Báo cáo thực tập điện tử tương tự tuần 8

LỜI MỞ ĐẦU 1 1. Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên 2 transistor BJT 2 2. Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên bộ KĐTT 3 3. Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp trên BJT 5 4. Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp trên bộ KĐTT 7 5. Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung răng cưa) 10 6. Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp trên KĐTT 11

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỔNG NGHỆ KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

- -

BÁO CÁO MÔN HỌC THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

THỰC NGHIỆM 8:

CÁC MẠCH PHÁT DAO ĐỘNG

DẠNG KHÁC SIN

Họ và tên sinh viên: Cung Văn Thắng - 21020939

Vũ Thành Vân - 21020458

Giảng viên hướng dẫn: TS Nguyễn Đăng Phú

CN Lưu Bách Hưng

MỤC LỤC

LỜI MỞ ĐẦU 1

1 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên 2 transistor BJT 2

2 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên bộ KĐTT 3

3 Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp trên BJT 5

4 Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp trên bộ KĐTT 7

5 Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung răng cưa) 10

6 Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp trên KĐTT 11

LỜI MỞ ĐẦU

Đầu tiên, chúng em muốn bày tỏ lòng biết ơn của mình đến thầy Nguyễn Đăng Phú và thầy Lưu Bách Hưng cùng cán bộ khoa của trường vì đã tận tình hướng dẫn

và giúp đỡ chúng em trong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thiện báo cáo này Nhờ

sự hướng dẫn của thầy/cô, chúng em đã có cơ hội tiếp cận với những kiến thức, phương pháp và kỹ năng cần thiết để thực hiện đề tài của mình một cách hiệu quả nhất Thầy/cô luôn sẵn sàng giải đáp thắc mắc và cung cấp những lời khuyên hữu ích giúp tôi cải thiện kết quả nghiên cứu của mình Dưới đây là bài báo cáo của chúng em, mong thầy/cô nhận xét và đánh giá

1 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên 2 transistor BJT

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 1

• Các bước thực hiện:

• Kết quả đo:

Nối J1 & J4 Nối J2 & J5

Nối J3 & J6 Nối J1 & J5

Nối J2 & J4

Bảng A8 – B1

Nối J1 & J4

Nối J2 & J5

Nối J3 & J6

Nối J1 & J5

Nối J2 & J4 Dạng xung ra Vuông Vuông Vuông Vuông Vuông

Tính CR

(F Ω = sec)

C1 R3 =

2.2 × 10−4

C4 R4 =

2.2 × 10−4

C2 R3 =

2.2 × 10−3

C5 R4 =

2.2 × 10−3

C3 R3 =

0.022

C6 R4 =

0.022

C1 R3 =

2.2 × 10−4

C5 R4 =

2.2 × 10−3

C2 R3 =

2.2 × 10−3

C4 R4 =

2.2 × 10−4

T (giây) 291.5𝜇𝑠 1.67𝑚𝑠 8.85𝑚𝑠 0.86𝑚𝑠 1.15𝑚𝑠

f (Hz) = 1/T 3.43kHz 0.598kHz 112.9Hz 1.162kHz 0.869kHz

k =T/RC 1.325 0.759 0.402 3.91 0.523

2 Khảo sát sơ đồ máy phát đa hài lắp trên bộ KĐTT

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 2

• Các bước thực hiện:

• Kết quả đo

Khi nối tắt P1: 𝑉𝐹 = 9.85𝑉, 𝑉𝐶 = 9.25𝑉

Khi biến trở P1 max: 𝑉𝐹 = 9.85𝑉, 𝑉𝐶 = 9.25𝑉

Giữ nguyên P1 max, nối J1

➢ Nhận xét: Nối J1 sẽ làm tăng điện dung sẽ làm sườn dốc tín hiệu trở nên thoải

hơn Tụ C1 và C2 có ảnh hưởng lên độ rộng tín hiệu tx, điện dung càng lớn thì

tx càng lớn

➢ So sánh giá trị nhận được ở bước 3 và 4: Cả 2 trường hợp nối tắt và nối J1

sóng ra đều có dạng xung vuông Nối J1, sóng ra có tần số nhỏ hơn

➢ Vai trò của mạch (R4 + P1) C: Mạch có tác dụng phản hồi đến tụ C được

cung cấp bởi điện trở R4 + P1

3 Khảo sát đa hài đợi (một trạng thái ổn định) lắp trên BJT

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 3

• Các bước tiến hành:

