Báo cáo thực hành nguyên lý KT điện tuần 2 Báo cáo thực hành nguyên lý kỹ thuật điện tử tuần 2 Transistor lưỡng cực BJT và các mạch khuếch đại Nhóm thực hành Họ và tên MSSV Nguyễn Tùng Dương 20021107.
Trang 1Báo cáo thực hành nguyên lý kỹ thuật điện tử tuần 2 Transistor lưỡng cực BJT và các mạch khuếch đại
Nhóm thực hành:
1 Khảo sát đặc tuyến I-V của transistor NPN và PNP
● Bản mạch thực nghiệm A2-1:
1.2 Đo đặc tuyến lối ra i C = f(v CE ) với các i B = const của transistor NPN
Bảng A2-B1:
5 0.1
iC 4 3.9
8
3.8 6
3
8
3
7
3
6 1
3
4 5
3
3 2
3 1 1 3
Trang 220 µ𝐴 vCE 6.1 5.5 5 4.
4 3 2.5 2 1.4 1 110.
iC 8.8
5 8.03 7.99 7.7
4
7
4 5
7
2 1
6
9 5
6
8 1
6 6 7
0 1 4
30 µ𝐴 vCE 4.1 3.6 3.0 2
7 2.2 1.7 1.3 1 0.1
5
0 1
iC 11
3 11 10.75 0.1
4 5
1 0
2
9
9 3
9
6 2
9
5 9.3 3
0 1 3
40 µ𝐴 vCE 2.5 2.1 1.9 1
5
1
1
0
8
0
2
0
1 5
0 11
0 1
iC 8.1 8 7.8
7 7.7 2
7
3 7 6.7
5
6
4 5 0.1
3
Nhận xét:
Vẽ họ đặc tuyến ra iC= f(vCE) với các iB= const của transistor NPN:
Trang 3Hệ số khuếch đại dòng β = 𝑖𝐵1−𝑖𝐵2𝑖𝐶1−𝑖𝐶2 = 320
1.3 Đo đặc tuyến lối ra i C = f(v CE ) với các i B = const của transistor PNP
Bảng A2-B2:
8 8.2 7.9 7.1 6.3 5 3.8 2.1 1 0.1
5
iC 2
6 9
2
8 5
2
6 2
2
5 5
2
4 7
2
4 1
2
3 2
2
2 112. 0.9
3
6 6.8 5.1 4 3.1 2.2 1.5 0.8 0.2 110.
iC 5
6 5
5
6 3
5
4 1
5
1 7
4
9 3
4
6 8
4
5 4.3 7
4
1 0.9 4
2 5.2 3.9 2.4 1.6 1.3 0.9 0.4 0.2
5
0 1 2
iC 7
8 7
7
7 9
7
5 7.1 6.8 6.5 6.4 6.2 5.6 0.9
4
4
4
2
3
8
2
5
1
1
0
8
0
2
0 1 5
0 11
iC 8
1
8 7
8 7
7
7 2
7
3
7 6
7 5
6
4
5 0 9 3
Nhận xét:
Vẽ họ đặc tính ra iC= f(vCE) với các iB= const của transistor PNP
Trang 4Hệ số khuếch đại dòng β = 𝑖𝐵1−𝑖𝐵2𝑖𝐶1−𝑖𝐶2 = 23
2 Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Emitter chung CE
● Bản mạch thực nghiệm A2-2:
2.1 Đo hệ số khuếch đại:
Bảng A2-B3:
Trang 5Kiểu Trạng thái J1 J2 J4 J5 J6 J8 J9 Biên độ VOUT A
Nhận xét:
Nguyên nhân làm thay đổi hệ số khuếch đại do phối hợp trở kháng giữa các điện trở trong mạch, tuy nhiên đặc biệt tụ J8 sẽ cho phép nối tắt xoay chiều qua trở RE sẽ không có trở phản hồi âm do đó hệ số khuếch đại không bị giảm đi, nên 2 trường hợp cuối hệ số khuếch đại tăng lên lớn
Dạng sóng:
Lối ra ngược pha với tín hiệu vào vì hệ số khuếch đại bé hơn 0
Trang 6Avt=𝑣𝑂𝑣𝐼 ≡− 𝑔𝑚(𝑅𝐿||𝑅𝐶1+ 𝑔𝑚𝑅𝐸
2.2 Đo đáp ứng tần số của bộ khuếch đại:
Bảng A2-B4:
Vout 118.75
mV 118.75mV 118.75mV 113.75mV 106.25mV 91.25mV 75mV 61.25mV A=Vout/Vin 4.75 4.75 4.75 4.55 4.25 3.65 3 2.45
Nhận xét:
- Sự phụ thuộc của A vào f (f càng tăng thì A càng giảm)
Trang 7- Nguyên nhân suy giảm ở các tần số thấp và cao là do các tụ ký sinh bên trong lớp tiếp giáp p-n và các tụ ghép tầng trong mạch khuếch đại
2.3 Khảo sát các mạch phản hồi âm cho tầng khuếch đại emitter chung
2.3.1 Xác định hệ số khuếch đại;
Bảng A2-B5:
V 250mV 5
V
3.8V 76
V 200mV 4
2.3.2 Khảo sát ảnh hưởng của các kiểu phản hồi âm lên đặc trưng tần số
Bảng A2-B6
z 1KHz 100KHz 1MHz 2MHz 7MHz 10MHz 20MHz
VINkhi nối J1, J5, J7 50m
V 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV
VOUTkhi nối J1, J5,
J7
10V 10V 10V 9.75
V
8.35 V
1.6V 800m
V
A = VOUT/ VIN 200 200 200 195 167 32 16
VINkhi nối J2, J4, J5 50m
V
50m V
50m V
50m V
VOUTkhi nối J2, J4,
J5
210m V
210m V
210m V
200m V
A = VOUT/ VIN 4.2 4.2 4.2 4
Trang 82.3.3 Khảo sát ảnh hưởng phản hồi âm lên tổng trở vào:
Bảng A2-B7
Kiể
u
Trạng thái J1 J2 J4 J5 J7 J8 Vm(
0)
Vm( 1) Rin=
𝑉𝑚(0)𝑅𝐼 𝑉𝑚(0)−𝑉𝑚(1)
1 Không có
phản hồi
âm
mV 200mV
2 Có phản
hồi âm
1+2
mV
200 mV
Nhận xét:
- Tác động của phản hồi âm lên mạch CE chung: Tuy làm hệ số khuếch đại của mạch giảm đi (1 + ) lần nhưng các mạch phản hồi âm này đem lại các tính chấtβ của bộ khuếch đại:
+ Làm tăng tính ổn định của bộ khuếch đại
+ Làm tăng dải truyền qua bộ khuếch đại lên (1 + ) lầnβ
+ Làm tăng trở vào của bộ khuếch đại lên (1 + ) lần.β
3 Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Collector chung CC (bộ lặp lại emitter)
● Bản mạch thực nghiệm A2 - 3:
Trang 9Bảng A2-B8
Dòng iB/ T1 (Chỉnh P1) Dòng iE/ T1
Nhận xét: Hệ số khuếch đại dòng:
A(I) = 𝑖𝐵2−𝑖𝐵1𝑖𝐸2−𝑖𝐸1 = 308
4 Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Base chung CB
● Bản mạch thực nghiệm A2 - 4:
Bảng A2-B9
Dòng iE/ T1 (Chỉnh P1) Dòng iC/ T1
Nhận xét: Hệ số truyền dòng:
Trang 10α = 𝑖𝐶2−𝑖𝐶1𝑖𝐸2−𝑖𝐸1 ≃ 1