ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ BÁO CÁOTHỰC NGHIỆM 4TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNGFET Sinh viên Nguyễn Minh QuangMSV 19021616 download by skknchat@gmail com 1 Sơ đồ khuếch[.]
Trang 1ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
BÁO CÁO THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET - KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG
FET Sinh viên: Nguyễn Minh Quang
MSV: 19021616
Trang 2- Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển bằng thế) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng)
Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT)
- Là transistor đơn cực - Là một linh kiện lưỡng cực
- Có 3 chân: drain, source và gate - Có 3 chân: common, emitter và base
- Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào các hạt
mang điện đa số là lỗ trống hoặc electron - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số cũng như thiểu số
- Trở kháng lối vào lớn - Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ -3kΩ)
- Là thiết bị điều khiển bằng điện áp - Là thiết bị điều khiển dòng điện
- Ít nhiễu (Do không có lớp chuyển tiếp và
tiếp giáp) - Nhiễu hơn FET (Do có lớp tiếp giáp p-n)
- Độ ổn định nhiệt tốt - Phụ thuộc vào nhiệt độ
- Đắt tiền - Rẻ tiền
- Kích thước nhỏ - Kích thước lớn
- Không có thế offset - Có thế offset
Trang 3- Có hệ số nhiệt độ dương - Có hệ số nhiệt độ âm
- Phân cực khó - Phân cực đơn giản
1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC)
Bảng A4-B3
V in (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV Biên độ V out 112mV 112mV 125mV 150mV 1.185V 5V
A 11.2 1.12 0.625 0.5 2.97 10
Bảng A4-B4
F 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz 10MHz Biên độ V out 1.38V 1.38V 1.38V 1.38V 1.38V 1.38V
A 13.8 13.8 13.8 13.8 13.8 13.8
2 Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET
2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)
Trang 4Vin (IN) 0,5V 1V 2V 3V 4V 5V Biên độ V out
Biên độ V out
(J1 nối) 0.2V 0.4V 0.8V 1.19V 1.59V 1.99V
Kết luận về mối liên hệ giữa thế ra và thế vào theo tín hiệu điều khiển
- Khi Transistor trường T1 bị cấm (Nối V với nguồn -12V), tương đương trường hợp khoá mở thế lối
ra V out ≈ 0 V.
- Khi nối J1, transistor đóng vai trò như khoá đóng, V out = R 3
R 1 +R 3 .V ¿
2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC)
- Khi nối nguồn -12V
Trang 5Nhận xét:
Khi nối chốt V với nguồn -12V, JFET đóng vai trò như khoá đóng, tuy nhiên vẫn có một vài thời điểm
có dòng đi qua nên sóng ở lối ra bị nhô lên vào một vài thời điểm khiến cho xung có dạng nhọn.
- Khi ngắt nguồn -12V và nối J1
Tháo dây từ ngoài tới lối vào (IN) Nối đất lối vào IN/A Quan sát xem có tín hiệu ra không Đo giá trị thế ra này (thường gọi là thế đế truyền qua).
Trang 6Ta vẫn thấy có tín hiệu ra Giá trị thế ra là 1.85V.
3 Sơ đồ khóa song song dùng JFET
Bảng A4 – B6
Biên độ Vout 0.26V 0.51V 1.01 V 1.5V 2.05V 2.5V
Trang 7Biến độ sóng ra = 80mV
Cấp nguồn xoay chiều ~9V từ nguồn AC SOURCE của thiết bị chính cho lối vào IN/A sơ đồ A4-3 Chốt ~0V nối đất ( nguồn xoay chiều channel A, đầu ra channel B, xung điều khiển channel C)
4 Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET
4.1 Sơ đồ source chung CS
Trang 8Giá trị dòng ban đầu qua T1 : I = 1.10mA
Bảng A4 – B7
Vin 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV Biên độ
Vout
600uV 5.8mV 11.5mV 17.5mV 23.5mV 28.5mV
A 0.06 0.058 0.057 0.058 0.05875 0.057
Đổi chế độ phát của thiết bị chính từ phát sóng vuông sang phát sóng dạng hình sin Thay đổi tần
số sóng vào từ cực tiểu đến cực đại (bằng cách chỉnh tần số máy phát của thiết bị chính), khi giữ nguyên biên độ sóng vào.
Biên độ sóng vào Vin = 500mV
Bảng A4 – B8
f 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz 10MHz Biên độ V out 30mV 30mV 30mV 30mV 30mV 30mV
A 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06
Trang 9Giá trị dòng ban đầu qua T2 : I = 0.29mA , V = 0.59V
Bảng A4 – B9 Vin 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV Biên độ
Vout 1.75mV 17.75mV 36.25mV 53.75mV 71.25mV 90mV
A 0.175 0.1775 1.8125 0.179 0.178 0.18
Vẽ dạng tín hiệu vào và ra:
4.3 Sơ đồ Gate chung CG
