BÀI T P CU I CH NG BJT
3.1 Hãy d n xu t các ph ng trình c a Av, Aivà Rincho m ch khuy ch i CE nh hình P3.1
3.2 Tính Rin, Av, và Ai khi có RB= RL= 5kΩ, RE= 1kΩ, và hie= 0 cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.2 Choβ:
a)β= 200; b)β= 100; c)β= 10
3.3 Hãy xác nh Av, Ai và Rin cho m ch khuy ch i nh hình P3.2, khi có RB= RL = 5kΩ, hib=
40Ω,β= 300, và REcho b i:
a) RE= 1kΩ; b) RE= 0,5kΩ; c) RE= 100Ω; d) RE= 0
3.4 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.1, VBE= 0,6V, VCC= 12V,β= 300, PL(bình
quân l n nh t) = 100mW, và Av= - 10 Hãy xác nh R1, R2, Rin và Ai M c công su t tiêu tán trong transistor là bao nhiêu ?
3.5 Xác nh Avcho m ch khuy ch i hình P3.3, trong ó hie= 2kΩ, hre= 0, hfe= 200, và 1 hoc = 8kΩ
3.6 Cho m ch khuy ch i emitter-chung nh hình P3.4,
trong ó hie= 1kΩ, hoe= 10 S, và hfe= 50, v c tuy n cho
m i tr ng h p sau:
a) Ai = iL iinkhi cho RB << hie, nh m t hàm s c a giá tr
RL Cho RLbi n thiên t 0 n 500kΩ
b) Ainh m t hàm s c a RLnh ng cho hre= 0 = hoe
3.7 Cho m ch khuy ch i CE nh hình P3.5, xác nh
bi n thiên c a Aivà Rinn u hfec a transistor silicon bi n
thiên t 50 n 150
3.8 Hãy xác nh hie, Ai, Rin, vo vi và Rocho m ch khuy ch i CE nh hình P3.6, n u hfe= 100 và
hre= hoe= 0
3.9 Hãy so sánh các i n tr vào và các h s khuy ch i n áp c a các m ch khuy ch i t ng
ng ac nh hình P3.7
Trang 23.10 Hãy thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL= 3kΩ, Av
= - 10, VBE= - 0,7V,β= 200, Ai= - 10, và VCC= - 12V Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và dao ng c a n áp l n nh t trên RL
3.11 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.8, s d ng transistor pnp khi có RL= 4kΩ, Av=
-10, Ai = - 10, VBE = 0,7V, β = 200, và VCC= 15V Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, và dao
ng c a n áp ra nh- nh l n nh t
3.12 Thi t k m ch khuy ch i CE nh hình P3.4, s d ng transistor npn khi có RL= 9kΩ, Av=
-10, Ai= - 10, VBE= 0,7V,β = 200, và VCC= 15V Xác nh t t c tr s c a các c u ki n, Rin, và dao
ng c a n áp ra nh- nh l n nh t
3.13 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 25 khi có Rin= 5kΩ,
RL = 5kΩ, VCC = 12V,β = 200, và VBE= 0,7V Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, h s khuy ch
i dòng i n, và dao ng c a n áp ra l n nh t S d ng m ch hình P3.8, nh ng v i transistor
npn.
3.14 Phân tích m ch hình P3.9 và xác nh các yêu c u sau khi cóβ= 300, và VBE= 0,6V
a) ICQ và VCEQ
b) dao ng n áp ra không nhi u
c) Công su t c cung c p t ngu n cung c p
d) H s khuy ch i n áp
e) Các ng t i
3.15 Thi t k m ch khuy ch i CE nh n c h s khuy ch i n áp là - 10 khi có Rin= 2kΩ,
RL = 4kΩ, VCC = 15V, VBE= 0,6V, vàβ = 300 M ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n
áp ra không b méo d ng 2V, nên vi c thi t k c n ph i th c hi n tiêu hao m c dòng nh nh t t ngu n cung c p dc Xác nh tr s c a t t c các c u ki n và h s khuy ch i dòng i n
Trang 33.16 Thi t k m ch khuy ch i có h s khuy ch i toàn b là - 15 khi i n áp vào có tr kháng
c a ngu n (Ri) là 2kΩ và b khuy ch i t có Rin= 4kΩ, VBE= 0,7V, vàβ = 200 (xem hình P3.10)
m ch khuy ch i c n ph i cho dao ng c a n áp ra l n nh t Xác nh tr s c a t t c các c u
ki n, h s khuy ch i dòng i n Aivà dao ng c a n áp ra l n nh t
3.17 Thi t k m ch khuy ch i nh m ch hình P3.11, có h s khuy ch i là - 200 v i n tr vào là 1kΩ Xác nh tr s c a t t c các c u ki n, và dao ng c a n áp ra l n nh t khi cóβ =
400 và VBE= 0,7V
3.18 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.12, u khi n t i 200Ω s d ng
transistor silicon pnp VCC= - 24V, = 200, Ai= 10, và VBE= - 0,7V Hãy xác nh tr s c a c u ki n
và tính Rin, ICQ, và dao ng n áp ra i x ng không méo d ng i v i m i tr s c a REcho d i ây:
a) RE= RL
b) RE= 0,2RL
c) RE= 5RL
So sánh các k t qu tính b ng bi u
3.19 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình 3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 500Ω,
VBE = 0,7V, Ai= 25,β = 200, và VCC= 15V Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t
3.20 Thi t k m ch khuy ch i EF lái t i 8Ω, khi có = 60, VCC = 24V, VBE= 0,7V, Av= 1, và Ai
= 10 S d ng m ch nh hình 3.11a Hãy xác nh tr s c a c u ki n, dao ng n áp ra, Rin
3.21 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, s d ng transistor npn v i RL = 1500Ω,
VBE = 0,7V, Ai = 10,β= 200, và VCC= 16V Hãy xác nh tr s c a c u ki n, Rin, Av, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t
3.22 Phân tích m ch nh hình P3.13, và xác nh các yêu c u sau khi cóβ= 300 và VBE= 0,6V:
a) ICQvà VCEQ
b) dao ng c a n áp ra không méo
c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p
d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng)
e) Các ng t i
3.23 Thi t k m ch khuy ch i EF nh m ch hình P3.11a, u khi n t i 10Ωv i VCC = 24V,
VBE= 0,6V, Av= 1, Rin= 100Ω, vàβ= 200 Hãy xác nh tr s c a t t c c u ki n, Rin, và dao ng
i n áp ra i x ng l n nh t
3.24 Phân tích m ch nh hình P3.14, khi cóβ= 100 và VBE
= 0,7V và xác nh các yêu c u sau:
a) ICQvà VCEQ
b) dao ng c a i n áp ra không méo
c) Công su t c n thi t t ngu n cung c p
d) Công su t ra l n nh t (ac không méo d ng)
e) Các ng t i
3.25 Thi t k m ch khuy ch i CB (xem hình 3.13), có h
s khuy ch i n áp b ng 10 và t i 4kΩ S d ng β = 100,
VBE= 0,7V, VCC= 18V và RE = 500Ω Hãy xác nh tr s c a ICQ, R1, R2, RBvà dao ng c a n
áp ra H s khuy ch i n áp là bao nhiêu khi R1 c r m ch b ng m t t n có n d ng l n?
Trang 43.26 Thi t k m ch khuy ch i CB b ng cách s d ng các tr s cho bài t p 3.25 ngo i tr h s khuy ch i n áp là 100 Hãy xác nh tr s c a R1, R2, ICQ, RB và dao ng c a n áp ra l n nhât
3.27 Thi t k m ch khuy ch i CB có dao ng i n áp l n nh t và tr kháng vào th p nh t là
100Ω, RL = 8kΩ, VCC = 12V, và RE = 500Ω S d ng transistor npn có β = 200, và VBE= 0,7V Hãy xác nh tr h s khuy ch i n áp và tr s c a t t c n tr
3.28 Phân tích m ch khuy ch i CB có Rin, Av, và Vo(p-p) theo các tr s s d ng nh sau: VCC=
16V, R1= 2kΩ, R2= 25kΩ, RE= 200Ω, RC= RL= 4kΩ,β = 200, và VBE= 0,7V Base c n i t ac
nh hình 3.13
3.29 Hãy xác nh các tr s c a V1, V2, V3, V4, IC1, và IC2 c a m ch hình P3.15.β = 300 cho c hai transistor
3.30 Ghép tr c ti p m t m ch khuy ch i CE v i m ch EF (xem hình 3.15b)) cho dao ng
c a n áp ra là 4V v i các tr s nh sau: VCC= 12V, Av= 10, Q1cóβ= 200 và VBE= 0,7V, Q2có β
= 100 và VBE= 0,7V, và RE1= 100Ω L y RC= 4kΩ, và xác nh R1, R2, và RE
3.31 Cho m ch nh hình P3.16, xác nh các yêu c u sau khi cóβ= 400 và VBE= 0,6V:
a) i m-Q cho c hai m ch khuy ch i
b) dao ng c a n áp ra không méo l n nh t
c) V d ng sóng c a tín hi u ra
d) H s khuy ch i n áp vo vi
3.32 Cho m ch nh hình P3.17, khi có vi= 0,1sin 1000t V, xác nh i n áp ra (choβ= 200 và VBE
= 0,7V):
a) T u c c vo(+) n u c c vo(-)
b) T u c c vo(+) n t
3.33 Tính Ai, Av, và Rinc a m ch khuy ch i EF nh
hình P3.18, khi choβ= 200 và hib= 0
3.34 Hãy xác nh các h s khuy ch i dòng và áp
toàn b , n tr vào cho m ch khuy ch i ghép bi n
áp nh hình P3.19 S d ng transistor npn, v i a = 4,
R1 = 2kΩ, R2 = 4kΩ, VCC = 15V, β = 200, và RL =
500Ω B qua hie.
Trang 53.35 Tính Ai, Av, cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.20 Các transistor là silicon.
3.36 Hãy xác nh Ai, Av, cho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.21
3.37 Tính Ai, Av, và Rincho m ch khuy ch i hai t ng nh hình P3.22
3.38 Thi t k m ch khuy ch i CE b ng transistor npn có n áp ra l n nh t v i các yêu c u sau:
Av = - 20, Rin= 4kΩ, RL = 5kΩ, VCC= 12V, β = 300, VBE = 0,7V Xác nh tr s c a t t c các c u
ki n, dao ng c a n áp ra nh- nh không méo d ng, và h s khuy ch i dòng i n
3.39 Tính R theo các m c n áp dc có Vo = 0 cho m ch
hình P3.23 Tính ICQ1, ICQ2, Rin, Ro, và Av Bi t r ng, VBE = 0,7V
vàβ= 100 i v i c hai transistor
