel a) Sơ đồ điều tần;

b) Đặc tuyến Volt-ampe và R

R2

C1

LK

Trang 5

Ta thấy tạo tín hiệu điều tần bằng đèn điện kháng, bằng diode và diode Tunel có độ di tần hẹp do chúng không trực tiếp tác động lên tần số dao động f0 Từ khi Varicap ra đời người ta chủ yếu sử dụng nó làm phần tử điều tần vì điện dung của nó thay đổi theo điện áp phân cực và trực tiếp làm thay đổi tần số dao động Ở phạm vi tần số cao khi CV thay đổi làm f0 thay đổi rất nhiều tạo nên độ di tần lớn và đặc tuyến của Varicap tuyến tính, tính chống nhiễu cao, không tiêu thụ năng lượng nên nó dùng để điều tần rất tốt

c) Điều tần dùng Varicap:

Diode biến dung (Varicap) có điện dung mặt ghép biến đổi theo điện áp đặt vào Nó có sơ đồ tương đương ở hình 3-10a Trị số RV và CV phụ thuộc vào điện áp đặt trên diode Trường hợp diode phân cực ngược RV =  và còn CV được xác định theo công thức:

Trong đó:

CD

CD

CD

t V

c)

Hình 3-10: Sơ đồ tương đương (a); Sơ đồ mắc mạch của Varicap (b); và đặc tuyến điều chế CV theo V(c)

LK

CK

VPC

CD

RD

b)

a)

CV = (3.27) (VĐ +T)

k

Trang 6

 k: Hệ số tỷ lệ; k = CV0 T; CV0 :CV ban đầu khi VĐ= 0

 : hiệu điện thế tiếp xúc của mặt ghép; với diode Silic T  0,7V

 : hệ số phụ thuộc vật liệu;  = 1/3 1/2

VĐ = VPC + V (3.28)

 VPC: điện áp cung cấp một chiều định điểm làm việc ban đầu cho Varicap

 Đối với transistor Silic   ½

 Nếu R >>1/CV thì ta có tần số dao động của hình 3-10b gần đúng như sau:

 Nếu ta chọn CV >> CK ta có biểu thức gần đúng:

Ta thấy tần số tỷ lệ với điện áp điều chế V qua căn bậc 4 nên V phải đủ lớn để tần số dao động thay đổi theo V

 Trên hình 3-10b ta thấy điện áp cao tần trên LK, CK sẽ phân cực thuận Varicap tăng lên Dẫn tới làm hệ số phẩm chất của mạch cộng hưởng giảm và tạo nên sóng hài khi Varicap được phân cực liên tiếp âm, dương Để khắc phục hiện tượng này ta có một số biện pháp sau:

- Tính toán để sao cho diode luôn luôn phân cực ngược khi trên nó có cả điện áp cao tần Điện áp đặt trên diode:

VD=V0cos0t + Vcost – VPC (3.21) VDmax = V0 + V - VPC  0 (3.22)

Nhưng điện áp ngược đặt lên diode cũng không được vượt quá trị số cho phép, nó đồng thời thỏa mãn công thức:

VDmin = - V0 - V - VPC  Vng cho phép (3.23)

   (3.29) 1

LK(CK + CV)

1

K VPC + V +0,7

LK CK +

 

K L

7 , 0 + V + V

K

4

Ω

PC (3.20)

Trang 7

Mắc thêm tụ ghép Cgh nó sẽ ngăn không cho điện áp cao tần xuất hiện

trên Varicap Nhưng như vậy khi V thay đổi CV thay đổi nhưng

gh V

gh V

C C

C C C

thay đổi rất ít, nên độ di tần sẽ hẹp

- Để khắc phục cả hai nhược điểm

trên, người ta không mắc Cgh , mà

mắc hai Varicap ngược nhau như

hình 3-11 Cách mắc này gọi là mắc

đẩy kéo Varicap Hai Varicap được

phân cực cùng một lúc Khi tín hiệu

cao tần áp vào 2 varicap giống nhau,

nó sẽ lái chúng đến những giá trị

điện dung cao và thấp luân phiên

nhau: Do đó điện dung đúng trong

mạch gần như không thay đổi theo

điện áp cao tần, mà chỉ thay đổi

điện áp âm tần

Khi đó để Varicap phân cực ngược ta chỉ cần thỏa mãn đều kiện:

VDmax = V - Vpc  0 và VDmin = - V -Vpc Vng cho phép

Như vậy phạm vi thay đổi của điện áp điều chế V sẽ lớn hơn, dẫn tới

phạm vi biến đổi của CV cũng lớn hơn, nghĩa là độ di tần sẽ lớn hơn Tuy nhiên

mắc 2 Varicap đẩy kéo sẽ làm giảm điện dung tương đương Ctđ = CV/2 (nếu 2

Varicap giống nhau) Để bù lại người ta chọn những Varicap có giá trị bằng 2 lần

Ctổng mà ta mong muốn (Ví dụ CV = 15pF thì ta phải chọn CV1 = CV2 =30pF)

 Vì dòng phân cực Icp =0 nên biến trở VR1 và R có thể có giá trị rất lớn Tuy

nhiên để Varicap đáp ứng nhanh với V thì R và VR1 không nên chọn lớn lắm

vì hằng số thời gian  = (R + VR1) CV

 Khi điều tần dùng Varicap cần chú ý những đặc điểm sau:

- Luôn luôn phân cực ngược cho Varicap để tránh ảnh hưởng của RV đến phẩm

chất của hệ dao động , nghĩa là đến độ ổn định tần số của mạch

Vcc

+Vpc

L

Vpc V

V

CK Lch

R VR1

Hình 3-11: Mắc đẩy kéo Varicap

Trang 8

- Phải hạn chế khu vực làm việc trong đoạn tuyến tính của đặt tuyến CV = f(VD) để giảm méo phi tuyến Lượng di tần tương đối khi điều tần dùng Varicap đạt khoảng 1%

- Dùng Varicap để điều tần thì kích thước bộ điều tần nhỏ và có thể điều tần ở tần số siêu cao, khoảng vài trăm MHz

Tuy nhiên độ tạp tán của bán dẫn lớn hơn nên kém ổn định

Ta có sơ đồ điều tần dùng Varicap đẩy kéo (3-12)

- R1, R2, Re tạo thiên áp tự cấp để lúc đầu mạch dao động ở chế độ lớp A (dễ dao động) sau chuyển về dao động ở lớp B,C (để có hiệu suất cao) Đây là mạch ba điểm điện dung Trong đó LK cùng Varicap tạo thành mạch cộng hưởng song song, nhưng ở tần số dao động f0 thì nó phải tương đương như một

V 0 0

C

1

L Các tụ thoát C   ngắn mạch đối với tín hiệu cao Hình 3-12: Điều tần dùng Varicap đẩy kéo

C

C

C2

C1 C

R

R2

LK

C

+VCC

VFM

VR

E

B

LchK

V

Phần tử dao động

Trang 9

tần Lch cho tín hiệu âm tần đi qua, ngăn tín hiệu cao tần lại R và VRđiều chỉnh cho điểm phân cực ban đầu của Varicap ở điểm giữa của đoạn thẳng đặc tuyến CV = f(VĐ) là phi tuyến nên thực chất tín hiệu FM vẫn bị méo Để khắc phục, đối với những bộ điều chế yêu cầu độ méo phi tuyến nhỏ người ta mắc bộ điều tần theo sơ đồ đẩy kéo (hình 3-13)

Sơ đồ hình 3.13 gồm hai bộ đổi tần đẩy kéo làm việc ở hai tần số khác nhau: f01 và f02 và đầu ra bộ đổi tần ta có tần số trung gian: f0 = f01 – f02 Điện áp điều chế âm tần V được đưa đồng pha tới hai bộ điều chế, nhưng do Varicap 2 (V2) mắc ngược pha với Varicap 1 (V1) nên khi f01tăng thì f02 giảm và ngược lại như hình 3-14 Độ lợi của hai bộ điều tần có thể viết như sau:

+ a1, a2, b1, số phụ thuộc độ dốc và dạng của đặc tuyến điều chế

+ Vpc1, Vpc2: điện áp phân cực ngược định điểm làm việc ban đầu cho Varicap

f1= f01 a1 +a2 +… (3.24)

f2= f02 b1 - +b2 +… (3.25)

