Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I.. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1... Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET : 1... Đối vớ
Trang 1Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH
ĐẠI GHÉP RC
I Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor :
1 Tụ điện bypass emitter : H.1_1
L i
i
o ->o
->oo
E
+
i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
L i
Rb
1+hfe
hib
>
Rc ie Ce i
R Re
Đặt Rb'= hib
hfe
Rb
+ +
1 (1) => ii'= ( 2 )
R
R b
b
+ +
(khi không có ri)
Rb'= hib
hfe
R
+
1
//
(1') => ii'= ( 2 ' )
1 //
//
hib hfe
r R
r R i b
i b
+ +
(khi có ri)
Đặc biệt khi có Re1,Re2 như hình vẽ:
E
E
1
2 CE
R
R
ta sẽ có Rb'= ( 1 )
1
1
E R hib hfe
Rb
+ (có ri,có RE1)
Dạng hàm truyền tổng quát : Ai=Aim ( 3 )
2
1
ω
ω
+
+
s s
1
E ib i b
i b
R hfe
r R
r R
+ +
( có ri,có RE1)
Trang 2=-'
b
b
R
R
R
R b
b
+ +
(không có ri,không có RL)
1 //
//
//
hfe
r R
r R R
r
R
i b
i b b
i
b
+ +
−
= (có ri, không có RL)
1 //
//
//
1 '
E i
b
i b b
i
b
R hib hfe
r R
r R R
r
R
+ + +
−
= (có ri, có RE1, không có RL)
1 //
//
//
1 '
•
+ + + +
−
= +
E i
b
i b L
C
C L
C
C b
i
b
R hib hfe
r R
r R R
R
R R
R
R R
r
R
o
(có ri, có RE1 và có cả RL)
) 5
(
1
1
E
EC
R
=
ω
) 6 ( ) ' //
(
1
2
b E E
ω
( R'b thay đổi như trên)
Aio=Aim ( 7 )
2
1
ω
ω
2 Tụ ghép C c1 : H 1-7
i L L i
i
->oo
+ Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
Ai
Aim
A io
) / ( rad s
ω
ω
1
ω
L
ω
=
2
Trang 3i b
L i
<
ic
fbib
L h
hie
Đặt R'b=Rb//[hie+(1+hfe)RE] (1) ( không có tụ CE)
R'b=Rb//hie (1') (có tụ CE->∞ hoặc RE = 0 ) Dạng hàm tryền cơ bản : Ai=Aim
L s
s
ω
Aim
=-E
ib
b
i
R
h
R
r
+
'
//
(3) ( không có tụ CE, không có RL)
Aim
=-ib
b
i
h
R
r // '
(3') ( có tụ CE, hoặc RE=0)
0
Ai
Aim
=-E ib
b i L
C
C
R h
R r R
R
R
+
• +
' //
(3")
Aim ( không có tụ CE, có RL)
) '
(
1
b
i
L
R
r +
=
3 Các tụ ghép cực nền (C c1 ) và tụ ghép collector (C c2 ) :
L i
i
> iL
+ Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re
Rc
L
ω ω ( rad / s )
Trang 4i l
L
L
>
ib
fe
h
hie
Hàm truyền cơ bản :
Ai=Aim
2
s s
s (1)
ω 0
A i
A im
L
ω
Aim
=-E
b i L C
C
R hib
R r R R
R
+ +
' //
Aim
Ai
L
ω ω
ω1 2
) 4 ( ) (
1
&
) 3 ( ) ' (
1
2
2 1
1
c L C c
b
ω
Trường hợp ωo = ω1 = ω2khi đó :
Ai=Aim 2
2
)
s
ω
+ (5);
O
ω = 1 , 55 (6)
Trường hợp ω1 ≠ω2:
2
6 2
4 2
2 2
2 1
4 1
2 2
2 1
4 Ảnh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass :
L i
i
> iL
Ce +
Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
B3 : Tính Cc2 và Cc1 theo:
1
) ' ( 2
1
f
b i
L Cc = Π + (3)
tính CE B2 :
CE Cv
f
10
1
2
B1 :
E b i L
L
C R r f
) ' ( 2
1 + Π
=
Trang 5ω 2 ( ' ) 2
1
f
b i
0
II Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET :
1 Tụ bypass cực nguồn :
L
i ->oo
o ->o Rd
VDD
Cs Rs +
-Vi
Cc2
r Cc1
R Rg
l
rds
-+
Rd R
L
ω
) 1 /( μ +
Cs
Rs
) 1 ( μ +
i
V '
Aim
ds
mr
g
=
i i i g
g
r R
R
+
=
' (2) vì Rg >>ri
2
1
ω
+
+
=
=
s
s A V
V
i
L
'
v (3) Avm=-gmR// (4)
R//=rds//Rd//RL (5) ;
s
sC R
1
1 =
AVm
1
0
] ) //
( )
1 (
) //
( [
1
2
L d ds s
L d ds s
s
L
R R r R
R R r R
C
+ + + +
=
=
μ
ω
Avo=Avm
2
1
ω
ω
+
+
s
s
(8)
Trang 62 Tụ ghép cực máng :
Avm
L
A v
g i
R r
R
≈
L
i ->oo
->oo
>
i
+ Cc2
+
Cc1
Rd VDD
Cs Rs +
-Vi
r
R Rg
Hàm truyền cơ bản :
Av=Avm
L s
s
ϖ
+ (2)
Avm=-gmR// (3)
)] (
[
1
c L
R r R
=
Vi
r
Vgs
g Vgs m
V
RL Rd rds +
-Rg
3 Tụ ghép cực cổng :
L i
->oo
->oo
>L +
Cc2 +
Cc1
Rd VDD
Cs Rs +
-Vi
r
R Rg
Vi
r
Vgs g Vgs
m
>
iL +Cc1
RL Rd rds +
-Rg
Av=Avm
L
s
s
ϖ
+ (1)
Avm=-gmR// (2); R//=rds//Rd//RL (3) Avm
) (
1
1 i g
c
L
R r
=
Vì Rg thường rất lớn nên ϖL rất nhỏ Đối với FET méo tần số thấp chủ yếu do Cs gây ra