BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬTTHIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD

- Cường độ sáng được phân đoạn.. - Thích hợp cho dòng DC cao... II-SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ.

BỘ GIÁO DỤC & ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢI

=== \(^.^)/ ===

BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬT

THIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD

ĐỀ 026 (Digital Clock with MM5314N)

Sinh viên thực hiện : Ngô Tuấn Anh

Mã sinh viên : 1100303

Lớp : Trang bị điện-điện tử trong CN & GTVT K52

Giáo viên hướng dẫn: Trần Văn Hưng

I – SƠ LƯỢC VỀ CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH

1-Led 7 vạch ( 7SEG ) : TDSO5150

• Các tính năng chính :

- Đồng thắp sáng phân đoạn

- Untinted phân đoạn

- Cường độ sáng được phân đoạn

- Góc nhìn rộng

- Thích hợp cho dòng DC cao

- Tương thích với RoHS Chỉ thị 2002/95/EC và theo WEEE 2002/96/EC

• Các thông số :

- Màu : đỏ vàng

- Cường độ sáng tại 10 mA : IV > 700 µcd

IV = 5000 µcd (typ.)

- Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP : VR = 6V

- Dòng điện tức thời cho mỗi phân đoạn hoặc DP : IF = 25 mA

- Surge forward current per segment or DP : IFSM = 0.15 A

- Điện áp chịu đựng ( Tamb ≤ 45oC ): PV = 550 mW

- Nhiệt độ mối nối : Tj = 100oC

- Nhiệt độ hoạt động : Tamb = -40 ÷ 85 oC

- Nhiệt độ bảo quản : Tstg = -40 ÷ 85 oC

- Nhiệt độ hàn ( t ≤ 3s ) : Tsd = 260 oC

• Đặc điểm quang và điện :

Điều kiện thử nghiệm : IF=10mA

- Cường độ sáng cho mỗi phân đoạn : IV(min) =700 µcd

IV(typ.) = 5000 µcd

- Bước sóng chi phối : λd = 612 ÷ 625 nm

- Bước sóng đỉnh : λp = 630 nm

- Góc của cường độ 1/2: φ = ± 50o

- Điện áp chuyển tiếp cho mỗi phân đoạn hoặc DP : VF = 2÷3 V

- Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP ( IR = 10 µA) :

VR = 6 ÷ 15 V

2- IC MM5314N

•

- Tần số hoạt động : 50 hoặc 60 Hz

- Định dạng hiển thị : 12h hoặc 24h

- Số 0 hàng đầu để trống ( định dạng 12h)

- Đầu ra 7 phân khúc

- Cung cấp đơn điện

- Thiết lập kiểm soát nhanh và chậm

- Đa dao động nội bộ

• Thông số :

- Điện áp tại chân: VSS +0.3 đến VSS – 20 V

- Nhiệt độ hoạt động : -25 ÷ 70oC

- Nhiệt độ lưu trữ : -65 ÷ 150oC

50/60 Hz Điện áp đầu vào

Tất cả đầu vào logic Điều khiển bên ngoài

thời gian cơ bản

Logical High Level Internal depletion

device to V SS

BCD & 7SEG Outputs

Đầu ra kỹ thuật số

3-Transistor 2N1069

- Loại : NPN

- +

D 7

B R I D G E

4

2

N O I 0 2

R 1 4

2

1

Q 2 2

2 N 1 0 6 9

R 2

2 1

J P 1

H E A D E R 2 1

N O I 0 3

R 8

2 1

Q 6

2 N 1 0 6 9

N O I 0 4

C 5

S W 9

S W K E Y - S P D T

R 1 0

2

1

N O I 0 5

S W P U S H B U T T O N

Q 7

2 N 1 0 6 9

R 2 5

2 1

U 9

7 S E G

N O I 0 6

R 6

2 1

S W 8

S W K E Y - S P D T

10 9

2 3

2 4

R 2 3

2 1

Q 8

2 N 1 0 6 9

C 4

Q 2 4

2 N 1 0 6 9

R 1 3

2 1

C 1

D 8

1 2 0 N Q 0 4 5

1

2

R 1 9

2 1

S W 4

S W P U S H B U T T O N

D 1 1

D 1 D L 4 1 A

Q 9

2 N 1 0 6 9

R 3

2 1

Q 2 3

2 N 1 0 6 9

R 1 5

2

2 N 1 0 6 9

R 1 2

2 1

U 6

7 S E G

R 7

2 1

Q 1 0

2 N 1 0 6 9

N O I 0 1

U 1 0

7 S E G

Q 2 1

2 N 1 0 6 9

S W 5

S W P U S H B U T T O N

R 5

2 1

N O I 0 1

R 1

2 1

R 9

2 1

Q 1 1

2 N 1 0 6 9

R 1 1

2

1

R 2 2

2 1

N O I 0 2

U 8

7 S E G

S W 7

S W K E Y - S P D T

N O I 0 3

Q 2 7

2 N 1 0 6 9

D 1 2

D 1 D L 4 1 A

R 2 1

2 1

R 2 4

2

1

U 7

7 S E G

N O I 0 4

R 2 6

2 1

C 2

R 1 8

2

2 N 1 0 6 9

N O I 0 5

R 1 7

2 1

L 1

C M T 9 0 8

R 1 6

2 1

N O I 0 6

R 4

2 1

R 2 0

2 1

- PD = 50 W ( TC = 25oC )

- Maximum Ratings:

IC = 4 A

BVCBO = 60 V

BVCE = 45 V

BVEBO = 9 V

- Đặc điểm về điện:

Hfe ( min) =10

IC = 1.5 A

VCE = 4 V f= 1.2 MHz

4- Các linh kiện còn lại

- Biến áp : CMT908

- Bộ cầu diode : BRIDGE

- Khóa : SW KEY-SPDT & SW PUSHBUTTON

- Diode, Điện trở, Tụ điện

II-SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ

III- MẠCH IN

1-MẶT TRÊN ( TOP )

2- MẶT DƯỚI ( BOTTOM )

IV- MẠCH PHỦ MASS

1- MẶT TRÊN

2- MẶT DƯỚI