1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 19 doc

7 263 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 7
Dung lượng 611,86 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

ƒ p-channel MOSFET Cấu tạo: Đặc tuyến VA:... Nhận xét: p-channel FET iSD, vSD, vSG tương tự n-channel FET iDS, vDS, vGS 6.7.2 Depletion-mode MOSFET: ƒ So sánh: Khi vGS = 0: Enhancement-

Trang 2

6.6.5 Mạch tách pha (phase-splitting circuit):

Tín hiệu nhỏ: ids =

s

o d

o

R

v R

=

d

s

R

R

Nếu Rs = Rd ⇒ vo2 = - vo1 : Mạch tách pha

Để xác định Av1, Av2, Zo1, Zo2: Sử dụng pp phản ánh trở kháng với v2 = v3 = 0

d ds s

d i

o v

R r

R

R v

v A

+ + +

=

=

) 1 (

1

µ

d ds s

s i

o v

R r

R

R v

v A

+ + +

=

=

) 1 (

2

µ

Z o1 = R d //[r ds +(µ +1)R s]

1 1

//[

2 = s µds+ + µ +d

o

R r

R Z

Trang 3

6.6.6 Mạch khuếch đại cực cổng chung (CG):

Mạch CG:

ƒ Trở kháng ngõ vào:

Phản ánh vào mạch cực S:

⇒ Zi = Rsg =

1 +

+

ds R r

ƒ Trở kháng ngõ ra:

Phản ánh vào mạch cực D:

Trang 4

⇒ Zo = rds + (µ + 1)ri

Hệ số khuếch đại:

i ds

d

d i

d v

r r

R

R v

v A

) 1 (

) 1 (

+ + +

+

=

=

µ µ

Trang 5

6.7 Mở rộng

6.7.1 FET kênh p:

ƒ p-channel JFET

Cấu tạo:

Đặc tuyến VA:

Trang 6

ƒ p-channel MOSFET

Cấu tạo:

Đặc tuyến VA:

Trang 7

Nhận xét: p-channel FET (iSD, vSD, vSG) tương tự n-channel FET (iDS, vDS, vGS)

6.7.2 Depletion-mode MOSFET:

ƒ So sánh:

Khi vGS = 0: Enhancement-mode: Không có kênh dẫn giữa D và S Depletion-mode: Có kênh dẫn giữa D và S

⇒ Enhancement-mode: VTN > 0: Điện áp ngưỡng hình thành kênh dẫn

Depletion-mode: VTN < 0: Điện áp ngưỡng tắt kênh dẫn

ƒ Đặc tuyến:

Ngày đăng: 10/07/2014, 05:21

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w