• Kết quả đo

− Biên độ xung cần thiết để khởi động sơ đồ là 3.2V

Độ rộng xung ra = 1.02𝑚𝑠 Tín hiệu vào

Tín hiệu base T1 Tín hiệu collector T1

Tín hiệu base T2 Tín hiệu collector T2 (lối ra)

➢ Giải thích quá trình hình thành độ rộng xung ra: Điện áp 𝑉𝐵 tại cực base của T1 đạt được đến một giá trị đủ cho transistor thay đổi trạng thái liên tục từ cut-off sang bão hòa Nối với T2 cũng tạo ra sự thay đổi tương tự và từ đó tạo

nên sự biến đổi điện áp lối ra khi trạng thái T2 thay đổi liên tục

4 Khảo sát sơ đồ đa hài đợi lắp trên bộ KĐTT

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 4

• Các bước tiến hành:

• Kết quả đo

P1, C3: tx = 1.022𝑚𝑠, V0(C) = 21.45V

P1max, C3: tx = 3.08𝑚𝑠, V0(C) = 21.95V

P1max, C2//C3: tx = 25.25𝑚𝑠, V0(C) = 25.1V

Bảng A8 – B2

Dạng tín hiệu với giá trị ngưỡng V(e) Dạng tín hiệu ra

➢ Vai trò mạch tạo ngưỡng đơn hài (R2 R3) và mạch hình thành độ rộng

xung gồm các linh kiện (R2, R3, R4 + P1 và C2, C3): Tạo thành mạch chia

thế có tác dụng tạo mức thế ngưỡng 𝑉𝐸, mạch hình thành độ rộng xung dựa trên cơ chế Schmitt Trigger 𝑉𝑖𝑛 > 𝑉𝑛𝑔ưỡ𝑛𝑔 thì lối ra ở mức cao và ngược lại lối ra ở mức thấp tạo nên xung vuông

5 Khảo sát mạch phát xung tam giác (xung răng cưa)

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 5

• Các bước thực hiện:

• Kết quả đo:

➢ Nguyên tắc hoạt động của sơ đồ: Xung tam giác được hình thành phụ thuộc

vào sự nạp xả của tụ Transistor T1 đóng vai trò như 1 khóa điện đầu vào luôn

là xung dương Transistor T2 đóng vai trò như 1 nguồn dòng ổn định nạp cho

tụ C Ở trạng thái bình thường T1 thông nên Vc của T1 = 0V Khi mới kích xung âm nên Vb của T1 thấp Khi đó, T1 ngắt trong khi đó T2 thông nên có dòng từ cực C của T2 xuống cực E vậy nên tụ C được nạp

6 Khảo sát máy phát xung tổng hợp (máy phát tạo hàm) lắp trên KĐTT

• Bản mạch thực nghiệm: A8 – 6

• Các bước thực hiện:

• Kết quả đo:

P1 giữa P2 giữa: V(01) = 18.8V, V(02) = 8.95V, tx = 1.805ms

P1 min P2 giữa: V(01) = 6.58V, V(02) = 3.04V, tx = 1.755ms

P1 max P2 giữa: V(01) = 22.35V, V(02) = 17.55V, tx = 3.105ms

P1 giữa P2 min: V(01) = 19V, V(02) = 9.45V, tx = 2.845ms

P1 giữa P2 max: V(01) = 19.35V, V(02) = 9.45V, tx = 0.935ms

Bảng A8 – B3

P1 giữa

P1 min

P1 max

P1 giữa

P1 giữa

➢ Nguyên tắc hoạt động dựa trên phân tích các sơ đồ trên IC1, IC2 và IC3:

− IC1 có tác dụng tạo xung vuông từ phản hồi dương của IC3 theo cơ chế của Schmitt Trigger

− IC2 có tác dụng tạo xung vuông với pha ngược lại so với IC1 nên khi mức đầu

ra cao sẽ ở mức bão hoà thấp và ngược lại do đó tạo ra xung vuông ngược pha với đầu ra của IC1

− IC3 là mạch tích phân có tác dụng biến lối ra ở dạng xung vuông của IC2 thành xung tam giác