1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm

36 1K 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải
Tác giả Nhóm tác giả
Người hướng dẫn TS. Nguyễn Thị Ngọc Minh
Trường học Viện Rađa
Chuyên ngành Kỹ thuật vô tuyến điện và công nghệ vi mạch
Thể loại Đề tài độc lập cấp Nhà nước
Năm xuất bản 2007
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 36
Dung lượng 456,77 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra chế độ làm việc tĩnh: Sau khi lắp ráp hoàn thiện, ta tiến hành kiểm tra chế độ làm việc tĩnh của bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng mét/bộ ghép định hướng

Trang 1

11/01/2007

Hà Nội - 2007

Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa

Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện trưởng Viện Rađa trừ trường hợp sử dụng với mục đích nghiên cứu

Trang 2

Mục lục

Trang

I Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng mét……… 3

ii Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét 6 iiI Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ hạn chế điốt pin dải sóng cm 11

Iv Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm 14

V Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ dao động siêu cao tần dải sóng cm 19

Vi Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm 23 vii Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ cộng/chia công suất dải sóng cm……….……….27 Viii Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ lọc dải dải sóng cm 30

iX Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

X Chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ tự động bám tần số АПЧ 34Phụ lục: Qui trình công nghệ lắp ráp kiểm tra các sản phẩm 36

Trang 3

I chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng mét

Bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng mét cần đạt các chỉ tiêu kỹ thuật và các yêu cầu chính sau:

Trong rađa 55Ж6 công suất lọt trung bình sau đèn cặp nhả điện là tương

đối lớn, phụ thuộc vào chất lượng đèn cặp nhả điện Để đưa được bộ khuếch đại tạp thấp vào thay thế khối ШУВЧ, vấn đề được đặt ra là phải bảo vệ được bộ khuếch đại tạp thấp không bị đánh thủng bởi công suất lọt, cần đưa thêm vào bộ hạn chế công suất làm việc như một bộ chuyển mạch cao tần

Trong tuyến thu cao tần cải tiến này chúng tôi sử dụng bộ chuyển mạch

điốt PIN dải sóng mét/bộ ghép định hướng 20 dB ở đầu vào để bảo vệ bộ khuếch

đại không bị đánh thủng bởi công suất lọt với các đặc trưng kỹ thuật như trên

1 Tiêu chuẩn lựa chọn linh kiện:

- Bán dẫn được nhập theo lô được chuẩn hóa các tham số do hãng cung cấp

- Nếu sử dụng bán dẫn có đặc trưng tương đương cần xây dựng mạch test để so sánh

- Các điện trở có công suất ≥ 1/10W, các giá trị cho phép sai số 5 %

- Các tụ điện cho phép sai số 5 %

Trang 4

2 Tiêu chuẩn lắp ráp mảng mạch:

Tiến hành lắp ráp theo sơ đồ nguyên lý (hình 1)

- Mảng mạch in cần được nối đất trên nhiều điểm dọc theo đường tín hiệu từ đầu vào đến đầu ra

- Dùng ôm kế đo điện trở đến đất của mạch in đến vỏ hộp ≤ 0,1 Ω

III3

III2 III1

SO DO NGUYEN LY MACH HAN CHE CONG SUAT

2

1

4 3

Y2 5 435 036 Y1 5 435 043

Xung dieu khien 2

Xung dieu khien 1

E5 E3

7

3,6 5

R R4

R=50 Ohm

C C6

C=1.08 pF

C C7

C=3.16 pF

C C8

C=1.08 pF

R R2

R=25 Ohm

R R3

R=50 Ohm

C C4

C=100 pF

C C5

C=4700 pF PIN

D6 PIN

D4

PIN D5 PIN

D3

C C1

C=4700 pF R

R1

R=25 Ohm

C C3

C=4700 pF

C C2

C=4700 pF

L L3

L=84.6 nH

L L2

L=84.6 nH

L L1

L=84.6 nH

PIN D2

PIN D1

Hình 1: Sơ đồ nguyên lý bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng m

3 Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra chế độ làm việc tĩnh:

Sau khi lắp ráp hoàn thiện, ta tiến hành kiểm tra chế độ làm việc tĩnh của bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng mét/bộ ghép định hướng 20 dB, chuẩn bị đưa vào làm việc với các máy đo

a Thiết lập chế độ cho máy phân tích mạng:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích mạng như phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào tạo giả của bộ chuyển mạch điốt PIN

Trang 5

- Nối đầu ra của bộ chuyển mạch điốt PIN với cổng 2 của máy phân tích mạng

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Quan sát giá trị hệ số ghép định hướng hiển thị trên máy phân tích mạng

4 Tiêu chuẩn đánh giá tổn hao đi qua và mức hạn chế của bộ hạn chế:

- Thiết lập chế độ làm việc cho máy phân tích mạng như mục 3 phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào của bộ chuyển mạch điốt PIN

- Nối đầu ra của bộ chuyển mạch điốt PIN với cổng 2 của máy phân tích mạng

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Nối đầu tạo xung điều khiển 1 với đầu vào Đk1 của bộ chuyển mạch điốt Pin, đầu tạo xung điều khiển 2 với đầu vào Đk2 của bộ chuyển mạch điốt Pin Quan sát giá trị tổn hao đi qua trên máy phân tích mạng

- Nối đầu tạo xung điều khiển 2 với đầu vào Đk1 của bộ chuyển mạch điốt Pin, đầu tạo xung điều khiển 1 với đầu vào Đk2 của bộ chuyển mạch điốt Pin Quan sát giá trị mức hạn chế trên máy phân tích mạng Giá trị thu

Trang 6

ii chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét

Bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét cần đạt các chỉ tiêu kỹ thuật và các yêu cầu chính sau:

- Dải tần làm việc, [MHz ]

- Hệ số tạp, [dB]

- Hệ số khuếch đại, [dB]

- Độ không đồng đều hệ số khuếch đại trong toàn dải tần, [dB]

- Điểm nén hệ số khuếch đại 1 dB (min), [dBm]

- Điện áp nguồn nuôi, [V]

50 Khối khuếch đại cao tần tạp thấp dải sóng mét cần đạt chỉ tiêu có thể thay thế 1/1 khối ШУВЧ của đài rađa 55Ж6 Kết cấu đảm bảo phối hợp với trở kháng vào của anten đường truyền trên đài 55Ж6 và phối hợp với máy thu Các đầu giắc φ vào/ra hoàn toàn tương thích, có nguồn nuôi độc lập hoặc sử dụng dễ dàng nguồn trên đài

Khối khuếch đại tạp thấp được thiết kế trên quan điểm để thay thế khối ШУВЧ

1 Tiêu chuẩn lựa chọn linh kiện:

- Bán dẫn được nhập theo lô được chuẩn hóa các tham số do hãng cung cấp

- Nếu sử dụng bán dẫn có đặc trưng tương đương cần xây dựng mạch test để so sánh

- Các điện trở có công suất ≥ 1/10W, các giá trị cho phép sai số 5 %

- Các tụ điện cho phép sai số 5 %/

Trang 7

Tiến hành lắp ráp theo sơ đồ nguyên lý (hình 2)

- Mảng mạch in cần được nối đất trên nhiều điểm dọc theo đường tín hiệu từ tầng 1 đến tầng 2

- Dùng ôm kế đo điện trở đến đất của mạch in đến vỏ hộp ≤ 0,1 Ω

+12V

E2 E1

S2P

SNP1

File="C:\ADS2005A\DUCHANH\Tao_LIB_prj\data\NBB-300.txt"

2 1 Ref

Term

Term3

Z=50 Ohm Num=3

Hình 2: Sơ đồ nguyên lý bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét

3 Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh:

Sau khi lắp ráp hoàn thiện, tiến hành kiểm tra chế độ làm việc khi chưa có tín hiệu cao tần (chế độ tĩnh)

Chế độ tĩnh được kiểm tra thông qua việc đo các giá trị điện áp tại các

điểm test

- Dùng Vôn kế một chiều có trở kháng vào ≥ 10 KΩ/V

- Trong sơ đồ, các giá trị test như sau:

