1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN “Giáo trình mạch điện tử I” potx

38 410 2
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Một Số Bài Tập Mẫu Cho Quyển “Giáo Trình Mạch Điện Tử I”
Tác giả Nhóm Tác Giả
Người hướng dẫn P. GS. Nguyễn Văn A
Trường học Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội
Chuyên ngành Kỹ thuật Mạch Điện Tử
Thể loại Sách hướng dẫn bài tập
Năm xuất bản 2023
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 38
Dung lượng 0,94 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN“Giáo trình mạch điện tử I” Chương I: DIODE BÁN DẪN... Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin... b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Di

Trang 1

MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN

“Giáo trình mạch điện tử I”

Chương I: DIODE BÁN DẪN.

I Diode bán dẫn thông thường:

1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu : (Bài 1-1 trang 29)

Công thức tổng quát tính VL:

L L i

D S

RR

VV

a- Vẽ V L (t) với V S (t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V

Kết quả với giả thiết: Ri = 1, RL = 9, VD = 0,7V

Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên:

7,010

7,01

b- Vẽ V L (t) với V S (t) dạng sóng sin có biên độ 10 và 1V.

+VD

-10

-100 1 -

-++

VS

1 -10 1 - -

++

Trang 2

 Khi VS = 10sinot nghĩa là VSm = 10V >> VD =0,7V ta có:

9991

10R

RR

V

L i

Sm 1

VL1  0(Ta giải thích theo T 0

7,0tsin1

+ VS < 0,7V, Diode tắt, iD = 0, iL = 0, VL = 0

Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin

2) Bài 1-3: Để có các kết quả rõ ràng ta cho thêm các giá trị điện trở: R1 = 1K,

7,010R

RR

VV

3 3

L L i

D S 1

7,01R

RR

VV

3 3

L L i

D S 2

10R

RRR

V

3 4

3 L L b i

S 1

1R

RRR

V

3 4

3 L L b i

S 1

Ri=1K

VL

Vs

+-

+ VD

-Rb=10K

10

-100 1 -

-++

VS

1 -10 1 - -

++

VS

Trang 3

b- Vẽ V L (t) với dạng sóng sin có biên độ 10V và 1 V.

 Để đơn giản khi VSm = 10V (>>VD = 0,7V) ta bỏ qua VD Khi đó:

tsin10R

RR

S 1

tsin10R

RRR

V

3 4

L L b i

S 1

7,0tsin1RRR

7,0tsin1

3 3

0 L

L i

0 2

tsin7,0R

RRR

tsin7,0

3 4

3

0 L

L b i

0 2

tsin1R

RRR

tsin1

3 4

3

0 L

L b i

0 2

Trang 4

2) Dạng mạch Thevenin áp dụng nguyên lý chồng chập:

Bài 1-20 với Vi(t) = 10sin0t

a- Vẽ mạch Thevenin:

Áp dụng nguyên lý xếp chồng đối với hai nguồn điện áp VDC và Vi:

 Khi chỉ có VDC, còn Vi = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K:

V310.5,110

10.5,15rR

rV

i i

i DC

10t

sin.10rR

RV

i i

i i

RVrR

rV

i i

i i i i

i DC

10.5,1.10R

rR

r

R

3 3

3 3

L i i

i i T

b- Vẽ đường tải DC khi

2

,3

,2

,3,0t0

-Vi

+-

iD

RL1,4K

Ri=1K

VDC=5v

KA

Trang 5

 Tại 0,46(V)

2

343V3

D T

R

VV.R

1R

VV

10.2

37,0.10.2

1i

46,67,0.10.2

1i

77,0.10.2

1i

46,07,0.10.2

1i

17,0.10.2

1i

2

c- Vẽ

3 4sin t 2,1 2,8sin t(V)7

,0V7,0

10.2

V10.4,1Rr//

R

VR

R

V.Ri

R)t(V

0 0

T

3 T 3 L

i i

T L

T

T L D L L

II Diode Zenner:

-iD (mA)3,15

2,881,15

3 6,46 7-1

VT

t

VL

0-0,72,14,9V

t

Trang 6

1) Dạng dòng IL = const (bài 1-40); 200mA  IZ  2A, rZ = 0

42

,1

18

22I

VV

R

min Z

Z min i i

18

28I

VV

R

max Z

Z max i iVậy Ri = 3,3

b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner:

Z i i

min L max Z

Z i

II

VVR

II

VV

1013

1016

RimaxVậy ta lấy Rimax = 30

b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner.

PZmax = IZmax.VZ

Mặt khác: Vimax = IZmaxRi + VZ

RL

VZ=10v13v<VDC<16v

Ri I

Z

VL

IL

Trang 7

 200mA

30

1016R

VV

I

i

Z max i

 Izmax Imax  ILmin 0,2 0,010,19190mA

 Pzmax 0,19101,9W

3) Dạng IZ  const; IL  const (Bài 1-42)

30  IL  5mA.0mA, IZmin = 10mA

rZ = 10 khi IZ = 30mA; Pzmax =800mW

a- Tìm Ri để Diode ổn định liên tục:

mA8010

8,0V

PI

Z

max Z max

Vậy 10mA  IZ  80mA

Ta có: Imin = IZmin + ILmax = 60mA

Imax = IZmax + ILmin = 110mA

Mặt khác: Vimin = Imin.Ri + VZ = 20V

   166,7

06,0

1020

Rimax

Vimax = Imax.Ri + VZ = 25mA.V

   136,36

11,0

1025

RiminSuy ra: 136,4  Ri  166,7

5,1215005,020

mA30IkhiV

5,1515003,020150IV

L

L Z

5,1715005,025

mA30IkhiV

5,2015003,025150IV

L

L Z

ZTương ứng ta tính được các dòng IZ:

mA7,36150

105,15

IZ1    ; 16,7mA

150

105,12

IZ2   mA

70150

105,20

150

105,17

IZ4    ;

-RL

VZ=10v20v<VDC<25v

8070

1020,5 17,5 15,5 VZ =10V 0

rZ =10

16,712,5

Trang 9

Chương II: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP

I Bộ khuếch đại R-C không có C C và không có C E (E.C).

1) Bài 2-10: 20    60, suy ra ICQ không thay đổi quá 10%

 Phương trình tải một chiều:

VCC = VCEQ + ICQ(RC + RE)

mA81010.5,1

5

25R

R

VV

E C

CEQ CC

b E 1

10

1RRR10

1

2 b

3 1

BB

7,0VI

, nếu coi VBB  const thì ta có:

9,0RR

RRI

I

1

b E 2

b E 2 CQ

1 CQ

b E 2

b E

9,01RR1,0

RR9,0

RR

10020

9,060

1,1.10

09,01

R1,0

1 2

E b

Trang 10

7,81

110.5,3V

V1

1R

CC BB b

2510.5,3V

VR

BB

CC b 2

 Ta có thể tính tổng quát: Chọn Rb = 4K thay vào (1):

%9,881200106720

10.410

60

10.410I

I

3 3

3 3

2 CQ

1 CQ

10.310

60

10.310I

I

3 3

3 3

2 CQ

1 CQ

mãn bất phương trình (1), ta tính tiếp như trên

2) Bài 2-11: Với hình vẽ bài (2-10) tìm giá trị cho R1, R2 sao cho dòng iC xoay chiều có giá trị cực đại

 Điểm Q tối ưu được xác định như sau:

AC Ö CQT TÖ

CEQ

AC DC

CC TÖ

CQ max Cm

R.IV

RR

VI

1025

7,51

110.10V

V1

1R

CC BB b

V

E C

1 ACLL

DCLL

QTƯ

0

Trang 11

VR

BB

CC b 2

Vì RDC = RAC nên phương trìng tải DC và AC trùng nhau

3) Bài 2-14: Điểm Qbất kỳ vì biết VBB = 1,2V;  = 20 Tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C và tính 

Biết  = 20, VBEQ = 0,7V

50100

7,02,

1R

R

VVI

b E

BEQ BB

 Vậy giá trị tối đa của dao động là:

ICmmax = iCmax – ICQ = 5mA.,45mA – 3,3 = 2,15mA.mASuy ra VLmax = ICmmax.RC = 2,15mA 103.10-3 = 2,15mA.V

 PCC = ICQ.VCC = 3,3.10-3.6 = 19,8mW

  2,15.10  10 2,31mW

2

1R.I

Hiệu suất: 11,7%

10.8,19

10.31,2P

P

3 3 CC

II Bộ KĐRC không có C C , C E (tụ bypass Emitter) (EC)

1) Bài 2-15mA.: Điểm Q bất kỳ.

