Bộ KH & CN Bộ quốc phòng Trung tâm KhKt - CnQs Viện Rađa Đề tài độc lập cấp Nhà nớc: Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải. báo cáo tổng kết chuyên đề Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần M số: ĐTĐL- 2005/28G Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh 6715-7 11/01/2007 Hà Nội - 2007 Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện trởng Viện Rađa trừ trờng hợp sử dụng với mục đích nghiên cứu. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 1 mục lục Chơng I: Tổng quan về các bộ trộn tần 2 1.1. Giới thiệu chung 2 1.2. Cơ sở lý thuyết trộn tần tín hiệu. 3 1.3. Các loại bộ trộn tần phổ biến hiện nay 8 1.3.1. Trộn tần đơn 8 1.3.2. Trộn tần cân bằng đơn. 9 1.3.3. Trộn tần cân bằng kép 11 1.3.4. Trộn tần cân bằng kép 2 lần 14 1.3.5. Trộn tần tích cực trên bán dẫn hiệu ứng trờng FET 16 1.3.5.1 Trộn tần FET kiểu cổng 18 1.3.5.2 Trộn tần FET kiểu máng 18 1.3.5.3 Trộn tần FET kiểu nguồn 18 1.3.5.4 Một số điểm cần lu ý khi thiết kế các bộ trộn tần tích cực trên FET 18 1.3.5.5 Các bộ trộn tần FET đơn 19 1.3.5.6 Các bộ trộn tần cân bằng đơn trên FET 21 1.3.5.7. Các bộ trộn tần cân bằng kép trên FET 23 1.3.5.8. Các bộ trộn tần trên FET có trở kháng 24 Chơng ii: Thiết kế bộ trộn tần cân bằng 27 2. 1. Thiết kế bộ trộn tần 3 GHz cho ra đa 37 27 2.1.1. Giới thiệu chung về đài ra đa 37 27 2.1.2. Tham số kỹ thuật chính của ra đa 37 27 2.1.3. Cơ sở thiết kế bộ trộn tần cho ra đa 37 27 2.2. Thiết kế, chế tạo bộ trộn tần cân bằng ở tần số 2.9 GHz 28 2.2.1. Các chỉ tiêu kỹ thuật của bộ trộn tần 28 2.2.2. Lựa chọn kiểu loại vật liệu mạch in 28 2.2.3. Thiết kế vòng gép lai Rat-race 29 Kết luận 31 Tài liệu tham khảo 32 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 2 chơng i Tổng quan về các bộ trộn tần 1.1. Giới thiệu chung Ngay từ khi xuất hiện các hệ thống thu phát vô tuyến, các bộ tách sóng tinh thể và các bộ trộn tần đã đóng 1 vai trò hết sức quan trọng. Đầu thế kỷ 20, các bộ tách sóng tinh thể đã xuất hiện tuy còn thô sơ và còn đợc phải hiệu chỉnh thờng xuyên theo 1 chu kỳ nhất định để nó giữ đợc chức năng của mình. Cùng với sự ra đời của bóng ba cực, độ nhạy của máy thu vô tuyến cũng đợc cải thiện đáng kể nhờ có thêm các bộ khuếch đại lắp trớc và sau các bộ tách sóng. Song thời điểm mà chất lợng của máy thu vô tuyến đạt đợc bớc nhảy vọt phải nói đến thời điểm kể từ khi Edwin Armstrong phát minh ra máy thu siêu ngoại sai. Armstrong cũng là ngời đầu tiên đa vào sử dụng bộ trộn tần trên đèn điện tử nhằm đa tần số của tín hiệu đầu vào máy thu về tần số trung tần (IF) và ở tần số này, tín hiệu đợc khuếch đại và tách sóng với độ chọn lọc tốt nhất. Cho tới tận ngày nay, máy thu siêu ngoại sai, do cấu trúc tối u của mình, vẫn đợc ứng dụng trong hầu hết các hệ thống thu vô tuyến. Quá trình phát triển của các bộ trộn tần tín hiệu đợc bắt đầu từ khi chiến tranh thế giới lần thứ II, khi ra đa quân sự xuất hiện và tỏ rõ vai trò của nó. Vào thời điểm đầu của cuộc chiến tranh này, ngời ta sử dụng các bộ trộn tần điốt đơn, tuy nhiên hệ số tạp của bộ trộn này tỏ ra rất kém, chỉ tới cuối những năm 1950, ngời ta đã có thể đạt đợc hệ số tạp của cả hệ thống là 7 dB. Còn ngày nay, chúng ta đã có thể thiết kế, chế tạo đợc các bộ trộn tần đơn có hệ số tạp là 7 dB ở dải tần 200 GHz. Tuy nhiên, vấn đê độ nhạy và dải động của máy thu vẫn phụ thuộc rất lớn vào các bộ trộn tần, đặc biệt là ở dải sóng cao tần và dải sóng milimet. ở dải dới 100GHz, chúng ta sử dụng các bộ khuếch đại tạp thấp trên cơ sở các bán dẫn GaAsFET để cải thiện hệ số tạp của hệ thống, song ở dải tần số trên 100GHz, ta chỉ có thể sử dụng điốt nh một khuếch đại biến đổi tần số tạp thấp mà thôi. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 3 1.2. Cơ sở lý thuyết trộn tần tín hiệu. Tiếp giáp đơn kim loại bán dẫn lần đầu tiên đợc Braun phát minh vào năm 1874, trong phát minh này, ông mô tả trở kháng phi tuyến là 1 hàm của điện áp, phát minh này của Braun làm cho lớp tiếp giáp bán dẫn trở nên đóng vai trò hết sức quan trọng trong các ứng dụng trộn tần. Trên thực tế hiện nay, các điốt trộn tần thờng có chất bán dẫn là các chất Si (silicon) hoặc GaAs (gallium arsenide) còn chất kim loại thờng là Cu (đồng), Pt (platinum), Ag (silver), Al (nhôm), Ti (titanium) và Au (vàng). Do vật liệu dạng n GaAs có tính hoạt động cao hơn nhiều lần so với dạng vật liệu p cho nên cấu trúc dạng n sử dụng Pt, Au, Ti đợc sử dụng rất rộng rãi. Hiện nay có rất nhiều mô hình giải thích nguyên lý làm việc của tiếp giáp kim loại bán dẫn, song mô hình đầu tiên do W. Schottky phát minh vẫn đợc chọn để giải thích nguyên lý làm việc của đi ốt. Nh đã nói ở trên, điốt làm việc dựa trên cơ sở sự chuyển dời của các hạt mang điện tích từ chất bán dẫn (catốt) sang vùng kim loại (anốt), ta có thể mô tả riêng rẽ hoạt động của kim loại và bán dẫn sau đó, kết hợp 2 quá trình này để mô tả nguyên lý làm việc của điốt có lớp tiếp giáp kim loại bán dẫn. Hình 1.1 mô tả các mức năng lợng cho cả 2 trờng hợp kim loại đợc cách ly và bán dẫn đợc cách ly. Từ lý thuyết điện tử gas đối với kim loại, chúng ta biết rằng năng lợng trung bình để dịch chuyển các electron từ mức Phecmi vad đa chúng vào điểm nghỉ trong vùng trống là e. Phụ thuộc vào sự phân bố và kiểu bề mặt của bán dẫn có thể tồn tại quá trình tích điện chủ động hoặc thụ động trên bề mặt của bán dẫn. Năng lợng cần thiết để dịch chuyển các electron từ dải dẫn về vùng trống là e , trong đó là lực hấp dẫn của các điện tử và đây là hằng số của mỗi chất riêng biệt. Chúng ta sẽ xác định đợc rất nhiều các tham số của lớp tiếp giáp qua việc giải phơng trình Possion cho lớp tiếp giáp và vùng trống. Để bắt đầu, chúng ta giả sử rằng mật độ của điện tích trong vùng trống có thể đợc tính gần đúng qua công thức: = eN d đối với x = 0 đến x = 0 , trong đó N d là mật độ cho. Trờng điện khi đó đợc mô tả nh sau: Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 4 () [] x eN xE s d = 0 (1) Ngoài ra, ta có thể xác định điện áp đi qua lớp tiếp giáp bằng cách lấy tích phân trờng điện với các điều kiện biên tại x = 0. Tại điểm đó, chúng ta biết rằng điện áp dần trở về bi (trong đó s d bi eN 2 2 0 = (2) ) và đợc mô tả qua công thức sau đây: () () [] ms s d xx eN xV = 2 0 5,0 (3) Vùng chân không (năng lợng của các điện tử tự do) e s e m e Khoảng cách qua Khoảng cách qua kim loại bán dẫn a) b) c) Hình 1.1. Mức năng lợng đối với kim loại và bán dẫn: a) Kim loại đợc cách ly; b) Bán dẫn đợc cách ly; c) Kim loại và bán dẫn đợc tiếp xúc với nhau. Khi cho điện áp V tác động vào điốt (nh trên hình 2), công thức 2 khi đó chỉ có ý nghĩa khi thay bi bởi bi V và 0 đợc thay bởi . Lúc này độ rộng của vùng trống sẽ là 1 hàm của điện áp. Các tính chất dẫn của điốt khi đó có thể đợc mô tả trên hình 1.2. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 5 e(-V) e W c W c1 e(-V) a) b) c) Hình 1.2. Đồ thị năng lợng của barrier rào chắn Schottky nh 1 hàm của thiên áp; a) Thiên áp 0; b) Thiên áp ngợc và c) Thiên áp thuận. Điện dung của điốt cũng là 1 hàm của điện áp và có thể sử dụng mối quan hệ sau đây để xác định: 2 1 )(2 = d sbi eN V (4) Và Q = Điện tích lớp tiếp giáp = () [] 2 1 2 sdbi eNV (5) Từ đây, chúng ta có thể xác đợc điện dung C: 2 1 0 1 )( = bi j V C VC (6) Trong đó C j0 là điện dung khi có thiên áp 0. Đã có nhiều lý thuyết và các công trình nghiên cứu khoa học công bố về mối quan hệ giữa điện áp và dòng điện của điốt bán dẫn kim loại. Chúng ta sẽ xem xét 1 mô hình do Bethe đa ra. Giả sử rằng vùng trống của lớp tiếp giáp là nhỏ và các điện tử không bị va chạm khi đi ngang qua lớp tiếp giáp. Mô hình của Bethe khi đó cho ta mối quân hêh giữa điện áp và dòng điện của điốt nh sau: () = 1 0 kT eV epxIVI (7) Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 6 Trong đó k là hằng số Boltzmann (1,37 x 10 -23 J/K), T là nhiệt độ tuyệt đối và V là thiên áp cấp cho đi ốt. Tuy nhiên để tính đặc tuyến không lý tởng cho 1 điốt bình thờng, biểu thức (7) khi đó có thể có thêm hệ số n và trở thành: () = 1 0 nkT eV epxIVI (8) Trong đó n là hệ số đồng nhất , n có giá trị từ 1,05 đến 1,4, hệ số này đôi khi còn đợc gọi là hệ số lý tởng của đi ốt. Có rất nhiều lý do để có thể giải thích trên thực tế tại sao các điốt lại không tuân theo phơng trình của 1 điốt lý tởng, đó là các yếu tố sản xuất và các yếu tố khác không có trong mô hình của 1 điốt đơn giản. Các yếu tố đó là: Trở kháng nối tiếp, bề mặt không hoàn hảo, hiệu ứng biên và hiệu ứng đờng hầm. Yếu tố quan trọng nhất trong các yếu tố này có ảnh hởng đến tham số của bộ trộn là trở kháng nối tiếp. Rất không may là các yêu cầu trong quá trình chế tạo điốt rào chắn Schottky lại mâu thuẫn với các yêu cầu về trở kháng nối tiếp phải nhỏ, đây là 1 yêu cầu hết sức quan trọng và có ảnh hởng lớn tới tham số của bộ trộn Hình 1.3 mô tả 1 bộ trộn tần điển hình. Bộ trộn này có thể làm việc ở 2 chế độ: Biến đổi tần lên (trộn lên) hoặc biến đổi tần xuống (trộn xuống). Tín hiệu RF với tần số mang s và hàm điều chế M(t), cùng với tín hiệu của dao động tại chỗ (LO hoặc bơm điện tích) là tín hiệu sin có tần số p . Trên cơ sở lợng giác, chúng ta biết rằng tổng của 2 tín hiệu sẽ là tín hiệu có tần số hoặc là tổng hoặc là tích các tần số. Ví dụ, mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp đối của điốt có thể đợc mô tả dới dạng sau: I = a o + a 1 V + a 2 V 2 + a 3 V 3 + ở đây: V là giá trị điện áp tổng của 2 tín hiệu đầu vào còn I là giá trị dòng điện tổng. Nếu tín hiệu RF về thực chất nhỏ hơn tín hiệu LO và không tính đến quy luật điều chế, tần số hợp thành của dòng I sẽ là: d = n p 6 s Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 7 Hình 1.3. Mô hình bộ trộn tần lý tởng có cả 2 tính năng trộn lên và trộn xuống Nh đã nói ở trên, thành phần tần số mong muốn thờng là tần số hiệu: p - s , song đôi khi ta lại muốn lấy tần số tổng : p + s , đây là tần số mong muốn khi ta xây dựng các bộ biến đổi tần số lên (trộn tần lên). Theo tính chất tuyến tính hoặc theo phần tử chuyển mạch sử dụng trong mạch, các bộ trộn tần đợc chia ra làm nhiều loại khác nhau: Trộn tần đơn, trộn tần cân bằng đơn, trộn tần cân bằng kép. Phụ thuộc vào lĩnh vực ứng dụng, các đặc điểm chế tạo, mỗi một loại trộn tần có những u điểm và nhợc điểm khác nhau. Trên hình 1.2a là sơ đồ đơn giản nhất của 1 bộ trộn tần: Sơ đồ gồm 1 điốt và 1 mạch lọc. Trong sơ đồ này ta không thấy rõ ràng về phân cách các tín hiệu nh RF, tín hiệu của LO và tín hiệu trung tần IF, song thực chất mạch lọc đã thực hiện nhiệm vụ này đó là cách ly ở một mức cần thiếtt các tín hiệu kể trên. Ngoài ra, về cấu trúc, trộn tần đơn có nhiều u điểm so với các loại bộ trộn khác bởi tính đơn giản của nó. Các yêu cầu về tín hiệu của dao động tại chỗ cũng ở mức thấp nhất do chỉ sử dụng 1 điốt và thiên áp 1 chiều cũng có thể dễ dàng sử dụng để giảm thiểu các yêu cầu khác. Tuy nhiên, sơ đồ này cũng có nhiều hạn chế: Độ nhạy kém, không khử đợc tạp nhiễu, không chịu đợc tín hiệu có công suất lớn và điểm cuối cùng đó là dải thông hẹp. Sum Filter: 1/2A(t)cos( s + p )t hoặc Diffrence Filter: 1/2A(t)cos( s - p )t RF A(t)cos( t) LO Cos( p t) Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 8 1.3. Các loại bộ trộn tần phổ biến hiện nay. Hiện nay, trên thực tế đang phổ biến rộng rãi các loại trộn tần sau: Trộn tần đơn, trộn tần cân bằng đơn, trộn tần cân bằng, trộn tần cân bằng kép và trộn tần kép 2 lần, ngoài ra, trong 1 số ứng dụng đặc biệt còn có các loại trộn tần tích cự trên bán dẫn hiệu ứng trờng FET (Field Effect Transistors) 1.3.1. Trộn tần đơn Do yêu cầu về độ rộng dải và dải động lớn ở các dải tần số trên 20 GHz, ngày nay trộn tần đơn ít đợc sử dụng trong thực tế hơn so với thời điểm chiến tranh thế giới lần thứ II. Tuy nhiên, trộn tần đơn vẫn đợc sử dụng rộng rãi trong dải sóng mm. Qúa trình thiết kế 1 bộ trộn tần cân bằng đơn hoàn toàn tơng tự nh khi ta thiết kế 1 mạng 4 cực. Đối với bộ trộn tần cân bằng đơn, yêu cầu chính, hay nói cách khác chức năng chính của mạng là 1 công cụ biến đổi tần số, còn phối hợp trở kháng chỉ là chức năng thứ 2. Tuy nhiên, trớc khi thiết kế mạng, trở kháng trong mạng do diode gây ra phải đợc xác định trớc để làm cơ sở cho quá trình thiết kế mạng. Hình 1.4 mô tả sơ đồ bộ trộn tần cân bằng đơn, đây là sơ đồ thờng đợc ứng dụng nhiều trong thực tế. Đây là loại trộn tần đơn giản nhất do nó chỉ sử dụng 1 diode. Trên hình 1.4 các cổng L, R và I về điện là hoàn toàn tơng tự nhau, tuy nhiên có 1 điểm cần lu ý là giữa các cổng này có các bộ lọc nhằm đảm bảo sự cách ly giữa các cổng này với nhau. Dải thông của các bộ lọc phải đủ lớn nếu có yêu cầu cao về sự phân cách giữa các cổng. Hình 1.4. Mô hình đơn giản của 1 bộ trộn tần cân bằng đơn L: Tín hiệu dao động ngoại sai R: Tín hiệu vô tuyến I: Tín hiệu trung tần Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 9 BPF: Mạch lọc dải thông LPF: Mạch lọc thông thấp Trộn tần đơn có thể làm việc đợc với mức công suất rất thấp của LO do trong sơ đồ của bộ trộn này chỉ sử dụng duy nhất 1 đi ốt. Tuy nhiên, mức công suất thấp của LO cũng đồng nghĩa với dải động của bộ trộn này thấp, do điểm nén 1 bB thờng trên đỉnh dải động thờng chỉ ở mức 5 đến 10 dB, dới mức công suất của LO. Tất nhiên, nếu cần dải động lớn hơn, ta có thể mắc nối tiếp thêm 1 hoặc vài điốt vào sơ đồ để mạch có thể chịu đợc mức công suất lớn hơn. Một giải pháp khác để tăng mức chịu đựng công suất LO của đi ốt, ta có thể cấp thiện áp cho đi ốt. Nếu hệ thống vô tuyến có dải hẹp và không yêu cầu cao về dải động cũng nh độ phân cách, thì mô hình trộn đơn sẽ là một lựa chọn tốt cho hệ thống do các u điểm đã kể ở trên và còn do giá thành của nó cũng không đắt lắm. 1.3.2. Trộn tần cân bằng đơn. Hình 1.5 mô tả bộ trộn tần cân bằng đơn đợc cấu tạo từ 2 bộ trộn đơn và trên hình 1.6 là 2 mô hình của bộ trộn tần cân bằng đơn đợc sử dụng trong thực tế. Balun cổng L làm cân bằng đi ốt, làm chúng tiếp giáp với đầu vào không cân bằng của LO. Đặc tính quan trọng nhất của balun là chúng giữ đợc góc pha so với đất, 90 0 tại B, -90 0 tại D và 0 0 tại C (nếu nó có cuộn dây giữa). Khi các góc pha đó đợc duy trì, balun khi đó đợc coi là cân bằng tốt. Ngoài ra, tổn hao chèn, tỉ số trở kháng đầu ra - đầu vào cũng là các tham số quan trọng của 1 balun. Hình 1.5. Mô hình bộ trộn tần cân bằng đơn có cấu tạo từ 2 bộ trộn đơn [...]... khi thiết kế mới có thể thay thế đợc tất cả các bộ trộn tần hiện có trong ra đa 37, bộ trộn tần đợc thiết kế mới phải là bộ trộn tần dải rộng 27 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 2.2 Thiết kế, chế tạo bộ trộn tần cân... 1.15 Bộ trộn cân bằng đơn trên FET sử dụng các bộ gép lai Hybrid 21 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần Các cực cách ly của FET 2 cổng cho phép ta thiết kế đợc các bộ trộn tần cân bằng đơn trên FET sử dụng balun thay vì sử. .. nhiều công nghệ hiện đại đợc ứng dụng 16 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần cho phép chúng ta chế tạo đợc các bộ trộn tần dạng FET trên cùng 1 chíp tích hợp với các khối, hệ thống cao tần khác nh các bộ khuếch đại cao tần, ... lý bộ trộn tần Hình 2.3 Sơ đồ mạch in bộ trộn tần 30 L L3 L=180 nH C C2 C=150 pF Term Term2 Num=2 Z=50 Ohm Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần Kết luận Qua thời gian su tầm tài liệu, nghiên cứu thiết kế và chế tạo bộ trộn. .. vi 1,5 với các phơng thức bố trí các đầu vào và đầu ra của tín hiệu 4.4.4 Thiết kế bộ trộn tần cân bằng: 1 Đặc điểm của mạch: Bộ trộn tần hoạt động ở dải tần 2,7 - 3,1 GHz (bớc sóng 10 cm) Sử dụng phần mềm ADS ta thiết kế đợc bộ trộn tần 29 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo... tự động) , mạch có kích thớc bé (cả thể tích và trọng lợng), có khả năng tơng thích với quy trình mạch tích hợp Trên cơ sở đó đi đến thiết kế bộ trộn tần trên mạch dải dải sóng cm sử dụng phần mềm thiết kế mạch ADS 31 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết. .. , dùng để thiết kế, chế tạo các mạch cao tần có các tham số điện học và cơ học với độ tin cậy cao; họ RT/Duroid 6000/Ceramic laminate nền gốm với 2 loại sản phẩm RT/Duroid 28 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần 6002 (với... Hybrid RF c) Hình 1.22 Sơ đồ các bộ tTrộn tần cân bằng đơn trên FET có trở kháng 26 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần chơng ii thiết kế bộ trộn tần cân bằng 2 1 Thiết kế bộ trộn tần 3 GHz cho ra đa 37 2.1.1 Giới thiệu... kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần của LO tơng đơng Ngoài ra, các cổng cách ly của FET có 2 cực cổng luôn làm tăng thêm độ cách ly giữa các cổng LO và RF Kết hợp 2 bộ trộn 1 cực cổng trên hình 1.17 cho ta bộ trộn tần cân bằng trên hình 1.19 Kiểu bộ trộn này... trình trộn tần số đợc thực hiện ở FET bên dới, cực cổng của nó đợc cấp tín hiệu của RF, còn tín hiệu IF đợc lấy ra từ cực máng Bằng việc kết hợp 2 20 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần mạch ngắn mạch IF với mạch phối hợp . Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn. Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn. Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn