MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN“Giáo trình mạch điện tử I” Chương I: DIODE BÁN DẪN... Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin... b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Di
Trang 1MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN
“Giáo trình mạch điện tử I”
Chương I: DIODE BÁN DẪN.
I Diode bán dẫn thông thường:
1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu : (Bài 1-1 trang 29)
Công thức tổng quát tính VL:
L L i
D S
RR
VV
a- Vẽ V L (t) với V S (t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V
Kết quả với giả thiết: Ri = 1, RL = 9, VD = 0,7V
Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên:
7,010
7,01
b- Vẽ V L (t) với V S (t) dạng sóng sin có biên độ 10 và 1V.
+VD
-10
-100 1 -
-++
VS
1 -10 1 - -
++
Trang 2 Khi VS = 10sinot nghĩa là VSm = 10V >> VD =0,7V ta có:
9991
10R
RR
V
L i
Sm 1
VL1 0(Ta giải thích theo T 0
7,0tsin1
+ VS < 0,7V, Diode tắt, iD = 0, iL = 0, VL = 0
Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin
2) Bài 1-3: Để có các kết quả rõ ràng ta cho thêm các giá trị điện trở: R1 = 1K,
7,010R
RR
VV
3 3
L L i
D S 1
7,01R
RR
VV
3 3
L L i
D S 2
10R
RRR
V
3 4
3 L L b i
S 1
1R
RRR
V
3 4
3 L L b i
S 1
Ri=1K
VL
Vs
+-
+ VD
-Rb=10K
10
-100 1 -
-++
VS
1 -10 1 - -
++
VS
Trang 3b- Vẽ V L (t) với dạng sóng sin có biên độ 10V và 1 V.
Để đơn giản khi VSm = 10V (>>VD = 0,7V) ta bỏ qua VD Khi đó:
tsin10R
RR
S 1
tsin10R
RRR
V
3 4
L L b i
S 1
7,0tsin1RRR
7,0tsin1
3 3
0 L
L i
0 2
tsin7,0R
RRR
tsin7,0
3 4
3
0 L
L b i
0 2
tsin1R
RRR
tsin1
3 4
3
0 L
L b i
0 2
Trang 42) Dạng mạch Thevenin áp dụng nguyên lý chồng chập:
Bài 1-20 với Vi(t) = 10sin0t
a- Vẽ mạch Thevenin:
Áp dụng nguyên lý xếp chồng đối với hai nguồn điện áp VDC và Vi:
Khi chỉ có VDC, còn Vi = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K:
V310.5,110
10.5,15rR
rV
i i
i DC
10t
sin.10rR
RV
i i
i i
RVrR
rV
i i
i i i i
i DC
10.5,1.10R
rR
r
R
3 3
3 3
L i i
i i T
b- Vẽ đường tải DC khi
2
,3
,2
,3,0t0
-Vi
+-
iD
RL1,4K
Ri=1K
VDC=5v
KA
Trang 5 Tại 0,46(V)
2
343V3
D T
R
VV.R
1R
VV
10.2
37,0.10.2
1i
46,67,0.10.2
1i
77,0.10.2
1i
46,07,0.10.2
1i
17,0.10.2
1i
2
c- Vẽ
3 4sin t 2,1 2,8sin t(V)7
,0V7,0
10.2
V10.4,1Rr//
R
VR
R
V.Ri
R)t(V
0 0
T
3 T 3 L
i i
T L
T
T L D L L
II Diode Zenner:
-iD (mA)3,15
2,881,15
3 6,46 7-1
VT
t
VL
0-0,72,14,9V
t
Trang 61) Dạng dòng IL = const (bài 1-40); 200mA IZ 2A, rZ = 0
42
,1
18
22I
VV
R
min Z
Z min i i
18
28I
VV
R
max Z
Z max i iVậy Ri = 3,3
b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner:
Z i i
min L max Z
Z i
II
VVR
II
VV
1013
1016
RimaxVậy ta lấy Rimax = 30
b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner.
PZmax = IZmax.VZ
Mặt khác: Vimax = IZmaxRi + VZ
RL
VZ=10v13v<VDC<16v
Ri I
Z
VL
IL
Trang 7 200mA
30
1016R
VV
I
i
Z max i
Izmax Imax ILmin 0,2 0,010,19190mA
Pzmax 0,19101,9W
3) Dạng IZ const; IL const (Bài 1-42)
30 IL 5mA.0mA, IZmin = 10mA
rZ = 10 khi IZ = 30mA; Pzmax =800mW
a- Tìm Ri để Diode ổn định liên tục:
mA8010
8,0V
PI
Z
max Z max
Vậy 10mA IZ 80mA
Ta có: Imin = IZmin + ILmax = 60mA
Imax = IZmax + ILmin = 110mA
Mặt khác: Vimin = Imin.Ri + VZ = 20V
166,7
06,0
1020
Rimax
Vimax = Imax.Ri + VZ = 25mA.V
136,36
11,0
1025
RiminSuy ra: 136,4 Ri 166,7
5,1215005,020
mA30IkhiV
5,1515003,020150IV
L
L Z
5,1715005,025
mA30IkhiV
5,2015003,025150IV
L
L Z
ZTương ứng ta tính được các dòng IZ:
mA7,36150
105,15
IZ1 ; 16,7mA
150
105,12
IZ2 mA
70150
105,20
150
105,17
IZ4 ;
-RL
VZ=10v20v<VDC<25v
8070
1020,5 17,5 15,5 VZ =10V 0
rZ =10
16,712,5
Trang 9Chương II: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP
I Bộ khuếch đại R-C không có C C và không có C E (E.C).
1) Bài 2-10: 20 60, suy ra ICQ không thay đổi quá 10%
Phương trình tải một chiều:
VCC = VCEQ + ICQ(RC + RE)
mA81010.5,1
5
25R
R
VV
E C
CEQ CC
b E 1
10
1RRR10
1
2 b
3 1
BB
7,0VI
, nếu coi VBB const thì ta có:
9,0RR
RRI
I
1
b E 2
b E 2 CQ
1 CQ
b E 2
b E
9,01RR1,0
RR9,0
RR
10020
9,060
1,1.10
09,01
R1,0
1 2
E b
Trang 107,81
110.5,3V
V1
1R
CC BB b
2510.5,3V
VR
BB
CC b 2
Ta có thể tính tổng quát: Chọn Rb = 4K thay vào (1):
%9,881200106720
10.410
60
10.410I
I
3 3
3 3
2 CQ
1 CQ
10.310
60
10.310I
I
3 3
3 3
2 CQ
1 CQ
mãn bất phương trình (1), ta tính tiếp như trên
2) Bài 2-11: Với hình vẽ bài (2-10) tìm giá trị cho R1, R2 sao cho dòng iC xoay chiều có giá trị cực đại
Điểm Q tối ưu được xác định như sau:
AC Ö CQT TÖ
CEQ
AC DC
CC TÖ
CQ max Cm
R.IV
RR
VI
1025
7,51
110.10V
V1
1R
CC BB b
V
E C
1 ACLL
DCLL
QTƯ
0
Trang 11VR
BB
CC b 2
Vì RDC = RAC nên phương trìng tải DC và AC trùng nhau
3) Bài 2-14: Điểm Qbất kỳ vì biết VBB = 1,2V; = 20 Tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C và tính
Biết = 20, VBEQ = 0,7V
50100
7,02,
1R
R
VVI
b E
BEQ BB
Vậy giá trị tối đa của dao động là:
ICmmax = iCmax – ICQ = 5mA.,45mA – 3,3 = 2,15mA.mASuy ra VLmax = ICmmax.RC = 2,15mA 103.10-3 = 2,15mA.V
PCC = ICQ.VCC = 3,3.10-3.6 = 19,8mW
2,15.10 10 2,31mW
2
1R.I
Hiệu suất: 11,7%
10.8,19
10.31,2P
P
3 3 CC
II Bộ KĐRC không có C C , C E (tụ bypass Emitter) (EC)
1) Bài 2-15mA.: Điểm Q bất kỳ.
=100; VBEQ=0,7v
45 , 5 R
DCLL
Trang 12a- Tìm R1, R2 để ICQ = 01mA (Rb << R E)
Vì Rb << RE nên ta có:
A10mA10R
7,0V
1010
7,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
b- Để tìm ICmmax với R1, R2 như trên ta phải vẽ DCLL và ACLL:
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 10 – 10-2.25mA.0 = 7,5mA.V
Từ hình vẽ ta nhận thấy để ICm lớn nhất và không bị méo thì ICmmax = 10mA
Ta có thể tìm iCmax và VCemax theo phương trình
C CQ
R
1I
150
5,710R
VI
C
CEQ CQ
max
Cho iC = 0 V I R V 10 1.150 7,5 9V
CEQ C
CQ max
2) Bài 2-16: Điểm Q tối ưu (hình vẽ như hình 2-15mA.).
Để có dao động Collector cực đại ta có:
Trang 13AC DC
CC Ö
CQT max
VI
1010
2,31
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
Để vẽ ACLL, rất đơn giản ta chỉ cần xác định:
iCmax = 2ICQTƯ và VCemax = 2VCEQTƯ.
900
900R
R
RRR
L C
L C AC
R
V
E C
CC
RL=900K
Trang 14VI
I
DC AC
CC Ö
CQT max
1010
4,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
Ta có dòng xoay chiều:
V1,3V
mA45,39,6900900
900I
RR
RI
Lm
Cm L C
C Lm
2) Vẫn bài 2-20 nếu ta bỏ tụ CE thì ta sẽ có bộ khuếch đại R.C có CC mà không có
CE Khi đó kết quả tính toán sẽ khác rất ít vì RE << RC, RL
900.900100
RR
RRR
R
L C
L C E
AC
mA45,655010
10R
R
VI
AC DC
CC max
Cm Ö
R
V
E C
Trang 15345,11
10V
V1
1R
CC BB b
1010V
VR
BB
CC b 2
mA225,310.45,6.900900
900I
RR
R
Cm L C
IV Bộ KĐ R.C mắc theo kiểu C.C.
1) Bài 2-22: Mạch có thiên áp Base.
* Đây là dạng bài điểm Q bất kỳ vì đã biết R1, R2
V525.10.2010.5
10.5V
RR
R
2 1
10.410.2
7,0
5R
R
7,0V
3 b
1 ACLL
100
1 DCLL
R15K
Trang 16Từ hình vẽ ta thấy: ICQ < ICQTƯ nên ICm = ICQ = 2,1mA
mA05,110.1,2.10.210.2
10.2I
RR
R
3 3
3 Cm
L E
R
1I
RRR
R
L E
L E C
AC
Cho VCE = 0 suy ra 11,45mA
10.2
7,1810
.1,2R
VI
AC
CEQ CQ
iC = 0 suy ra V V R I 18,7 2.103.2,1.10 3 22,9V
CQ AC CEQ max
25R
R
V
AC DC
CC Ö
2) Bài 2-24: Mạch được định dòng Emitter.
Theo định luật K.II: Vkín = 0 ta có
RbIBQ + VBEQ + RE.IEQ –VEE = 0
100
7,0
10R
R
7,0VI
b E
Trang 17 93.10 46,5mA
100100
100I
RR
R
Em L E
R
1I
+ Cho VCE = 0 suy ra 214mA
R
VI
i
AC
CEQ CQ
max
+ Cho iC = 0 suy ra
V675,1050.10.9305,6RIV
AC CQ CEQ
RRR
L E
L E
mA100A1,050150
20R
R
VI
DC AC
CC Ö
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 5mA.V
R
V V
E C
EE CC
Trang 18Chương IV :
THIẾT KẾ VÀ PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP.
I Sơ đồ mắc Emitter chung E.C:
1) Bài 4-7: Q bất kỳ
a- Chế độ DC
K3205,3
20.5,
3RR
RRR
2 1
2 1
5,3V
RR
R
2 1
10.3500
7,03
.6,4
10.25h.4,1
hie fe 33
b- Chế độ AC:
i
b b
L i
L
ii
ii
i
50100.10.5,110.5,1
10.5,1h
.RR
Ri
ii
ii
i
3 3
3 fe
L C
C b
C C
L b
ib
Rb3K
ii
RC1,5K
-CE
+-
R13,5K
Trang 19- 0,61
76010
.2,1
10.2,1h
R//
R
R//
Ri
i
3 3 ie
b i
b i i
1
R 2 2 E b , bỏ qua IBQ
mA8350
10010
7,07,
1RR
7,0VI
1
b E
BB 1
7,07,
1R
7,0VI
E
BB 2
.83
10.25.50.4,1
.100
10.25.150.4,1
hie2 33suy ra 21 hie 5mA.2,5mA.
b- Chế độ AC:
ie b
b fe L C
C i
b b
L i
L
R.h.RR
Ri
ii
ii
iA
100.50.100100
100
150.100100
CE
+-
iL
RE10
Trang 207,07,5h
RR
7,0V
3 fe
b E
.5,4
10.25.100.4,1
b- Chế độ AC:
b L L
ii
ii
ii
RC2K
ii
RC100
iL
feib RL = 100
Trang 21.RR
Ri
ii
i
i
i
fe L C
C b
C C
L b
10R
hhR
Ri
i
5 4
4 E
fe ie b
b i
II Sơ đồ mắc B.C: Bài 4-21, hoe = 104
1) Chế độ DC:
91,011
10h1
hh
10.25.10.4,1.11
1h1
h
fe
ie ib
5 4
L i
L
ii
VV
iL1/hob
105
iC
hfbie0,91ib
hib32
ie
Ri 50
Vi+-
Trang 22,0.1010
10.10h
.h
1Rh
1Ri
i.i
Rii
V
5 4
5 4 fb
ob L
ob L e
C C
L L e
1h
R
1h
R
V.V
1V
i
ib i ib
i
i i
Thay vào (1) ta được AV = (-827).(-0,012) = 10,085mA 10
III Sơ đồ mắc C.C: Bài 4-23
1) Chế độ DC
VCC = IBQRb + VBEQ + REIEQ
mA65,4100
1010
7,0
10R
R
7,0V
3 b
hie 753
ib
Rb100K
Re.hfe100K
RL.hfe100K
Zi hie/hfe 7,53
ie
RE1K
ri/hfe5
Rb/hfe1K
Trang 2310.25h,1
hie fe 33
i
b b
L i
L
VV
VV
500.100
R//
Rhhi
R//
Rh.iV
V
L E fe ie b
L E fe b b
K3,33R
r
RR
r
V.R.V
1V
V
3 '
b i
' b '
b i
i ' b i i
rh//
R
fe
b i ib E o
Trang 24-Chương VI: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG.
10.7.10.3R
R
R.R
21 11
21 11 1
suy ra, không được bỏ qua IBQ1;
V310.10.710.3
10.3V
.RR
R
21 11
11 1
2100100
7,03h
RR
7,0VI
1 fe
b E
1 BB 1
EQ
1 1
.2,16
10.25.50.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 1
fe 1
10.9
10R
R
R.R
22 12
22 12 2
suy ra, được bỏ qua IBQ2;
V110.10.910
10V
.RR
R
22 12
12 2
3,050
900250
7,012h
RR
7,0VI
2 2 E
2 BB 2
.2,1
10.25.50.4,1I
10.25.h,1
2 EQ
3 2
fe 2
ie
b - Chế độ AC
i
1 1
2 2
L
i.i
i.i
i
50h
.1i
i.i
ii
i
2 fe 2
2 C 2 C
L 2
ii h108ie1 50ib1 R200C1 R900b2 h1458ie2 50ib2 R2KC
Trang 25
06,550.1458164
164
h.hR//
R
R//
Ri
i.i
ii
i
1 fe 2 ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
2100h
R
Ri
i
1 ie b
b i
R
1I
Từ đặc tuyến DCLL và ACLL ta có ICmmax = 1,2mA
Bài 6-2: Điểm Q tối ưu nên phải tính tầng thứ hai trước, tầng 1 sau.
a- Chế độ DC:
RDC2 = RC2 + RE2 = 225mA.0; RAC2 = RC = 2K
mA35,220002250
10R
R
VI
2 AC 2 DC
CC Ö
T 2
.35,2
10.25.50.4,1I
10.25.h4,1
2 EQ
3 2
fe 2
ie
RDC1 = RC1 + RE1 = 200 + 100 = 300;
RAC1 = RC1//Rb2//hie2 = 200//900//745mA 134,4
mA234,134300
10R
R
VI
1 AC 1 DC
CC Ö
T 1
1 ACLL
ICQ = 1,2
ICmmax
Trang 2610.25.50.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 1
fe 1
2100
745164
164.2500h
R
R.hR//
R
R//
Rh
.hA
1 ie b
b 2
ie 2 1 C
2 1 C 2
fe 1 fe
10R
R
V
2 AC 2 DC
CC Ö
T 2
.7,6
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
2 EQ
3 2
fe 2
.h10
1
2 E 2 fe 2
1010
4,71
10V
V1
R
CC
2 BB
b 12
1010V
VR
2 BB
CC b 22
10R
R
VI
1 AC 1 DC
CC Ö
T 1
,11
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
2 EQ
3 1
fe 1
1010
834,11
10V
V1
R
CC
1 BB
1 11
1010V
VR
1 21
Trang 27b- Chế độ AC:
i
1 1
2 2
L
i.i
i.i
V
L E fe 2
10.385100
.50500522
385
385
h.R//
Rh1hR//
R
R//
Ri
i.i
iii
2
1 fe L E fe 2
ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
10h
R
Ri
1 ie 1
1 i
Rh//
R
2 fe
2 1 C 2 ib E o
3) Dạng bài hỗn hợp E.C – C.C: Bài 6-4
Tìm R để
i
02 i
01
i
Vi
2 2
01 i
01
i
i.i
i.i
Vi
Rb210K
hie2 522
(1+hfe)RL101K
(1+hfe)RE101K
RE1K
Ri100K
ii
hie2 1K
100ib1
RC11K
Rb21K hfe2RE25050
ib3
Trang 281 1
2 2 E 2 fe i
02
i
i.i
i.R)h1(i
3 3
01 2
01
i
i.i
i.i
Vi
V
Từ (5mA.) suy ra
2 E 2 fe 2
fe 3 E 3 fe 3
ie 2
C
2 C 3
E 3 fe 2
R)h1(hRR
R
R)h1(i
.505010
R10
10
V
Từ (2) ta có:
50505050
1010.9310
10.10.5050
R)h1(hRR
h.R.R)h1(i
ii
ii
Vi
V
3 3 3
2 3
3 E 3 fe 3
ie 2
C
2 fe 2 C 3 E 3 fe 2
2 C 2 C
3 3
01 2
10
550501000
500
100.500
h.R)h1(hR//
R
R//
Ri
i.i
ii
i
4
1 fe 2 E 2 fe 2
ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
10h
R//
R
R//
Ri
i
3 3 3 1
ie 1 i
1 i i
Rh
//
RZ
3 fe
2 C 3 fe 3 ib 3 E o
RE350
Zo
hib3 10R/hfe3 930
Rc2
hfe3 =10
Trang 29II Transistor mắc vi sai và Darlingtơn
1) Bài 6-23: E.C – E.C.
a- Chế độ DC
V25,29.10.310
10V
.RR
RV
21 11
11 2
BB 1
7,025,2h
RR2
7,0VI
fe
b E
1 BB 2
EQ 1
I
RV
VRE4 CC C2 CQ2 BE3 BE4
mA6260
725,
3R
VI
I
4 E
R 4 EQ 4
mA62,010
10
62h
II
I
fe
4 CQ 4 BQ 3 EQ 3
.55,1
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 1
fe 1
.62,0
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 3
fe 3
.62
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
1 EQ
3 4
fe 4
iL
ib3
R11K
RE1500
T1 T2
RC22,5K R3K22
R121K
T3
T4
RC4=RL60
RE460
hfe=100
iC4
hie1
hfe2ib2100ib2
RL(1+hfe)RE1
(1+hfe)ib4
ii
hie3
RC22,5K
hie2
Trang 301 h 5mA.00.101 5mA.05mA.00R
E
i
1 1
2 2
3 3
L i
L
i.i
i.i
i.i
ii
i
1 h 1 h 101.101 10201i
i
4 fe 3
fe 3
3
' 4 E 4 ie fe 3
ie 2 C
2 C 2
3
10,4605,631
5,2
10.76,61757005645
10.5,2
10.5,2
Rhh1hR
Ri
hi
ii
ii
i
2 fe 1
2 2
2 1
E 1 ie b
b i
28322258
750
750R
hR
Ri
R’ E50,5K
Zo
(1+hfe)2ib310201ib3
ii
hie35645
RC22,5K
Rb750
R’ E4618K
ib1 ib2 h5700ie4(1+hfe)
Rb1750
RC11K
Rb210K
R
VBB21V
T4
T5
RC21K
VBB1 1V
E610
T6
Trang 31a- Chế độ DC
Áp dụng định luật K.II Vkín = 0 cho vòng 2 ta có:
VBE3 + IEQ3RE3 – VEE = 0 (1)
mA3,210
7,0
3R
VV
3 E
3 BE EE 3
mA15,12
II
2 EQ 1
VCE1 = VCE2 = VCC – RC1ICQ1 – VE1 (2)Mặt khác áp dụng định luật K.II Vkín = 0 cho vòng 1 ta có:
= 3 + 0,185mA – 103.2,3.10-3 = 0,885mA.V
VRE6 = VCC – RC2ICQ2 – VBE4 - VBE5mA. - VBE6
= 6 – 103.1,15mA 10-3 – 2,1 = 2,75mA.V
mA27510
75,2R
VI
6 E
6 RE 6
VCE6 = VCC – VRE6 = 6 – 2,75mA = 3,25mA.V
VCE5mA. = VCE6 – VBE6 = 3,25mA – 0,7 = 2,5mA.5mA.V
VCE4 = VCE5mA. – VBE5mA. = 2,5mA.5mA – 0,7 = 1,85mA.V
.15,1
10.25.100.4,110.15,1
10.25.h4,1
hie1 fe1 33 33
mA75,2h
II
6 fe
6 EQ 5
5 EQ 4
.275
10.25.100.4,1I
10.25.h4,1
6 EQ
3 6
fe 6
R
i
2 2
4 4
L i
L
i.i
i.i
Vi
Zo
Zi
ii
hie4127,2K
RC21K
Rb2
’ E6
ib1
Rb110K
hie2 3043 ib4
ib2
hie5.hfe4127,2K
hie5.hfe4.hfe5127,2K
Trang 324 4
2 7
3 3
2 3
' 6 E 4 ie 2 C
2 fe 2 C 2
2 C 2 C
4 2 4
10.3,9610
6,3811
1010
10.6,38110
10.10
RhR
h.Ri
i.i
iii
10
Rh2R
Ri
ii
i
4 3 4
4 2 1 ie 1
1 i
1 i
R//
R
fe
4 ie 3
fe
2 C 6 E o
Chương VII: MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP.
I Hồi tiếp áp, sai lệch dòng.
K1hGT
iA
?
TKL
i
L iĐây là dạng hồi tiếp áp, sai lệch dòng
Zo
RE6
3hie4
h3 fe
=0,381
Rc2
h3 fe
10
V1
ii
RE221K
Rf 10K
RC12K
RC22K
iL
RL100
+VCC
RE211K
Trang 33a- Tính độ lợi dòng T: cho ii = 0
' 1
1 1
2 2
1 i
' 1
1
V
i.i
i.i
V0iV
E 2
8010
.4110.411010.2
40.10.2
h1Rh
1RhR
h.Ri
i.i
iii
3 3
3 3
3
2 fe 22
E 2 fe 21
E 2 ie 1 C
1 fe 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
4 1 ie f 1 ie f
' 1 '
1
' 1
1010
1h
R
1h
R
V.V
1V
i
A cho V’1 = 0
i
1 1
2 2
L i
L
i.i
i.i
ii
i
6,3940.1010.2
10.2h
.RR
Ri
i.i
ii
i
3
3 2
fe L 2 C
2 C 2
2 C 2 C
L 2
i1
2
(như (3) ở phần trên) (3)
2 3
4 4 1
ie f
f i
1010
10h
R
Ri
34T
910T
10
2T1
Trang 34Z
;Z
?i
iA
KL i io
L i
hie = hib.hfe = 10.100 = 1K
a- Độ lợi vòng T: cho ii = 0
' L
b b
L i
' L
L
V
i.i
V0iV
3
2 3 3 fe
L C
C L
b
C C
L b
1010
10.10.10h
.RR
R.Ri
i.i
Vi
4 ie f ie f
' L '
L
' L
1010
1h
R
1h
R
V.V
1V
L '
L i
L
i.i
i0Vi
10h
.RR
Ri
i.i
ii
i
3
3 fe
L C
C b
C C
L b
4 4 ie
f
f i
1010
10h
R
Ri
Trang 35c- Tính Aif, Zif, Zof.
2,855,41
50T
910T
10T
50h
Z
;Z
?i
iA
KL i io
L i
a- Tính độ lợi vòng T (cho ii = 0)
' L
1 1
2 2
L i
' L
L
V
i.i
i.i
V0iV
3 4
3 4
2 fe 2 C f
2 C f 2
2 C 2 C
L 2 L
10.5,8350.10.67,150.10.210
10.2.10
h.RR
R.Ri
i.i
Vi
C
R111K
RC11K
RE1100
R2210K
R1210K
RC22K
RE21K
iC1
hfe1ib150ib1
Rf10K
ib2
hfe2ib250ib2
Rf.hfe15.105
RE1hfe15K
V’ L
+-
Rb1
890
Trang 36
46,1210
.5,210.83,0
50.10.83,0
hhR//
R
R//
Ri
i.i
iii
3 3
3
1 fe 2 ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
5 3
3 3
1 fe f 1 E 1 fe 1 ie 1
1 fe 1 E '
L 1
10.2,110.210.5
1
10.510.5,2890
10.5
'Rh.R
1.R.hhR
h.RV
2 2
L i
L
i.i
i.i
Vi
V
2
Li
i
và 1
2i
i tính như trên theo công thức (2), (3)
10.95,410.5,2890
890h
RRh
R
Ri
i
3 3
1 fe f 1 E 1 ie 1
1 i
Ai = (-83,5mA 103).(-12,46).(0,107) = 111.103V/A = 111V/mA
Zi = Rb1//[hie1 + (RE11//Rf)(1 + hfe)] = 890 //[25mA.00 + 495mA.0] = 795mA.
Zo = Rf = 10K
c- Tính AVf, Zof, Zif
mA
V49A
V10.4925,11
10
111T1
10T
C
R111K
RC1500
R
R2210K
R121K
RC2500
RE2282C
RE1122
C
RE2122
Trang 37Z
;Z
?A
KL i oV
a- Tính độ lợi vòng T (cho Vi = 0)
' L
1 1
2 2
L i
' L
L
V
i.i
i.i
V0iV
R.Ri
i.i
Vi
2 fe 2 C f
2 C f 2
2 C 2 C
L 2
6460462
1050323
20.323
hh1RhR//
R
R//
Ri
i.i
ii
i
1 fe 2 fe 21 E 2 ie 2 1 C
2 1 C 1
1 C 1 C
2 1 2
3
1 i 1 ie 1 fe f
11 E
1 fe f
11 E 1
fe f
, L ,
L
' L 1
10.88,104
,41546
10
4524
,4761050452
452
10.211
R//
rhh1R//
R
h1R//
R
h1R
V.V
1V
2 2
L i
L
i.i
i.i
VV
V
2
Li
V
và 1
2i
i tính như trên theo công thức (2), (3)
-hfe1ib120ib1
RCb2910
RE11(1+hfe1)462
iC1
V’ L
+-
ri 1K
RC1500
Rb1910
ib1
RE11(1+hfe1)462
ri
1K
hie1 1050
V’ L
Rf(1+hfe1)