=100; VBEQ=0,7v

45 , 5 R

DCLL

Trang 12

a- Tìm R1, R2 để ICQ = 01mA (Rb <<  R E)

Vì Rb << RE nên ta có:

A10mA10R

7,0V

1010

7,11

10V

V1

1R

CC BB b

1010V

VR

BB

CC b 2

b- Để tìm ICmmax với R1, R2 như trên ta phải vẽ DCLL và ACLL:

VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 10 – 10-2.25mA.0 = 7,5mA.V

Từ hình vẽ ta nhận thấy để ICm lớn nhất và không bị méo thì ICmmax = 10mA

Ta có thể tìm iCmax và VCemax theo phương trình

C CQ

R

1I

150

5,710R

VI

C

CEQ CQ

max

Cho iC = 0  V I R V 10 1.150 7,5 9V

CEQ C

CQ max

2) Bài 2-16: Điểm Q tối ưu (hình vẽ như hình 2-15mA.).

Để có dao động Collector cực đại ta có:

Trang 13

AC DC

CC Ö

CQT max

VI

1010

2,31

10V

V1

1R

CC BB b

1010V

VR

BB

CC b 2

Để vẽ ACLL, rất đơn giản ta chỉ cần xác định:

iCmax = 2ICQTƯ và VCemax = 2VCEQTƯ.

900

900R

R

RRR

L C

L C AC

R

V

E C

CC 

RL=900K

Trang 14

VI

I

DC AC

CC Ö

CQT max

1010

4,11

10V

V1

1R

CC BB b

1010V

VR

BB

CC b 2

Ta có dòng xoay chiều:

V1,3V

mA45,39,6900900

900I

RR

RI

Lm

Cm L C

C Lm

2) Vẫn bài 2-20 nếu ta bỏ tụ CE thì ta sẽ có bộ khuếch đại R.C có CC mà không có

CE Khi đó kết quả tính toán sẽ khác rất ít vì RE << RC, RL

900.900100

RR

RRR

R

L C

L C E

AC

mA45,655010

10R

R

VI

AC DC

CC max

Cm Ö

R

V

E C

Trang 15

345,11

10V

V1

1R

CC BB b

1010V

VR

BB

CC b 2

mA225,310.45,6.900900

900I

RR

R

Cm L C

IV Bộ KĐ R.C mắc theo kiểu C.C.

1) Bài 2-22: Mạch có thiên áp Base.

* Đây là dạng bài điểm Q bất kỳ vì đã biết R1, R2

V525.10.2010.5

10.5V

RR

R

2 1

10.410.2

7,0

5R

R

7,0V

3 b

1 ACLL

100

1 DCLL

R15K

Trang 16

Từ hình vẽ ta thấy: ICQ < ICQTƯ nên ICm = ICQ = 2,1mA

mA05,110.1,2.10.210.2

10.2I

RR

R

3 3

3 Cm

L E

R

1I

RRR

R

L E

L E C

AC

Cho VCE = 0 suy ra 11,45mA

10.2

7,1810

.1,2R

VI

AC

CEQ CQ

iC = 0 suy ra V V R I 18,7 2.103.2,1.10 3 22,9V

CQ AC CEQ max

25R

R

V

AC DC

CC Ö

2) Bài 2-24: Mạch được định dòng Emitter.

Theo định luật K.II: Vkín = 0 ta có

RbIBQ + VBEQ + RE.IEQ –VEE = 0

100

7,0

10R

R

7,0VI

b E

Trang 17

 93.10 46,5mA

100100

100I

RR

R

Em L E

R

1I

+ Cho VCE = 0 suy ra 214mA

R

VI

i

AC

CEQ CQ

max

+ Cho iC = 0 suy ra

V675,1050.10.9305,6RIV

AC CQ CEQ

RRR

L E

L E

mA100A1,050150

20R

R

VI

DC AC

CC Ö

VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 5mA.V

R

V V

E C

EE CC

Trang 18

Chương IV :

THIẾT KẾ VÀ PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP.

I Sơ đồ mắc Emitter chung E.C:

1) Bài 4-7: Q bất kỳ

a- Chế độ DC

K3205,3

20.5,

3RR

RRR

2 1

2 1

5,3V

RR

R

2 1

10.3500

7,03

.6,4

10.25h.4,1

hie fe 33

b- Chế độ AC:

i

b b

L i

L

ii

ii

i

50100.10.5,110.5,1

10.5,1h

.RR

Ri

ii

ii

i

3 3

3 fe

L C

C b

C C

L b

ib

Rb3K

ii

RC1,5K

-CE

+-

R13,5K

Trang 19

-  0,61

76010

.2,1

10.2,1h

R//

R

R//

Ri

i

3 3 ie

b i

b i i

1

R 2  2 E    b  , bỏ qua IBQ

mA8350

10010

7,07,

1RR

7,0VI

1

b E

BB 1

7,07,

1R

7,0VI

E

BB 2

.83

10.25.50.4,1

.100

10.25.150.4,1

hie2 33suy ra 21  hie  5mA.2,5mA.

b- Chế độ AC:

ie b

b fe L C

C i

b b

L i

L

R.h.RR

Ri

ii

ii

iA

100.50.100100

100

150.100100

CE

+-

iL

RE10

Trang 20

7,07,5h

RR

7,0V

3 fe

b E

.5,4

10.25.100.4,1

b- Chế độ AC:

b L L

ii

ii

ii

RC2K

ii

RC100

iL

feib RL = 100

Trang 21

.RR

Ri

ii

i

i

i

fe L C

C b

C C

L b

10R

hhR

Ri

i

5 4

4 E

fe ie b

b i

II Sơ đồ mắc B.C: Bài 4-21, hoe = 104

1) Chế độ DC:

91,011

10h1

hh

10.25.10.4,1.11

1h1

h

fe

ie ib

5 4

L i

L

ii

VV

iL1/hob

105

iC

hfbie0,91ib

hib32

ie

Ri 50

Vi+-

Trang 22

,0.1010

10.10h

.h

1Rh

1Ri

i.i

Rii

V

5 4

5 4 fb

ob L

ob L e

C C

L L e

1h

R

1h

R

V.V

1V

i

ib i ib

i

i i

Thay vào (1) ta được AV = (-827).(-0,012) = 10,085mA  10

III Sơ đồ mắc C.C: Bài 4-23

1) Chế độ DC

VCC = IBQRb + VBEQ + REIEQ

mA65,4100

1010

7,0

10R

R

7,0V

3 b

hie 753

ib

Rb100K

Re.hfe100K

RL.hfe100K

Zi hie/hfe 7,53

ie

RE1K

ri/hfe5

Rb/hfe1K

Trang 23

10.25h,1

hie fe 33

i

b b

L i

L

VV

VV

500.100

R//

Rhhi

R//

Rh.iV

V

L E fe ie b

L E fe b b

K3,33R

r

RR

r

V.R.V

1V

V

3 '

b i

' b '

b i

i ' b i i

rh//

R

fe

b i ib E o

Trang 24

-Chương VI: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG.

10.7.10.3R

R

R.R

21 11

21 11 1

suy ra, không được bỏ qua IBQ1;

V310.10.710.3

10.3V

.RR

R

21 11

11 1

2100100

7,03h

RR

7,0VI

1 fe

b E

1 BB 1

EQ

1 1

.2,16

10.25.50.4,1I

10.25.h4,1

1 EQ

3 1

fe 1

10.9

10R

R

R.R

22 12

22 12 2

suy ra, được bỏ qua IBQ2;

V110.10.910

10V

.RR

R

22 12

12 2

3,050

900250

7,012h

RR

7,0VI

2 2 E

2 BB 2

.2,1

10.25.50.4,1I

10.25.h,1

2 EQ

3 2

fe 2

ie

b - Chế độ AC

i

1 1

2 2

L

i.i

i.i

i

50h

.1i

i.i

ii

i

2 fe 2

2 C 2 C

L 2

ii h108ie1 50ib1 R200C1 R900b2 h1458ie2 50ib2 R2KC

Trang 25

 

06,550.1458164

164

h.hR//

R

R//

Ri

i.i

ii

i

1 fe 2 ie 2 1 C

2 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

2100h

R

Ri

i

1 ie b

b i

R

1I

Từ đặc tuyến DCLL và ACLL ta có ICmmax = 1,2mA

Bài 6-2: Điểm Q tối ưu nên phải tính tầng thứ hai trước, tầng 1 sau.

a- Chế độ DC:

RDC2 = RC2 + RE2 = 225mA.0; RAC2 = RC = 2K

mA35,220002250

10R

R

VI

2 AC 2 DC

CC Ö

T 2

.35,2

10.25.50.4,1I

10.25.h4,1

2 EQ

3 2

fe 2

ie

RDC1 = RC1 + RE1 = 200 + 100 = 300;

RAC1 = RC1//Rb2//hie2 = 200//900//745mA  134,4

mA234,134300

10R

R

VI

1 AC 1 DC

CC Ö

T 1

1 ACLL

ICQ = 1,2

ICmmax

Trang 26

10.25.50.4,1I

10.25.h4,1

1 EQ

3 1

fe 1

2100

745164

164.2500h

R

R.hR//

R

R//

Rh

.hA

1 ie b

b 2

ie 2 1 C

2 1 C 2

fe 1 fe

10R

R

V

2 AC 2 DC

CC Ö

T 2

.7,6

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

2 EQ

3 2

fe 2

.h10

1

2 E 2 fe 2

1010

4,71

10V

V1

R

CC

2 BB

b 12

1010V

VR

2 BB

CC b 22

10R

R

VI

1 AC 1 DC

CC Ö

T 1

,11

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

2 EQ

3 1

fe 1

1010

834,11

10V

V1

R

CC

1 BB

1 11

1010V

VR

1 21

Trang 27

b- Chế độ AC:

i

1 1

2 2

L

i.i

i.i

V

L E fe 2

10.385100

.50500522

385

385

h.R//

Rh1hR//

R

R//

Ri

i.i

iii

2

1 fe L E fe 2

ie 2 1 C

2 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

10h

R

Ri

1 ie 1

1 i

Rh//

R

2 fe

2 1 C 2 ib E o

3) Dạng bài hỗn hợp E.C – C.C: Bài 6-4

Tìm R để

i

02 i

01

i

Vi

2 2

01 i

01

i

i.i

i.i

Vi

Rb210K

hie2 522

(1+hfe)RL101K

(1+hfe)RE101K

RE1K

Ri100K

ii

hie2 1K

100ib1

RC11K

Rb21K hfe2RE25050

ib3

Trang 28

1 1

2 2 E 2 fe i

02

i

i.i

i.R)h1(i

3 3

01 2

01

i

i.i

i.i

Vi

V

Từ (5mA.) suy ra

2 E 2 fe 2

fe 3 E 3 fe 3

ie 2

C

2 C 3

E 3 fe 2

R)h1(hRR

R

R)h1(i

.505010

R10

10

V

Từ (2) ta có:

50505050

1010.9310

10.10.5050

R)h1(hRR

h.R.R)h1(i

ii

ii

Vi

V

3 3 3

2 3

3 E 3 fe 3

ie 2

C

2 fe 2 C 3 E 3 fe 2

2 C 2 C

3 3

01 2

10

550501000

500

100.500

h.R)h1(hR//

R

R//

Ri

i.i

ii

i

4

1 fe 2 E 2 fe 2

ie 2 1 C

2 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

10h

R//

R

R//

Ri

i

3 3 3 1

ie 1 i

1 i i

Rh

//

RZ

3 fe

2 C 3 fe 3 ib 3 E o

RE350

Zo

hib3 10R/hfe3 930

Rc2

hfe3 =10

Trang 29

II Transistor mắc vi sai và Darlingtơn

1) Bài 6-23: E.C – E.C.

a- Chế độ DC

V25,29.10.310

10V

.RR

RV

21 11

11 2

BB 1

7,025,2h

RR2

7,0VI

fe

b E

1 BB 2

EQ 1

I

RV

VRE4  CC  C2 CQ2  BE3  BE4    

mA6260

725,

3R

VI

I

4 E

R 4 EQ 4

mA62,010

10

62h

II

I

fe

4 CQ 4 BQ 3 EQ 3

.55,1

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

1 EQ

3 1

fe 1

.62,0

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

1 EQ

3 3

fe 3

.62

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

1 EQ

3 4

fe 4

iL

ib3

R11K

RE1500

T1 T2

RC22,5K R3K22

R121K

T3

T4

RC4=RL60

RE460

hfe=100

iC4

hie1

hfe2ib2100ib2

RL(1+hfe)RE1

(1+hfe)ib4

ii

hie3

RC22,5K

hie2

Trang 30

1 h  5mA.00.101 5mA.05mA.00R

E

i

1 1

2 2

3 3

L i

L

i.i

i.i

i.i

ii

i

1 h 1 h  101.101 10201i

i

4 fe 3

fe 3

3

' 4 E 4 ie fe 3

ie 2 C

2 C 2

3

10,4605,631

5,2

10.76,61757005645

10.5,2

10.5,2

Rhh1hR

Ri

hi

ii

ii

i

2 fe 1

2 2

2 1

E 1 ie b

b i

28322258

750

750R

hR

Ri

R’ E50,5K

Zo

(1+hfe)2ib310201ib3

ii

hie35645

RC22,5K

Rb750

R’ E4618K

ib1 ib2 h5700ie4(1+hfe)

Rb1750

RC11K

Rb210K

R

VBB21V

T4

T5

RC21K

VBB1 1V

E610

T6

Trang 31

a- Chế độ DC

Áp dụng định luật K.II Vkín = 0 cho vòng 2 ta có:

VBE3 + IEQ3RE3 – VEE = 0 (1)

mA3,210

7,0

3R

VV

3 E

3 BE EE 3

mA15,12

II

2 EQ 1

VCE1 = VCE2 = VCC – RC1ICQ1 – VE1 (2)Mặt khác áp dụng định luật K.II Vkín = 0 cho vòng 1 ta có:

= 3 + 0,185mA – 103.2,3.10-3 = 0,885mA.V

VRE6 = VCC – RC2ICQ2 – VBE4 - VBE5mA. - VBE6

= 6 – 103.1,15mA 10-3 – 2,1 = 2,75mA.V

mA27510

75,2R

VI

6 E

6 RE 6

VCE6 = VCC – VRE6 = 6 – 2,75mA = 3,25mA.V

VCE5mA. = VCE6 – VBE6 = 3,25mA – 0,7 = 2,5mA.5mA.V

VCE4 = VCE5mA. – VBE5mA. = 2,5mA.5mA – 0,7 = 1,85mA.V

.15,1

10.25.100.4,110.15,1

10.25.h4,1

hie1 fe1 33 33

mA75,2h

II

6 fe

6 EQ 5

5 EQ 4

.275

10.25.100.4,1I

10.25.h4,1

6 EQ

3 6

fe 6

R

i

2 2

4 4

L i

L

i.i

i.i

Vi

Zo

Zi

ii

hie4127,2K

RC21K

Rb2

’ E6

ib1

Rb110K

hie2 3043 ib4

ib2

hie5.hfe4127,2K

hie5.hfe4.hfe5127,2K

Trang 32

4 4

2 7

3 3

2 3

' 6 E 4 ie 2 C

2 fe 2 C 2

2 C 2 C

4 2 4

10.3,9610

6,3811

1010

10.6,38110

10.10

RhR

h.Ri

i.i

iii

10

Rh2R

Ri

ii

i

4 3 4

4 2 1 ie 1

1 i

1 i

R//

R

fe

4 ie 3

fe

2 C 6 E o

Chương VII: MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP.

I Hồi tiếp áp, sai lệch dòng.

K1hGT

iA

?

TKL

i

L iĐây là dạng hồi tiếp áp, sai lệch dòng

Zo

RE6

3hie4

h3 fe

=0,381

Rc2

h3 fe

10

V1

ii

RE221K

Rf 10K

RC12K

RC22K

iL

RL100

+VCC

RE211K

Trang 33

a- Tính độ lợi dòng T: cho ii = 0

' 1

1 1

2 2

1 i

' 1

1

V

i.i

i.i

V0iV

E 2

8010

.4110.411010.2

40.10.2

h1Rh

1RhR

h.Ri

i.i

iii

3 3

3 3

3

2 fe 22

E 2 fe 21

E 2 ie 1 C

1 fe 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

4 1 ie f 1 ie f

' 1 '

1

' 1

1010

1h

R

1h

R

V.V

1V

i

A  cho V’1 = 0

i

1 1

2 2

L i

L

i.i

i.i

ii

i

6,3940.1010.2

10.2h

.RR

Ri

i.i

ii

i

3

3 2

fe L 2 C

2 C 2

2 C 2 C

L 2

i1

2

 (như (3) ở phần trên) (3)

2 3

4 4 1

ie f

f i

1010

10h

R

Ri

34T

910T

10

2T1

Trang 34

Z

;Z

?i

iA

KL i io

L i

hie = hib.hfe = 10.100 = 1K

a- Độ lợi vòng T: cho ii = 0

' L

b b

L i

' L

L

V

i.i

V0iV

3

2 3 3 fe

L C

C L

b

C C

L b

1010

10.10.10h

.RR

R.Ri

i.i

Vi

4 ie f ie f

' L '

L

' L

1010

1h

R

1h

R

V.V

1V

L '

L i

L

i.i

i0Vi

10h

.RR

Ri

i.i

ii

i

3

3 fe

L C

C b

C C

L b

4 4 ie

f

f i

1010

10h

R

Ri

Trang 35

c- Tính Aif, Zif, Zof.

2,855,41

50T

910T

10T

50h

Z

;Z

?i

iA

KL i io

L i

a- Tính độ lợi vòng T (cho ii = 0)

' L

1 1

2 2

L i

' L

L

V

i.i

i.i

V0iV

3 4

3 4

2 fe 2 C f

2 C f 2

2 C 2 C

L 2 L

10.5,8350.10.67,150.10.210

10.2.10

h.RR

R.Ri

i.i

Vi

C

R111K

RC11K

RE1100

R2210K

R1210K

RC22K

RE21K

iC1

hfe1ib150ib1

Rf10K

ib2

hfe2ib250ib2

Rf.hfe15.105

RE1hfe15K

V’ L

+-

Rb1

890

Trang 36

 

46,1210

.5,210.83,0

50.10.83,0

hhR//

R

R//

Ri

i.i

iii

3 3

3

1 fe 2 ie 2 1 C

2 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

5 3

3 3

1 fe f 1 E 1 fe 1 ie 1

1 fe 1 E '

L 1

10.2,110.210.5

1

10.510.5,2890

10.5

'Rh.R

1.R.hhR

h.RV

2 2

L i

L

i.i

i.i

Vi

V

2

Li

i

và 1

2i

i tính như trên theo công thức (2), (3)

10.95,410.5,2890

890h

RRh

R

Ri

i

3 3

1 fe f 1 E 1 ie 1

1 i

Ai = (-83,5mA 103).(-12,46).(0,107) = 111.103V/A = 111V/mA

Zi = Rb1//[hie1 + (RE11//Rf)(1 + hfe)] = 890 //[25mA.00 + 495mA.0] = 795mA.

Zo = Rf = 10K

c- Tính AVf, Zof, Zif

mA

V49A

V10.4925,11

10

111T1

10T

C

R111K

RC1500

R

R2210K

R121K

RC2500

RE2282C

RE1122

C

RE2122

Trang 37

Z

;Z

?A

KL i oV

a- Tính độ lợi vòng T (cho Vi = 0)

' L

1 1

2 2

L i

' L

L

V

i.i

i.i

V0iV

R.Ri

i.i

Vi

2 fe 2 C f

2 C f 2

2 C 2 C

L 2

6460462

1050323

20.323

hh1RhR//

R

R//

Ri

i.i

ii

i

1 fe 2 fe 21 E 2 ie 2 1 C

2 1 C 1

1 C 1 C

2 1 2

3

1 i 1 ie 1 fe f

11 E

1 fe f

11 E 1

fe f

, L ,

L

' L 1

10.88,104

,41546

10

4524

,4761050452

452

10.211

R//

rhh1R//

R

h1R//

R

h1R

V.V

1V

2 2

L i

L

i.i

i.i

VV

V

2

Li

V

và 1

2i

i tính như trên theo công thức (2), (3)

-hfe1ib120ib1

RCb2910

RE11(1+hfe1)462

iC1

V’ L

+-

ri 1K

RC1500

Rb1910

ib1

RE11(1+hfe1)462

ri

1K

hie1 1050

V’ L

Rf(1+hfe1)

Ngày đăng: 07/08/2014, 19:20

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w