V

V

V

V

2

2

Hình 3-13: Sơ đồ điều chế đẩy kéo dùng varicap đơn

L’3 L’2

L’1

L’4

L’5 L5

L4

L3 L2

L1

Re2 Re1

R2 R1

C’1

C’2

C’3

C’4

C’6 C’5

C5

C6 C4

C3

C2

C1

f = f01 – f02

V

-Vpc1

Trang 10

+ V: điện áp điều chế

Dấu (-) trong biểu thức biểu hiện sự mắc ngược pha của Varicap

Để bù méo bậc hai ta phải thực hiện điều kiện:

Trong thực tế ta thường thiết kế Vpc1 = Vpc2

Khi đó (3.26) trở thành: f01 a2 = f02.b2 (3.27)

Nếu ta chọn Varicap trước (biết trước a2, b2) thì ta chỉ việc chọn f01, f02 thỏa mãn (3.27) ta sẽ triệt được méo bậc 2

 Khi chưa điều chế, sau bộ đổi tần ta

thu được: ftg = f01 – f02 ftg + f =

(f01+f1) – (f02+f2) Nghĩa là : f =

f1 - f2 mà f1, f2 lại ngược dấu

nên độ di tần chung tăng lên (f

tăng) Như vậy dùng điều chế tần số

đẩy kéo ngoài việc bù được méo hài

bậc 2, còn làm tăng độ di tần

 Để bù méo bậc 3 người ta dùng

mạng 4 cực hiệu chỉnh C4, L4, R2,

C5, L5 và C’4, L’4, R’2, C’5, L’5

 Nếu ta chọn f01, f02 cao thì độ di tần

tương đối sẽ thấp (f1/f01 và f2/f02)

làm giảm tất cả các thành phần hài

Méo do hài bậc 2 gây ra được bù

phần như hoàn toàn

 Để tăng độ di tần, tăng độ ổn định tần số và giảm méo phi tuyến, ở dải sóng cực ngắn người ta sử dụng sơ đồ điều tần đẩy kéo dùng Varicap đẩy kéo như hình 3-15

) 26 3 ( V

b f

V

a

f

2 pc

2 0

1

pc

2

CV2

C’V2 CV20

C’V1 CV10

CV1

0

0

V V

VPC2

VPC1

- +

Hình 3-14: Đặc tuyến CV = f(VD)

Ngày đăng: 14/08/2014, 10:20

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Sơ đồ nguyên lý  Đồ thị vector  Trị số điện - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Sơ đồ nguy ên lý Đồ thị vector Trị số điện (Trang 1)
Hình3-7: Sơ đồ bộ tạo dao động điều tần bằng phần tử điện kháng phân áp RC. - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 7: Sơ đồ bộ tạo dao động điều tần bằng phần tử điện kháng phân áp RC (Trang 2)
Hình 3-8: Sơ đồ tạo dao động điều tần bằng mạch điện kháng đẩy kéo. - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 8: Sơ đồ tạo dao động điều tần bằng mạch điện kháng đẩy kéo (Trang 3)
Hình 3-10: Sơ đồ tương đương (a); Sơ đồ mắc mạch của  Varicap (b); và đặc tuyến điều chế C V  theo V  (c) - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 10: Sơ đồ tương đương (a); Sơ đồ mắc mạch của Varicap (b); và đặc tuyến điều chế C V theo V  (c) (Trang 5)
Hình 3-11: Mắc đẩy kéo Varicap - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 11: Mắc đẩy kéo Varicap (Trang 7)
Hình 3-11. Cách mắc này gọi là mắc - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 11. Cách mắc này gọi là mắc (Trang 7)
Hình 3-13: Sơ đồ điều chế đẩy kéo dùng varicap đơn - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 13: Sơ đồ điều chế đẩy kéo dùng varicap đơn (Trang 9)
Hình 3-14: Đặc tuyến C V  = f(V D ) - Giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng kỹ thuật nối tiếp tín hiệu điều biên p5 pps
Hình 3 14: Đặc tuyến C V = f(V D ) (Trang 10)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm