T UYÊN BỐ BẢN QUYỀN Tài liệu ày thuộc loại sách iáo trì h ê các uồ thô ti có thể được hé dù uyê bả hoặc trích dù cho các mục đích về đào tạo và tham khảo... Tác iả i ch thà h cảm u Th y
Trang 1UỶ BAN NHÂN DÂN TỈNH ĐỒNG THÁP
của Hiệu trưởng Trường Cao đẳng ngh Đồng Tháp)
Đồ Thá , ăm 2017
Trang 2T UYÊN BỐ BẢN QUYỀN
Tài liệu ày thuộc loại sách iáo trì h ê các uồ thô ti có thể được
hé dù uyê bả hoặc trích dù cho các mục đích về đào tạo và tham khảo
Mọi mục đích khác ma tí h lệch lạc hoặc sử dụ với mục đích ki h doa h thiếu là h mạ h sẽ bị hiêm c m
Trang 3LỜ G Ớ TH U
Giáo trì h ày được biê soạ th o Chư trì h chi tiết mô đu Điệ tử c
bả ba hà h k m th o Chư trì h đào tạo hề Điệ tử công nghiệ trì h độ cao đ
C u tr c c a iáo trì h bao ồm 5 bài Cụ thể hư sau
Bài : NH N Đ N T Bài 2: M CH CHỈNH U
Bài : M CH PHÂN C C B T, MOSFET, SCR
Bài : M CH N ÁP
Bài : M CH DA ĐỘNG
Tác iả i ch thà h cảm u Th y hoa Điệ -Điệ đ biê soạ
h tài liệu iả dạy có liê ua đế mô đu ày trước đó ua hiều iai đoạ
Tác iả i ch thà h cảm Th y Trư ă Tám là iả viê hoa
Cô hệ Trư Đại học C Th là tác iả c a các Giáo trì h: NH N
Mọi đó ó kiê i vui l trao đ i ua s điệ thoại: 0989297510 hoăc mail: tha h ia 76@gmail.com
i ch thà h cảm !
Đồng Tháp, ngày 13 tháng 07 năm 2017
Giả viê biê soạ : Phan Thanh Giang
Trang 5G ÁO TRÌNH MÔ ĐUN
ghĩa và vai trò của h c:
à mô đu cu c cho ư i học các kiế th c về các loại li h kiệ điệ tử c bả , thiết kế được các mạch mạch điệ tử c bả mạch ch h lưu điệ á , mạch h cực, mạch á , mạch dao độ và hì h thà h các k
ă l mạch, đo các thô s c a các mạch điệ tử c bả , vẽ đực các tí hiệu c a mạch
M c ti của :
au khi học o mô đu ày, ư i học có khả ă :
i th c:
Giải thích được uyê l hoạt độ các mạch điệ tử c bả
Hiểu được uy trì h l , đo các thô s các mạch điệ tử c bả
g:
ử dụ thà h thạo các dụ cụ đo kiểm
iểm tra được các i h kiệ điệ tử
Thay thế được các i h kiệ điệ tử tư đư
thà h thạo được các mạch điệ tử c bả th o uy trì h
ác đị h được hư h các mạch điệ tử c bả và sửa ch a được các hư
h
N g c t chủ và tr ch hi :
Tích cực tro thực hà h
Có khả ă vậ dụ các kiế th c, k ă đ học để á dụ vào các mô
đu khác và l h vực chuyê mô hề hiệ
Trang 6Đảm bảo a toà tro thực hà h
Nội d g của
Trang 7Đo, kiểm tra được li h kiệ điệ tử
ác đị h chí h ác li h kiệ t t, u và biết thay thế
Thái độ:
N hiêm t c, tích cực tro thực hà h
Đảm bảo a toà tro thực hà h về ư i, thiết bị, dụ cụ
Chịu trách hiệm với h sả h m mì h tạo ra
Có khả ă vậ dụ các kiế th c, k ă đ học để á dụ vào thực tế Nội du bài:
Trang 8R=U/I
Tro đó:
U: là hiệu điệ thế i a hai đ u vật d điệ , đo bằ Vôn (V)
I: là cư độ d điệ đi ua vật d điệ , đo bằ Ampe (A)
R: là điệ tr c a vật d điệ , đo bằ Ohm Ω Thí dụ hư có một đoạ d y d có điệ tr là Ω và có d điệ A chạy
ua thì điệ á i a hai đ u d y là
Điệ tr R c a d y d t lệ thuậ với điệ tr su t và độ dài d y d , t lệ hịch với tiết diệ c a d y
R = /S Tro đó:
L là chiều dài c a d y d , đo th o mét
là tiết diệ diệ tích mặt c t , đo th o m2
ρ tiế Hy ạ : rô) là điệ tr su t hay c ọi là điệ tr riêng hoặc su t điệ tr , ó là thước đo khả ă khá lại d điệ c a vật liệu Điệ tr su t c a một d y d là điệ tr c a một d y d dài m có tiết diệ 1mm2, ó đặc trư cho vật liệu d y d
Điệ tr (R sistor: co điệ tr ) là một li h kiệ điệ tử thụ độ ồm hai tiế điểm kết i, thư được dù để hạ chế cư độ d điệ chảy tro mạch, điều ch h m c độ tí hiệu, dù để chia điệ á , kích hoạt các li h kiệ điệ tử tích cực ch độ hư transistor, tiế điểm cu i tro đư truyề điệ
và có trong r t hiều dụ khác
1.1.1.2 Cấ t
Điệ tr có c u tạo hư Hì h 1
Trang 9(a): C u tạo điệ tr tha b : Mặt c t điệ tr tha
để liê kết t t cả với hau.Tỷ lệ c a bụi cacbo và m uyết đị h iá trị điệ tr
Tỷ lệ carbo cà cao thì tr khá cà th và ược lại H hợ được đ c thà h dạ hì h trụ với d y kim loại hoặc d y d được vào m i đ u để kết
i điệ , sau đó được bọc bằ vật liệu cách hiệt bê oài và đá h d u m màu hoặc m iá trị để biểu thị iá trị điệ tr c a ó
V h i i tr :
Trang 10Trê thị trư có r t hiều loại điệ tr khác hau cho h mục đích,
cô dụ khác hau Có hiều cách để h loại điệ tr hư th o tí h ch t, th o vật liệu, th o cô dụ , Để đ iả , ta tìm hiểu h loại điệ tr th o vật liệu
c u tạo ê điệ tr
Điệ tr carbo : là loại c u tạo t hợ ch t tha hoặc tha chì và h bê oài là bột m cách điệ oại ày có cô su t th , hù hợ với các dụ
t s cao oại ày có khả ă ch hi u t t
Điệ tr mà ilm hoặc m kim loại: oại có cô su t được m là
th h t Có thà h h t bột ô it kim loại hư thiết, hoặc ik kết t a
Điệ tr d y u : Có thà h h là hợ kim Nik -Crom Ch được tạo thà h bằ cách u d y kim loại m vào một lớ m cách điệ dưới dạ l
o o Ch có cô su t khá cao chịu được hiệt độ cao Một loại khác c a điệ tr d y u là điệ tr d y u cô su t cao Đ y là h loại điệ tr chịu đự được với hiệt độ cao, cô su t cao
Điệ tr ua (hay ua tr , photoresistor, photocell, LDR viết t t tiế Anh: i ht D d t R sistor : được chế tạo bằ ch t đặc biệt có điệ tr thay
đ i iảm th o m c ánh sáng chiếu vào Các hợ ch t để chế tạo điệ tr ua là: Chì(II) Sunfua (PbS) và Indi Antimonua b được sử dụ cho vù h hồ oại
đ i được)
đ Biế tr R: điệ tr thay đ i được)
Hì h 2 hiệu điệ tr trê mạch điệ
Trang 11hiệu khác một s loại điệ tr :
(e) PTC Điệ tr hiệt dư )
(f) NTC Điệ tr hiệt m)
(g) Điê tr ua
Hì h 3 hiệu loại điệ tr khác trê mạch điệ
1.1.2 C c th g số cơ ả
Các thô s c bả c a điệ tr ồm: iá trị c a điệ tr hm: ),
cô su t P W , hiệt độ 0C , vật liệu c u tạo ê điệ tr
1.1 Đơ vị của i tr
Đ vị điệ tr là: (Ohm), K, M
1K (Kilô Ohm) = 1.000 1M (Mêga Ohm) = 1.000 K = 1.000.000
Trang 12Điệ tr
v màu) (c)
Điệ tr
6 v màu) (d)
Điệ tr dá )
đ Điệ tr dá ) (e)
Điệ tr
cô su t) (f)
Điệ tr
cô su t) (g)
Điệ tr tha h)
(h)
NTC Điệ tr hiệt m)
(i)
PTC Điệ tr hiệt dư )
Điệ tr hiệt cô su t)
(n) Điệ tr hiệt cô su t)
(0)
Điệ tr d y u )
(p)
Trang 13Biế tr volum trục oay)
Trang 14a Đ i với điệ tr có v màu:
Giá trị c a điệ tr : A: B: 2)x10C C: 3) 20 hô
có mặc đị h sai s 20%)
í dụ: Tìm iá trị c a điệ tr có v màu sau
í dụ: Tìm giá trị c a điệ tr có v màu sau
N u đ đ và kim Đ tím cam và kim a h lá a hdư cam và kim 10x102 = 1K 5% 27x103
= 27 K 5% 56x103 = 56 K 5%
c Đ i với điệ tr có v màu:
Giá trị c a điệ tr :
Trang 152 3)x10D 4) ai s )
í dụ: Tìm iá trị c a điệ tr có 0 v màu sau
Đ Tím à Đ N u a h dư ám Đ Đ
à kim a h lá Đ N u Đ N u274x102 = 27,4K 1% 680x102 = 68 K 5% 521x100 = 521 1%
* Ghi chú :
Nếu khô có v s t c là loại điệ tr ch có v màu thì sai s
là 20%
+ Điệ tr là li h kiệ khô h cực, ê khi m c vào mạch điệ ta khô
c hải h biệt hai đ u c a điệ tr
Một s iá trị điệ tr tro thực tế:
Trang 16Tr g h M c ghi ằ g số: loại ày thư dù các mạch
h c tạ hư máy vi tí h, thiệt bị cô hệ cao, …
í dụ 1: Tìm iá trị c a điệ tr sau
Hình 10 Hì h dá điệ tr dá
Trang 17í dụ 2: Tìm iá trị c a điệ tr sau
Trang 18dư hay thuậ hiệt tr PTC - positive temperature coef ici t N ược lại
ếu K m, tr khá c a điệ tr iảm khi hiệt độ tă , và ó được ọi là hiệt
điệ tr m hay hịch hiệt tr NTC - negative temperature coefficient).
Tụ điệ là li h kiệ điệ tử thụ độ dù để ạ , ả hó điệ
hả ă tích điệ c a tụ hụ thuộc vào điệ thế đặt vào hai đ u tụ và điệ
du c a tụ th o cô th c: Q = C.U Trong đó:
50S
MZ3
Trang 19s điệ môi c a ch t cách điệ
Điệ du hụ thuộc vào diệ tích bả cực, vật liệu làm ch t điệ môi và khoả cách i hai bả cực th o cô th c:
Tro đó:
C: điệ du , có đ vị là Farad [F]
εr: à hằ s điệ môi tư đ i c a ch t điệ môi
ε0: à hằ s điệ môi tuyệt đ i c a khô khí hay ch khô d: là chiều dày c a lớ cách điệ
- Tụ i y: ch t điệ môi là i y, thư có trị s điệ dung khoả t 500
pF đế 50 µF và điệ áp làm việc đế 600 VDC Tụ i y có giá thành rẻ h t so với các loại tụ có cùng trị s điệ dung
Trang 20- Tụ mà ch t dẻo ilm hựa mà m : ch t điệ môi là ch t dẻo,
có điệ tr cách điệ lớ h 100000 M Điệ á làm việc cao khoả
600 DC Tụ mà ch t dẻo h h tụ i y hư đ t h Giá trị điệ du
c a tụ tiêu chu ằm tro khoả t F đế 0, 7 µF
- Tụ mi ca: ch t điệ môi là mi ca, tụ mi ca tiêu chu có giá trị điệ du khoả t F đế 0, µF và điệ áp làm việc cao đế 00 DC
- Tụ m: ch t điệ môi là m Giá trị điệ du c a tụ m tiêu chu khoả t F đế 0, µF, với điệ áp làm việc một chiều đế 000 DC
Tụ d u: ch t điệ môi là d u Tụ d u có điệ du lớ , chịu được điệ á cao
Tụ ta tali: ch t điệ môi Ta talum Tụ ta tali có điệ á làm việc lê đế
6 0 DC hư iá trị điệ du ch khoả , µF
hi sử dụ tụ điệ ta hải ua t m đế điệ du , điệ á và đặc tí h
ạ , ả điệ c a tụ điệ , h cực ếu là tụ có cực dư , cực m)
1.2 Đơ vị của i tr
Đ vị tụ điệ là: Fara (F)
1F = 106 µF (Micro Fara) = 109 nF (Nano Fara)= 1012 pF (Pico Fara)
Trang 21c Tụ không h cực Tụ m) h cực Tụ d Tụ không
m)
Trang 22đ Tụ không h
cực Tụ m) h cực Tụ Tụ không
i y)
Tụ oay điều ch h)
Tụ oay điều ch h)
Tụ m (ceramic))
C: 47x104pF Điệ á : 400V
Tụ m (ceramic))
Trang 23Cuộ cảm (hay cuộ t , cuộ t cảm là một loại li h kiệ điệ tử thụ
độ tạo t một d y d điệ với hiều v u , sinh ra t trư khi có dòng điệ chạy ua
í hiệu cuộ d y: L (Coil)
Một s kí hiệu cuộ d y trê mạch điệ tử
Hình 19 í hiệu cuộ d y trê mạch điệ
Trang 25Diode là một loại li h kiệ bá d ch cho hé d điệ đi ua ó th o
một chiều mà khô th o chiều ược lại
Cấ t
Diod được c u tạo ồm hai lớ bá d loại N N ativ và bá d loại P
Positiv tiế c hau, điệ cực i với bá d loại P là cực dư A A od ,
i với bá d loại N là cực m athod Cathod oại ày thư chế tạo
bằ ch t bá d i (Silic/Silicium , G G rma i G rma ium r t ít G
Nó được chế tạo sao cho khi h cực ược thì diod z r sẽ him một
m c điệ á c đị h bằ iá trị hi trê th diod m iá trị trê th diode), làm á cho mạch điệ
Trang 26- Ghi trực tiế trê th diod :
- Ghi bằ m hải tra bả m để tìm ra iá trị
Khi UAK < UD : d điệ tă r t chậm
Khi UAK > UD : d điệ tă r t ha h
Khi UAK = UD : thì diod mới b t đ u được m là h cực thuậ , l c ày
d điệ thuậ mới đ lớ và bằ 0,1IthMax Tro đó:
- UAK : là điệ á đặt vào hai đ u c a diod
- UD : là điệ á ư thềm c a diod , điệ á mà tại đó m hư diod
b t đ u d điệ
Cathode Anode
Trang 27Hì h 2 Đặc tuyế olt-Amper (V-A)
- IthMax : là d điệ thuậ cực đại c a diod , diod khô thể làm việc làm việc với d điệ cao h trị s ày Điệ á với d điệ thMax được ọi là
UBH BH: b o hoà)
Đ i với diod G , iá trị UD khoả 0,3V
Đ i với diod i, iá trị UD khoả 0,7V
ù h cực thuậ có đặc trư d điệ lớ mA , điệ á h và điệ
tr h
ù h cực hịch có đặc trư d điệ h A , điệ á lớ (hà chục đế hà trăm vô và điệ tr lớ hà chục đế hà trăm k)
Khi UAK tă tới iá trị Uđt thì d điệ ược tă vọt, ọi là hiệ tượ
đá h th m i i P-N Điệ á tại điểm đá h th ọi là điệ á đá h th kí hiệu là Uđt
Đặc tuyế -A c a diod là mô tả m i ua hệ i a d điệ ua diod và điệ á một chiều đặt lê dido
Ph cực thuậ : U A > U K: diod d điệ thô mạch)
Nếu m diod d điệ là l thư thì D = 0V
Nếu khô m diod l tư thì D = 0,7V
thô mạch)
(VD = 0,7V)
Ph cực hịch: U A < U K: diod ư d điệ h
Trang 28hi sử dụ diod điệ c c ua t m các thô s sau: điệ á ,
d điệ t i đa cô su t điệ á ược, …
Một s diod điệ thô dụ : 1N4001-1A-50V; 1N4007-1A-1000V; 1N4004-1A-400V; 1N5408-3A-700 , …
Khi diode Ze r được h cực thuậ (VP > VN thì ó d điệ và hoạt
độ i hư diod điệ vù (I))
Khi UN hịch (-U)< UZMin thì diod r khô d điệ
Khi UN hịch (-U) > = UZMin, <= UZMax thì diod z r d điệ và l c ày điệ
á tại hai đ u diod r sẽ him á bằ Z (VZ: là điệ á chu á c a diode Zener)
hi sử dụ diod r c ua t m các thô s sau: Điệ á á Z.;
D điệ ược cực đại ZMax A Cô su t tiêu tá P W
Hì h 26 Đặc tuyế ô -Amper (V-A)
Đặc tuyế -A c a diod z r là mô tả m i ua hệ i a d điệ ua diod và điệ á một chiều đặt lê dido
:
IZmin: là d điệ t i thiểu c a diod z r với điệ á t i thiểu UZmin
điệ á mà tại đó điệ á diod z r b t đ u d điệ và đị h)
(I)
(II)
Trang 29IZTB: là d điệ tru bì h c a diod z r với điệ á UZ điệ á mà tại đó điệ á diod z r đị h)
IZMax: là d điệ t i đa c a diod z r với điệ á t i đa UZMax điệ
á mà tại đó điệ á diod z r có khả ă chịu đự t i đa)
* LED (Light Emitting Diode: i d h t s g)
- Cấ t : c ồm lớ bá d P-N tiế c hau, hư chế tạo
bằ ch t bá d Ga, As hi d điệ hát ra á h sá màu
Trang 30Ph cực thuậ : VP > VN : ED d điệ , VD = V điệ á
ư c a ED)
Ph cực hịch: VP < VN : ED ư d điệ h mạch)
- Tu th o ch t bá d mà ED hát ra á h sá có màu s c khác hau hư và , a h lá, a h dư , đ , tr , …
- Do các diod ày khác hau về vật liệu ê điệ á ư c a các loại ED c khác hau:
+ VD = (1,6 2 d đ + VD = (2,2 3) V (Led cam )
+ VD = (2 2,8) V (Led xanh lá)
+ VD = (2,4 3,2) V (Led vàng )
+ VD = (1,8 d hồ oại + VD = (3 d a h dư
- D điệ ua ED ọi là D = (5 20 mA thư chọ 0mA
* Led 2 màu: là loại ED đôi ồm 2 ED ằm so so và uợc chiều hau Tro đó có ED đ và d a h lá Tivi,… hay ED vàng và 1 LED xanh (máy vi tính, PLC)
Hì h 29 Led 2 màu
* LED 3 màu: c là ED đôi hư khô hé so so mà i chu cực u mass Tro đó d đ ra ch , d a h lá ra ch dài và ch i a là
Hì h 0 hiệu và hì h dá d màu
A 2
A 1
Trang 31Khi chân A1 dư được c uồ thì d d sá , khi ch A2
dư thì d a h lá sá , khi 2 ch A1 và A2 cù dư thì 2 d cù sáng và cho ra màu vàng
ED 07 đoạ có 08 đoạ ồm có 07 đoạ a, b, c, d, , , , dot Qui ước các vị trí hư sau:
Hì h hiệu và hì h dá thực tế ED 7 đoạ
Có 2 loại ED 7 đoạ : loại Cathod chu và Anode chung
Hình 32 LED Anode chung Hình 33 LED Cathode chung
* Ghi chú: khi sử dụng Led quan trọng nhất là phải tính điện trở nối tiếp
2.1 Một vài c ch ấ ối tr g ch i
2.1 .2 C ch ấ ối di d ch h
Diod có hiều dụ , một tro h dụ c a ó là ch h lưu
Hì h bê dưới là hai tro hiều dạ ch h lưu c a diod
a Ch h lưu dù 4 diode a Ch h lưu dù 2 diode
Trang 322.1 .2 C ch ấ ối di d z r
Diod z r oài ch c ă á , diod z r c được dụ é
c t biê độ c a tí hiệu Hì h bê dưới là hai tro hiều dạ é tí hiệu c a diode zener
a é biê độ dư b é biê độ dư , âm
Trang 332.2 BJT (BJT: Bipolar Junction Transistor)
lược về lịch sử hát triể c a hà h Điệ tử:
- Tra sistor là hé hai t Tra s r R sistor điệ chuyể được hát mi h vào ăm 7 b i 2 hà Bác học W.H Britai và Brad được chế tạo cù trê
một m u bá d ilicium hay G cma ium
- ào ăm 7, tại h thí hiệm c a B ll, oh Bard và Walt r Brattai đ thà h cô tro việc hát mi h Tra sistor lư cực B T Bi olar
u ctio Tra sistor Đ y là một bước oặt đá h d u sự b t đ u c a th i đại bá
d Phát mi h ày và một chu i hát triể c a cô hệ vi điệ tử đ thật sự làm thay đ i cuộc s loài ư i
- 8 Tra sistor đ u tiê ra đ i Đ y là một cuộc Cách mạ c a à h điệ
MSI: Medium Scale Intergrated Circuit
LSI: Large Scale Intergrated Circuit
VLSI:Very Large Scale Intergrated Circuit
- 80 đế ay Điệ tử được dụ rộ r i tro các l h vực hư y tế, điều khiể tự độ , hát tha h, truyề hì h, …
Tra sistor hai cực tí h hay lư cực ọi t t là B T- Bipolar Junction
hiệu hoặc hoạt độ hư một khóa đó m
2.2.1 Đị h ghĩa - Cấ t - ý hi
2.2.1.1 Đị h ghĩa
tí h d điệ khác hau khi á vào các ch c a ch h kiểu h cực khác nhau
2.2.1.2 Cấ t
BJT ồm hai m i i P-N ba lớ bá d i tiế hau được chế tạo trê
cù một m u bá d ilicium hay G rma ium Tro đó, i a là lớ bá d khác với hai lớ bê cạ h Tu th o cách s ế ư i ta chế tạo hai loại B T:
đó là B T N-P-N B T hịch và P-N-P B T thuậ )
Trang 35Nếu có thêm tí hiệu oay chiều s biê độ h thô ua tụ C1 tại vào
ch B, h a là ế chồ lê điệ á h cực, làm cho điệ á trê cực C c thay đ i và đồ th i l c ày biê độ ra tại ch C sẽ lớ h ba đ u, ta ói
B T đ khuếch đại tí hiệu do C = IB )
Trang 37- Tru Qu c: b t đ u bằ s và sau đó là các ch cái
Ch cái th h t cho biết loại bá d : ếu là ch A hoặc B là loại PNP
c C hoặc D là NPN
Ch cái th hai: Ch cái th hai cho biết đặc điểm và cô dụ : ếu ch
là m t cô su t h h W P là m t cô su t lớ h W G: là cao t
cô su t h h W …
Ch cái th là hóm ch s ch th tự sả h m
Trang 38í dụ: AG là tra sistor loại PNP, G , cao t cô su t h h W, sả
M FET là li h kiệ điệ tử bá d có 03 chân có đặc tí h d điệ khác
hau khi á vào các ch c a ch h kiểu h cực khác hau
2 .1.2 Cấ t
M FET là Tra sistor hiệu trư kim loại - o it bá d viết t t Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor được y dự dựa trê lớ chuyể tiế it im loại và bá d ví dụ it Bạc và bá d ilic tạo ra lớ cách điệ m i a cực c gate kim loại với vù bá d hoạt độ i i a cực uồ source và cực má drain)
M FET có c u tạo hư bê dưới:
a C u tạo M FET kê h N b C u tạo MOSFET kênh P
Hình 43 C u tạo
2 .1 ý hi
hiệu M FET kê h , hư bê dưới
a E-M FET kê h có diod i i a
S-D)
b E-M FET kê h P có diod i
i a D-S)
Hì h hiệu
Trang 40Để M FET kê h P hoạt độ hải á điệ á một chiều vào các ch c a
M FET Tu th o chế độ hoạt độ c a M FET kê h P điều hà h th o kiểu hiếm, hoặc kiểu tă mà ư i ta có các cách h cực khác hau
- Cực ourc – cực uồ Cực E Emitt r- cực hát
- Cực D Drai – cực má Cực C Coll ctor- cực thu
- Cực G Gat – cực c Cực B Bas – cực ề
2.4 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
2 .1 Đị h ghĩa - Cấ t - ý hi
2 .1.1 Đị h ghĩa
CR hay c được ọi là Thyristor là một li h kiệ bá d ba ch có vai
tr hư một khóa điệ tử có điều khiể CR được sử dụ r t hiều tro các bo mạch điệ tử điều khiể Tro đó, CR ch cho hé d điệ t A d sa atod khi cho một d điệ kích thích vào chân G
2 .1.2 Cấ t
CR được c u tạo b i lớ bá d PNPN có i P-N Như tê ọi
ta th y CR là một diod ch h lưu được kiểm soát b i c silicium Các tiế c kim loại được tạo ra các cực A od -A, cực Cathod - và c Gat -
G