Trang 8

4 Tiêu chuẩn đánh giá hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp:

Sau khi hoàn thành bước kiểm tra chế độ làm việc khi chưa có tín hiệu cao tần, ta tiếp tục tiến hành kiểm tra điều chỉnh hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại cao tần tạp thấp, chuẩn bị đưa vào làm việc với các máy đo

- Đặt công suất phát POWER LEVEL: - 80 dB

- Đặt chế độ điều chế PULSE MODE: Internal

d Kiểm tra hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét:

Trang 9

Cách 1: Dùng máy phân tích mạng véc tơ:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích mạng như phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào của bộ khuếch đại

- Nối đầu ra 1 của bộ khuếch đại với cổng 2 của máy phân tích mạng

- Nối đầu ra 2 của bộ khuếch đại với tải 50Ω

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Quan sát giá trị hệ số khuếch đại hiển thị trên máy phân tích mạng

Cách 2: Dùng máy phát sóng quét và máy phân tích phổ:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phát sóng quét và máy phân tích phổ như phần b và c

- Nối đầu ra máy phát sóng quét với đầu vào bộ khuếch đại

- Nối đầu ra 1 của bộ khuếch đại với đầu vào máy phân tích phổ

- Nối đầu ra 2 của bộ khuếch đại với tải 50Ω

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Bật nguồn phát RF cho máy phát sóng quét và quan sát kết quả trên máy phân tích phổ

5 Tiêu chuẩn đánh giá hệ số tạp của bộ khuếch đại tạp thấp:

Sau khi hoàn thành bước kiểm tra hệ số khuếch đại, ta tiếp tục tiến hành kiểm tra hệ số tạp của bộ khuếch đại cao tần âm thấp, chuẩn bị đưa vào làm việc với các máy đo

b Kiểm tra hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích hệ số tạp như phần a

- Nối đầu ra của nguồn phát tạp 346A với đầu vào của bộ khuếch đại

Trang 10

- Nối đầu ra 1 của bộ khuếch đại với đầu vào INPUT 50Ω của máy phân tích hệ số tạp

- Nối đầu ra 2 của bộ khuếch đại với tải 50Ω

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Quan sát giá trị hệ số tạp hiển thị trên máy phân tích hệ số tạp trong dải đo

Trang 11

iiI chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ hạn chế điốt pin dải sóng cm

Bộ hạn chế điốt PIN dải sóng cm cần đạt các chỉ tiêu kỹ thuật và các yêu cầu chính sau:

Trong rađa Π-37 công suất lọt trung bình sau đèn cặp nhả điện là tương

đối lớn, khoảng P =80mW ữ300mW (liên tục), phụ thuộc vào chất lượng đèn cặp nhả điện Để đưa được bộ khuếch đại tạp thấp vào thay đèn YB-99 vấn đề được

đặt ra là phải bảo vệ được bộ khuếch đại tạp thấp không bị đánh thủng bởi công suất lọt, cần đưa thêm vào bộ hạn chế công suất làm việc như một bộ chuyển mạch cao tần

Trong tuyến thu cao tần cải tiến này chúng tôi sử dụng bộ chuyển mạch/ hạn chế điốt PIN dải sóng cm ở đầu vào để bảo vệ bộ khuếch đại không bị đánh thủng bởi công suất lọt với các đặc trưng kỹ thuật như trên

1 Tiêu chuẩn lựa chọn linh kiện:

- Các tụ điện cho phép sai số 5 %

Tiến hành lắp ráp theo sơ đồ nguyên lý (hình 3)

- Mảng mạch in cần được nối đất trên nhiều điểm dọc theo đường tín hiệu từ tầng 1 đến tầng 3

- Dùng ôm kế đo điện trở đến đất của mạch in đến vỏ hộp ≤ 0,1 Ω

Trang 12

M LI N

TL30

L=4 m m W=0 3 mm Subst =" MSub1"

M LI N

TL28

L=35 m m W=0 3 m m Subst =" M Sub1"

M LI N

TL26

L=10 5 mm Subst =" MSub1"

M LI N

TL27

L=10 5 mm Subst =" MSub1"

M LI N

TL10

L=30 mm W=0 3 m m Subst ="M Sub1"

L=30 mm W=0 3 m m

M LI N

TL24

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

MLI N

TL25

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

M LI N

TL32

L=4 mm W=4 852 m m Subst =" MSub1"

M LI N

TL29

L=11 m m W=4 852 mm Subst ="M Sub1"

VI A2

V13

W=100 m m Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 m m D=0 5 m m

M LI N

TL33

L=9 45 m m W=4 852 mm Subst =" M Sub1"

M LI N

TL34

L=9 45 m m W=4 852 mm Subst =" M Sub1"

MLI N

TL35

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

MLI N

TL31

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

M LI N

TL36

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

MLI N

TL37

L=9 45 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

VI A2

V11

W=100 m m Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 m m D=0 5 m m

M LSUBSTRATE2

Subst 1

Layer Type[ 2] =gr ound

Layer Type[ 1] =signal

VI A2

V9

W=100 mm Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 mm D=0 5 m m

VI A2

V3

W=100 m m Rho=1 0 T=0 2 mm H=1 57 m m D=0 5 mm

VI A2

V4

W=100 mm Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 mm D=0 5 m m VI A2

V6

W=100 mm Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 mm D=0 5 m m

VI A2

V8

W=100 m m Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 m m D=0 5 m m

M SUB

Rough=0 m m TanD=9e- 4 T=36e- 3 m m Hu=10 m m Cond=1 0E+50

M ur =1 H=1 57 m m

MSub

M L4CTL_V

CLin1

ReuseRLG C=no RLG C_File=

Layer [ 4] =1 Layer [ 1] =1 W[ 4] =3 148 mm S[ 2] =0 396 m m W[ 2] =4 131 mm Lengt h=16 017 m m Subst =" Subst 1"

MLI N

TL8

L=18 9 m m W=4 852 m m Subst ="M Sub1"

M LI N

TL20

L=18 9 mm W=4 852 m m Subst =" MSub1"

VI A2

V1

W=100 mm Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 mm D=0 5 m m

VI A2

V2

W=100 m m Rho=1 0 T=0 2 m m H=1 57 m m D=0 5 m m

M LI N

TL18

L=9 45 m m W=4 852 mm Subst ="M Sub1"

MLI N

TL16

L=6 426 mm W=2 775 m m Subst ="M Sub1"

MCURVE

Cur ve4

Radius=3 643 m m Angle=180 W=2 775 m m Subst ="M Sub1"

MTEE

Tee5

W3=4 852 m m Subst ="M Sub1"

MLI N

TL15

L=6 426 mm W=2 775 m m Subst ="M Sub1"

MCURVE

Cur ve3

Radius=3 643 m m Angle=180 W=2 775 m m Subst ="M Sub1"

MTEE

Tee4

W3=4 852 m m Subst ="M Sub1"

M TEE

Tee3

W3=4 852 m m Subst =" MSub1"

M TEE

Tee2

W3=4 852 m m Subst =" MSub1"

M TEE

Tee1

W3=4 852 m m Subst ="M Sub1"

3 Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra chế độ làm việc tĩnh:

Sau khi lắp ráp hoàn thiện, ta tiến hành kiểm tra chế độ làm việc tĩnh của bộ

hạn chế, chuẩn bị đ−a vào làm việc với các máy đo

b Kiểm tra mức tổn hao đi qua của bộ chuyển mạch điốt PIN:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích mạng nh− phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào của bộ chuyển mạch điốt

PIN

- Nối đầu ra của bộ chuyển mạch điốt PIN với cổng 2 của máy phân tích

mạng

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Quan sát giá trị tổn hao đi qua đ−ợc hiển thị trên máy phân tích mạng

Trang 13

4 Tiêu chuẩn đánh giá mức hạn chế của bộ chuyển mạch điốt PIN:

- Thiết lập chế độ làm việc cho máy phân tích mạng như mục 3 phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào của bộ chuyển mạch điốt PIN

- Nối đầu ra của bộ chuyển mạch điốt PIN với cổng 2 của máy phân tích mạng

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Nối xung điều khiển cho bộ chuyển mạch điốt PIN

- Quan sát đáp ứng tần số hiển thị trên máy phân tích mạng trong dải đo từ 2,7 GHz – 3,1 GHz Giá trị thu được ≥ 40 dB ± 0,5 dB

- Tiến hành điều chỉnh các giá trị linh kiện sao cho mức hạn chế đạt được ≥

40 dB ± 0,5 dB

Quá trình đo hiệu chỉnh bộ hạn chế điốt PIN dải sóng cm chỉ được thực hiện trong PTN với các phương tiện đo tương đương

Trang 14

Iv chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu sản phẩm đối với

bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng Cm

Bộ khuếch đại cao tần tạp thấp dải sóng cm cần đạt các chỉ tiêu kỹ thuật và các yêu cầu chính sau:

- Dải tần làm việc: (2,7- 3,1 ) GHz

- Hệ số tạp: < 3 dB

- Hệ số khuếch đại: > 25 dB

- Độ không đồng đều hệ số khuếch đại trong toàn dải tần: < ± 1 dB

- Điểm nén hệ số khuếch đại 1 dB (min): 10 dBm

- Hệ số sóng đứng vào/ra (max): 1,5:1

- Trở kháng vào, ra: 50Ω

- Nguồn nuôi cung cấp cho bộ KĐTT là nguồn nuôi + 12V

Khối khuếch đại cao tần tạp âm thấp dải sóng cm cần đạt chỉ tiêu có thể thay thế 1/1 đèn sóng chạy YB - 99 của đài rađa Π-37 Kết cấu đảm bảo phối hợp với trở kháng vào của anten đường truyền trên đài rađa Π-37 dải sóng cm và phối hợp với máy thu Các đầu giắc φ vào/ra hoàn toàn tương thích, có nguồn nuôi độc lập hoặc sử dụng dễ dàng nguồn trên đài Khối khuếch đại tạp thấp

được thiết kế trên quan điểm để thay thế 1/1 đèn YB - 99

Tham số kỹ thuật của đèn YB - 99 như sau:

Trang 15

- Độ không đồng đều hệ số khuếch đại: < ± 1 dB

- Điểm nén hệ số khuếch đại 1 dB: 10

- Điện áp nguồn nuôi: + 12 V

- Hệ số sóng đứng vào ra: 1,5 : 1

- Trở kháng vào ra: 50 Ω

- Khối khuếch đại cao tần được bảo vệ khỏi xung dò từ máy phát lọt vào máy thu trong thời gian xung kích phát của đài nhờ khối bảo vệ thụ

động dòng điốt PIN có tốc độ chuyển mạch cao

1 Tiêu chuẩn lựa chọn linh kiện:

- Bán dẫn được nhập theo lô được chuẩn hóa các tham số do hãng cung cấp

- Nếu sử dụng bán dẫn có đặc trưng tương đương cần xây dựng mạch test để so sánh

- Các điện trở có công suất ≥ 1/10W, các giá trị cho phép sai số 5 %

- Các tụ điện cho phép sai số 5 %

Trang 16

2 Tiêu chuẩn lắp ráp mảng mạch:

Tiến hành lắp ráp theo sơ đồ nguyên lý (hình 4)

- Mảng mạch in cần được nối đất trên nhiều điểm dọc theo đường tín hiệu từ

MLIN

L=2.5 mm W=1.4 mm Subst="MSub1"

MLIN

TL9

L=2.5 mm W=1.4 mm Subst="MSub1"

MLIN

TL2

L=2.5 mm W=1.4 mm Subst="MSub1"

MLIN

TL3

L=2.5 mm W=1.4 mm Subst="MSub1"

Hình 4: Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại tạp thấp

3 Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh:

Sau khi lắp ráp hoàn thiện, tiến hành kiểm tra chế độ làm việc khi chưa có

Trang 17

4 Tiêu chuẩn đánh giá hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp:

Sau khi hoàn thành bước kiểm tra chế độ làm việc khi chưa có tín hiệu cao tần, ta tiếp tục tiến hành kiểm tra điều chỉnh hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại cao tần âm thấp, chuẩn bị đưa vào làm việc với các máy đo

- Đặt công suất phát POWER LEVEL: - 80 dB

- Đặt chế độ điều chế PULSE MODE: Internal

d Kiểm tra hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm:

Cách 1: Dùng máy phân tích mạng véc tơ:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích mạng như phần a

- Nối cổng 1 của máy phân tích mạng với đầu vào của bộ khuếch đại

- Nối đầu ra của bộ khuếch đại với cổng 2 của máy phân tích mạng

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Bật nguồn phát RF của máy phân tích mạng

- Quan sát giá trị hệ số khuếch đại hiển thị trên máy phân tích mạng

Trang 18

Cách 2: Dùng máy phát sóng quét và máy phân tích phổ:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phát sóng quét và máy phân tích phổ như phần b và c

- Nối đầu ra máy phát sóng quét với đầu vào bộ khuếch đại

- Nối đầu ra bộ khuếch đại với đầu vào máy phân tích phổ

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Bật nguồn phát RF cho máy phát sóng quét và quan sát kết quả trên máy phân tích phổ

5 Tiêu chuẩn đánh giá hệ số tạp của bộ khuếch đại tạp thấp:

Sau khi hoàn thành bước kiểm tra hệ số khuếch đại, ta tiếp tục tiến hành kiểm tra hệ số tạp của bộ khuếch đại cao tần âm thấp, chuẩn bị đưa vào làm việc với các máy đo

b Kiểm tra hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm:

- Thiết lập chế độ làm việc của máy phân tích hệ số tạp như phần a

- Nối đầu ra của nguồn phát tạp 346A với đầu vào của bộ khuếch đại

- Nối đầu ra của bộ khuếch đại với đầu vào INPUT 50Ω của máy phân tích

hệ số tạp

- Bật nguồn nuôi cho bộ khuếch đại

- Quan sát giá trị hệ số tạp hiển thị trên máy phân tích hệ số tạp trong dải đo

Ngày đăng: 15/05/2014, 09:01

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1: Sơ đồ nguyên lý bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng m. - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 1 Sơ đồ nguyên lý bộ chuyển mạch điốt PIN dải sóng m (Trang 4)
Hình 2: Sơ đồ nguyên lý bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét  3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 2 Sơ đồ nguyên lý bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét 3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: (Trang 7)
Hỡnh 3 : Sơ đồ nguyờn lý bộ chuyển mạch/  hạn chế   điốt PIN dải súng cm  3. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra chế độ làm việc tĩnh: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
nh 3 : Sơ đồ nguyờn lý bộ chuyển mạch/ hạn chế điốt PIN dải súng cm 3. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra chế độ làm việc tĩnh: (Trang 12)
Hình 4: Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại tạp thấp  3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 4 Sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại tạp thấp 3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: (Trang 16)
Hình 5: Sơ đồ nguyên lý bộ dao động siêu cao tần dải sóng cm  3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 5 Sơ đồ nguyên lý bộ dao động siêu cao tần dải sóng cm 3. Tiêu chuẩn cần đạt của chế độ làm việc tĩnh: (Trang 20)
Hình 6: Sơ đồ nguyên lý bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm  3. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra các tham số của bộ trộn: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 6 Sơ đồ nguyên lý bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm 3. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra các tham số của bộ trộn: (Trang 24)
Hình 8: Sơ đồ nguyên lý mạch lọc dải  2. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra đáp ứng của bộ lọc: - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 8 Sơ đồ nguyên lý mạch lọc dải 2. Tiêu chuẩn cần đạt khi kiểm tra đáp ứng của bộ lọc: (Trang 30)
Hình 9: Sơ đồ nguyên lý mạch tiền khuếch đại trung tần máy thu - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 9 Sơ đồ nguyên lý mạch tiền khuếch đại trung tần máy thu (Trang 32)
Hình 11: Qui trình công nghệ lắp ráp kiểm tra các sản phẩm - Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
Hình 11 Qui trình công nghệ lắp ráp kiểm tra các sản phẩm (Trang 36)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TRÍCH ĐOẠN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w