Giả sử ngõ vào bán kỳ dương tín hiệu Vin đi vào cực B của Q1 qua tụ C1.. Do tính chất của bán kỳ dương, áp vào cực B của Q1 dương, làm cho Q1 dẫn yếu, làm cho dòng qua R3 giảm.. Do đó dò
Trang 1CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
Độc lập-Tự do-Hạnh phúc
ĐÁP ÁN
ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 (2009-2012)
NGHỀ: ĐIỆN TỬ DÂN DỤNG
MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ
Mã đề thi: ĐA ĐTDD - LT04
I Phần bắt buộc
1 Trình bày ký hiệu, phương trình và bảng trạng thái của các cổng
logic cơ bản
1 Cổng đệm (BUFFER):
Cổng đệm là cổng logic có một ngõ vào và một ngõ ra
y = x
2 Cổng đảo (NOT): Cổng đảo là cổng có một ngõ vào và một ngõ ra y = x_
3 Cổng VÀ (AND) ):
y = x1.x2 4 Cổng HOẶC (OR) ): y = x 1 + x 2 5 Cổng NAND = AND+NOT:
0,25đ 0,25đ 0,25đ 0,25đ 0,5đ y x y x x1 y x2 x2 y x1 x1 x2 y x y 0 1 01 x y 0 1 1 0 x1 x2 y 0 0
0 1
1 0
1 1
0 0 0 1 x1 x2 y 0 0
0 1
1 0
1 1
0 1 1 1 x1 x2 y 0 0
0 1
1 0
1 1
1 1 1 0
Trang 26 Cổng NOR = OR+NOT:
0,5đ
2 Nêu nhiệm vụ các linh kiện và giải thích ngguyên lý hoạt động của mạch
khuếch đại công suất push - pull dùng đảo pha đối xứng phụ có sơ đồ mạch
như sau :
V i n
C 3
R 1 0
R 7
0
R 4
S P E A K E R
C 2
Q 1
R 2
R 1 1
Q 2
Q 4
R 3
2 Q 3
R 1
R 6
R 5
B
-R 1 2
V o u t
C 1
R 9
R1: phân cực cho Q1 R2, R3: phân cực cho Q2, Q3 C1: tụ cách ly DC
C3: tụ xuất âm cho tải loa
R8: phân cực cho Q5 R4, R11: Ổn định nhiệt độ R6, R7, R10: Ổn định nhiệt độ R9: Hạn dòng cho các cực ở chân C của transistor R12, C2: nâng cao độ trung thực của âm thanh điều hoà mạch công suất
Giả sử ngõ vào bán kỳ dương tín hiệu Vin đi vào cực B của Q1 qua tụ C1 Tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q1 được rẽ làm hai nhánh Nhánh 1 đi vào cực
B của Q2 qua điện trở gánh R3 và được lấy ra tại cự E của Q2 Nhánh 2 đi vào
cực B của Q3
Do tính chất của bán kỳ dương, áp vào cực B của Q1 dương, làm cho Q1 dẫn yếu, làm cho dòng qua R3 giảm Dẫn đến áp phân cực cho hai transistor Q2
và Q3 giảm, làm cho Q2 và Q3 dẫn yếu Do đó dòng trên R8 giảm, áp rơi trên
R8 cũng giảm, làm cho Q5 dẫn mạnh Trong khi đó áp rơi trên VCE của Q2
lớn, làm cho Q4 nghưng dẫn Kết quả, giá trị điện áp đã được nạp đầy của tụ
xuất âm, C3 được xả qua loa xuống mass rồi đến Q5
Mặt khác tại ngõ ra cực C của Q1 ta có tín hiệu bị đã đảo pha 180o với
0.5đ
0.5đ
0.5đ
0.5đ
x2
y x1 1
y x x
1. 2
y x x
x1 x2 y
0 0
0 1
1 0
1 1
1 0 0 0
Trang 3tín hiệu vào Vin Tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q1 là tín ngõ vào cực B của Q3.
Mà tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q3 đảo pha 180o so với ngõ vào cực B của nó
Vậy sau hai lần đảo pha, tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q3 (là ngõ vào cực B của
Q5, cũng là ngõ ra tụ xuất âm) đồng pha với tín hiệu vào Vin
Do đó bán kỳ dương của tín hiệu vào Vin, tạo ra điện áp với bán kỳ âm, gây lực đẩy loa
Tương tự như vậy, với bán kỳ âm của tín hiệu vào Vin, áp rơi trên cực B của Q1 giảm, làm cho Q1 dẫn mạnh Dẫn đến dòng qua R3 lớn, làm cho áp rơi
trên R3 lớn Dẫn đến Q2 và Q3 dẫn mạnh Điều này làm cho dòng qua R8 lớn,
dẫn đến áp rơi trên R8 lớn, làm cho Q5 ngưng dẫn Trong khi đó, áp rơi trên Q2
giảm, làm cho Q4 dẫn mạnh Kết quả, tụ xuất âm được nạp từ mass qua loa, đến
tụ C3, rồi qua Q4 về nguồn âm
Do đó bán kỳ âm của tín hiệu vào Vin, tạo ra điện áp với bán kỳ dương, gây lực kéo loa
3 a) Các nguyên nhân có thể dẫn đến làm nóng Tranzitor công suất ngang
(sò ngang) và cách kiểm tra sò ngang
* Các nguyên nhân có thể dẫn đến làm nóng Tranzitor công suất ngang (sò
ngang)
- Ngõ ra của sò ngang, tuc là cuộn Flyback đã bị chạm hay quá tải
- Ngõ vào cực B/ hay có nghĩa là sóng quét ngang tới đã quét ngang tới quá mạnh
* Cách kiểm tra Tranzitor công suất ngang (sò ngang)
(1) Cách đo nóng : chỉ khi nào quét ngang không chạy mạch bình thường hoặc
không chạy thì ta mới thực hiện phép đo ở cực C/H out
Nếu cực C có điện áp dương : + Đúng bằng B+ : Sò ngang đang ngắt
+ Cao hơn B+ hoặc cao vọt : có xung Fly back, sò ngang đã dẫn
+ Thấp hơn B+ : có sự rò rỉ ở sò ngang, tụ điện, diode damper hoặc Flyback
(2) Cách đo nguội: tháo sò ngang ra ngoài và dùng VOM kiểm tra
+ Với sò ngang bình thường : kiểm tra đo trasistor bình thường
+ Với sò ngang có diode đệm và điện trở B-E:
+ RBE thuận và nghịch : Khoảng vài chục ôm
+ RCE thuận : rất lớn thường là∞ + RCE nghịch : là điện trở thuận của diode
b) Các nguyên nhân có thể dẫn đến khung sáng bị co và bị nở rộng bề
ngang
* Các nguyên nhân làm khung sáng bị co theo bề ngang:
- H.V bị cao quá bình thường ( đi đôi với đánh lửa)
- B+ = 110V bị thiếu
- Tụ đếm chân C/ H.out thiếu trị số
* Các nguyên nhân dẫn đến làm khung sáng bị mở rộng theo bề ngang.
- Có sự rò rỉ nhẹ ở sò ngang nên làm yếu đi phần nào điện áp H.V
0.5đ
1.0đ
0.75đ
0.75đ
Trang 4- Công suất ngang chạy mạnh do B+ vọt cao hoặc do sóng quét ngang đến công suất cao bị cao -> hiện tượng: chỉnh Bright càng cao thì khung sáng càng yếu đi và có lõm đen ở giữa màn hình nếu bị nặng hơn thì khung sáng có thể bị mất hẳn luôn
- Tụ đệm chân C / H.out gắn vi sai ( tăng trị số )
II Ph ần tự chọn, do trường biên soạn
………, ngày………. tháng…….năm………