Các thông số còn lại của quy cách vát mép đều phù hợp với tiêu chuẩn.. Điều này phù hợp vì đây là mối hàn nhiều lớp với thép tấm có chiều dày lớn t = 22 mm.. Việc chọn đường kính dây hàn
Trang 1Chương 12: Phân tích các quy trình
bán tự động khí
CO 2 : DQS -2G-GMAW-H; GMAW-H; DQS-3G-FCAW-H; DQS-4G-FCAW-H.
Trang 111/ Vật liệu cơ bản và vật liệu hàn:
a) Vật liệu cơ bản:
- Thép tấm dày 22 mm, cấp: AH36, phân loại: ASTMA131 thỏa mãn tiêu chuẩn VR, ABS và AWS.D1.1.2006
b)Vật liệu hàn:
- Quy trình DQS-3G-FCAW-H và DQS-4G-FCAW-H: nhãn hiệu CSF-71T, cấp: AWSE71-T, phân loại: AWSA5.20 thỏa mãn chuẩn: VR, ABS và AWS D1.1.2006
- Quy trình DQS-2G-GMAW-H và DQS-3G-GMAW-H nhãn hiệu: MC-50T; cấp: AWS ER70S, phân loại: AWS A5.18 thỏa mãn tiêu chuẩn: VR, ABS và AWSD1.1.2006
2/ Quy cách vát mép:
- Với chiều dày của vật liệu cơ bản là t = 22 mm, so sánh với
tiêu chuẩn vát mép ta thấy cả bốn quy trình đều có góc vát Ө = 450
là lớn hơn so với góc vát tiêu chuẩn là 300 +5 Các thông số còn lại của quy cách vát mép đều phù hợp với tiêu chuẩn
3/ Các thông số hàn:
a) Đường kính dây hàn:
- Cả ba quá trình đều sử dụng dây hàn có đường kính d = 1,2
mm cho tất cả các lớp hàn Điều này phù hợp vì đây là mối hàn nhiều lớp với thép tấm có chiều dày lớn (t = 22 mm) Việc chọn đường kính dây hàn d = 1,2 mm sẽ cho được tốc độ chảy lớn, dễ hàn nhiều lớp và ít bắn tóe trong môi trường khí CO2
Trang 12b) Cường độ dòng điện hàn:
- Dải cường độ dòng điện hàn hàn của các quy trình như sau: +) DQS-2G-GMAW-H: I = [160÷170] (A)
+) DQS-3G-GMAW-H: I = [240÷280] (A)
+) DQS-3G-FCAW-H: I = [180÷200] (A)
+) DQS-4G-FCAW-H: I = [175÷200] (A)
- Ta thấy dải cường độ dòng điện hàn của các quy trình là phù hợp vì không vượt quá giá trị tối đa là [800÷900] (A) Xuất phát từ đường kính dây hàn nhỏ d = 1,2 mm nên dải cường độ dòng điện lớn, điều này cho phép giảm góc hàn và hàn thuận lợi ở nhiều tư thế hàn khác nhau của mối hàn nhiều lớp
c) Điện áp hàn:
- Áp dụng công thức: U = 15 + 0.04.I cho các quy trình:
+) DQS-2G-GMAW-H: I = [160÷170] (A) U =
[21÷22] (V)
+) DQS-3G-GMAW-H: I = [240÷280] (A) U =
[25÷27] (V)
+) DQS-3G-FCAW-H: I = [180÷200] (A) U =
[22÷23] (V)
+) DQS-4G-FCAW-H: I = [175÷200] (A) U =
[22÷23] (V)
- Với dải điện áp hàn của các quy trình như sau :
+) DQS-2G-GMAW-H: U = [25÷27] (V)
+) DQS-3G-GMAW-H: U = [20÷28] (V)
+) DQS-3G-FCAW-H: U = [21÷22] (V)
Trang 13+) DQS-4G-FCAW-H: U = [20÷22] (V).
- Kết quả cho thấy dải điện áp hàn của quy trình DQS-2G-GMAW-H lớn hơn so với kết quả tính từ cơ sở lý thuyết Các quy trình còn lại có dải điện áp hàn tương đối phù hợp với cơ sở lý thuyết
d) Tốc độ hàn:
- Dải tốc độ hàn của bốn quy trình như sau:
+) DQS-2G-GMAW-H : v = [5,3÷42,4] (cm/min)
+) DQS-3G-GMAW-H : v = [2,6÷8,8] (cm/min)
+) DQS-3G-FCAW-H : v = [5,5÷10,6] (cm/min)
+) DQS-4G-FCAW-H : v = [5,5÷13,5] (cm/min)
- Ta thấy ngoài quy trình DQS-2G-GMAW-H, các quy trình còn lại có dải tốc độ hàn tương đối nhỏ hơn so dải tốc độ v = [10÷60] (cm/min) của cơ sở lý thuyết, là dải tốc độ hàn thường dùng với hàn bán tự động và tự động với kết cấu thép thường Điều này là hoàn toàn phù hợp vì vật liệu cơ bản là thép cường độ cao
do đó cần tốc độ hàn chậm để tăng lượng nhiệt đảm bảo độ ngấu của mối hàn