Phổ tán xạ năng lượng tia X potx

 Tia X hay tia Ronghen là một dạng của sóng điện từ, có bước sóng trong khoảng 0.01-10nm.Bước sóng của nó ngắn hơn tia tử ngoại nhưng dài hơn tia gamma.. N guyên lý c a phép phân tích

Phổ tán sắc năng lượng tia X

( E ne rgy – Di sp e rsi v e X -ray Spe c t ro sc opy )

P h ổ tá n s ắ c nă ng l ư ợ ng ti a X

EDS

Nội dung

T ổ n g q u a n về k ỹ t h u ậ t p h â n t í c h p h ổ E D S ( E D X )

dựa vào việc ghi lại phổ tia X phát ra từ vật rắn do tương tác với các bức xạ( chủ yếu

là chùm điện tử có năng lượng cao trong các kính hiển vi điện tử)

T ổ n g q u a n về k ỹ t h u ậ t p h â n t í c h p h ổ E D S ( E D X )

 Tia X ( hay tia Ronghen) là một dạng của sóng điện từ, có bước sóng trong khoảng

0.01-10nm.Bước sóng của nó ngắn hơn tia tử ngoại nhưng dài hơn tia gamma.

nghiên cứu tinh thể

T ổ n g q u a n về p h é p p h â n t í c h p h ổ E D S ( E D X )

N guyên lý c a phép phân tích ph EDS ủ ổ

Các hiệu ứng xáy ra khi chiếu chùm điện tử lên mẫu chất:

N g u y ê n l ý c ủ a p h é p p h â n t í c h p h ổ E DS

Nguyên lý c a phép phân tích ủ

EDX: Khi chùm đi n t có ệ ử

năng lượng cao tương tác v i ớ

các l p v  đi n t bên trong ớ ỏ ệ ử

c a nguyên t v t r n, ph  tia ủ ử ậ ắ ổ

X đ c tr ng s đặ ư ẽ ược ghi nh nậ

N guyên lý c a phép phân tí ch ph EDS ủ ổ

N guyên lý c a phép phân tí ch ph EDS ủ ổ

S g i n g v à k h á c n h a u c a K H V ự ố ủ

q u a n g h c v à K H V đ i n tọ ệ ử

C á c đ c t r n g c a K H V đ i n t ặ ư ủ ệ ử

t r u y n q u a v à K H V q u a n g h cề ọ

K thu t ghi nh n và đ chính xác c a ph E DS ỹ ậ ậ ộ ủ ổ

-Detecto là điot Si trong đó mi n p đã ề

được làm m ng đ tia X có th đi t i ỏ ể ể ớ

-Photon tia X đi vào chuy n ti p pn, s ể ế ẽ

cung c p năng lấ ượng cho đi n t quang ệ ử

làm b t các đi n t này ra kh i Si.ậ ệ ử ỏ

K thu t ghi nh n và đ chính xác ph EDS ỹ ậ ậ ộ ổ

K thu t ghi nh n và đ chính xác c a ph EDS ỹ ậ ậ ộ ủ ổ

K thu t ghi nh n và đ chính xác c a ph EDS ỹ ậ ậ ộ ủ ổ

K thu t ghi nh n và đ chính xác c a ph EDS ỹ ậ ậ ộ ủ ổ

F là hệ số, En độ rộng nửa cực đại nhiễu xạ điện tử.

Hiện nay các detector rắn có độ phân giải vào khoảng 140 eV

Ew=Eб + En

K thu t ghi nh n và đ chính xác c a EDS ỹ ậ ậ ộ ủ

ng d ng Ứ ụ

Xác định sự phân bố các nguyên tố trên bề mặt mẫu

Ứ n g dụ n g

Phân tích định lượng vi cấu trúc của gỉ và ảnh SEM

K ế t l u ậ n c h u n g

hư hỏng hơn.

Ứ n g d ụ n g

 E D X t r a k h ô n g h i u q u v i c á c n g u y ê n t n h ( v í d   B ,   C ) ỏ ệ ả ớ ố ẹ ụ

v à t hườn g x u t h i n h i u n g c h n g c h p c á c đ n h t i a X c a c á c ấ ệ ệ ứ ồ ậ ỉ ủ

n g u y ê n t k h á c n h a uố

Thank you!