p-channel MOSFET Cấu tạo: Đặc tuyến VA:... Nhận xét: p-channel FET iSD, vSD, vSG tương tự n-channel FET iDS, vDS, vGS 6.7.2 Depletion-mode MOSFET: So sánh: Khi vGS = 0: Enhancement-
Trang 26.6.5 Mạch tách pha (phase-splitting circuit):
Tín hiệu nhỏ: ids =
s
o d
o
R
v R
=
d
s
R
R
Nếu Rs = Rd ⇒ vo2 = - vo1 : Mạch tách pha
Để xác định Av1, Av2, Zo1, Zo2: Sử dụng pp phản ánh trở kháng với v2 = v3 = 0
⇒
d ds s
d i
o v
R r
R
R v
v A
+ + +
−
=
=
) 1 (
1
µ
d ds s
s i
o v
R r
R
R v
v A
+ + +
−
=
=
) 1 (
2
µ
Z o1 = R d //[r ds +(µ +1)R s]
1 1
//[
2 = s µds+ + µ +d
o
R r
R Z
Trang 36.6.6 Mạch khuếch đại cực cổng chung (CG):
Mạch CG:
Trở kháng ngõ vào:
Phản ánh vào mạch cực S:
⇒ Zi = Rsg =
1 +
+
ds R r
Trở kháng ngõ ra:
Phản ánh vào mạch cực D:
Trang 4⇒ Zo = rds + (µ + 1)ri
Hệ số khuếch đại:
i ds
d
d i
d v
r r
R
R v
v A
) 1 (
) 1 (
+ + +
+
=
=
µ µ
Trang 56.7 Mở rộng
6.7.1 FET kênh p:
p-channel JFET
Cấu tạo:
Đặc tuyến VA:
Trang 6 p-channel MOSFET
Cấu tạo:
Đặc tuyến VA:
Trang 7Nhận xét: p-channel FET (iSD, vSD, vSG) tương tự n-channel FET (iDS, vDS, vGS)
6.7.2 Depletion-mode MOSFET:
So sánh:
Khi vGS = 0: Enhancement-mode: Không có kênh dẫn giữa D và S Depletion-mode: Có kênh dẫn giữa D và S
⇒ Enhancement-mode: VTN > 0: Điện áp ngưỡng hình thành kênh dẫn
Depletion-mode: VTN < 0: Điện áp ngưỡng tắt kênh dẫn
Đặc tuyến: