1. Trang chủ
  2. » Cao đẳng - Đại học

Giáo trình Điện tử cơ bản (Nghề Điện tử công nghiệp CĐTC)

119 7 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 119
Dung lượng 2,1 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

T UYÊN BỐ BẢN QUYỀN Tài liệu ày thuộc loại sách iáo trì h ê các uồ thô ti có thể được hé dù uyê bả hoặc trích dù cho các mục đích về đào tạo và tham khảo... Tác iả i ch thà h cảm u Th y

Trang 1

UỶ BAN NHÂN DÂN TỈNH ĐỒNG THÁP

của Hiệu trưởng Trường Cao đẳng ngh Đồng Tháp)

Đồ Thá , ăm 2017

Trang 2

T UYÊN BỐ BẢN QUYỀN

Tài liệu ày thuộc loại sách iáo trì h ê các uồ thô ti có thể được

hé dù uyê bả hoặc trích dù cho các mục đích về đào tạo và tham khảo

Mọi mục đích khác ma tí h lệch lạc hoặc sử dụ với mục đích ki h doa h thiếu là h mạ h sẽ bị hiêm c m

Trang 3

LỜ G Ớ TH U

Giáo trì h ày được biê soạ th o Chư trì h chi tiết mô đu Điệ tử c

bả ba hà h k m th o Chư trì h đào tạo hề Điệ tử công nghiệ trì h độ cao đ

C u tr c c a iáo trì h bao ồm 5 bài Cụ thể hư sau

Bài : NH N Đ N T Bài 2: M CH CHỈNH U

Bài : M CH PHÂN C C B T, MOSFET, SCR

Bài : M CH N ÁP

Bài : M CH DA ĐỘNG

Tác iả i ch thà h cảm u Th y hoa Điệ -Điệ đ biê soạ

h tài liệu iả dạy có liê ua đế mô đu ày trước đó ua hiều iai đoạ

Tác iả i ch thà h cảm Th y Trư ă Tám là iả viê hoa

Cô hệ Trư Đại học C Th là tác iả c a các Giáo trì h: NH N

Mọi đó ó kiê i vui l trao đ i ua s điệ thoại: 0989297510 hoăc mail: tha h ia 76@gmail.com

i ch thà h cảm !

Đồng Tháp, ngày 13 tháng 07 năm 2017

Giả viê biê soạ : Phan Thanh Giang

Trang 5

G ÁO TRÌNH MÔ ĐUN

ghĩa và vai trò của h c:

à mô đu cu c cho ư i học các kiế th c về các loại li h kiệ điệ tử c bả , thiết kế được các mạch mạch điệ tử c bả mạch ch h lưu điệ á , mạch h cực, mạch á , mạch dao độ và hì h thà h các k

ă l mạch, đo các thô s c a các mạch điệ tử c bả , vẽ đực các tí hiệu c a mạch

M c ti của :

au khi học o mô đu ày, ư i học có khả ă :

i th c:

Giải thích được uyê l hoạt độ các mạch điệ tử c bả

Hiểu được uy trì h l , đo các thô s các mạch điệ tử c bả

g:

ử dụ thà h thạo các dụ cụ đo kiểm

iểm tra được các i h kiệ điệ tử

Thay thế được các i h kiệ điệ tử tư đư

thà h thạo được các mạch điệ tử c bả th o uy trì h

ác đị h được hư h các mạch điệ tử c bả và sửa ch a được các hư

h

N g c t chủ và tr ch hi :

Tích cực tro thực hà h

Có khả ă vậ dụ các kiế th c, k ă đ học để á dụ vào các mô

đu khác và l h vực chuyê mô hề hiệ

Trang 6

Đảm bảo a toà tro thực hà h

Nội d g của

Trang 7

Đo, kiểm tra được li h kiệ điệ tử

ác đị h chí h ác li h kiệ t t, u và biết thay thế

Thái độ:

N hiêm t c, tích cực tro thực hà h

Đảm bảo a toà tro thực hà h về ư i, thiết bị, dụ cụ

Chịu trách hiệm với h sả h m mì h tạo ra

Có khả ă vậ dụ các kiế th c, k ă đ học để á dụ vào thực tế Nội du bài:

Trang 8

R=U/I

Tro đó:

U: là hiệu điệ thế i a hai đ u vật d điệ , đo bằ Vôn (V)

I: là cư độ d điệ đi ua vật d điệ , đo bằ Ampe (A)

R: là điệ tr c a vật d điệ , đo bằ Ohm Ω Thí dụ hư có một đoạ d y d có điệ tr là Ω và có d điệ A chạy

ua thì điệ á i a hai đ u d y là

Điệ tr R c a d y d t lệ thuậ với điệ tr su t và độ dài d y d , t lệ hịch với tiết diệ c a d y

R = /S Tro đó:

L là chiều dài c a d y d , đo th o mét

là tiết diệ diệ tích mặt c t , đo th o m2

ρ tiế Hy ạ : rô) là điệ tr su t hay c ọi là điệ tr riêng hoặc su t điệ tr , ó là thước đo khả ă khá lại d điệ c a vật liệu Điệ tr su t c a một d y d là điệ tr c a một d y d dài m có tiết diệ 1mm2, ó đặc trư cho vật liệu d y d

Điệ tr (R sistor: co điệ tr ) là một li h kiệ điệ tử thụ độ ồm hai tiế điểm kết i, thư được dù để hạ chế cư độ d điệ chảy tro mạch, điều ch h m c độ tí hiệu, dù để chia điệ á , kích hoạt các li h kiệ điệ tử tích cực ch độ hư transistor, tiế điểm cu i tro đư truyề điệ

và có trong r t hiều dụ khác

1.1.1.2 Cấ t

Điệ tr có c u tạo hư Hì h 1

Trang 9

(a): C u tạo điệ tr tha b : Mặt c t điệ tr tha

để liê kết t t cả với hau.Tỷ lệ c a bụi cacbo và m uyết đị h iá trị điệ tr

Tỷ lệ carbo cà cao thì tr khá cà th và ược lại H hợ được đ c thà h dạ hì h trụ với d y kim loại hoặc d y d được vào m i đ u để kết

i điệ , sau đó được bọc bằ vật liệu cách hiệt bê oài và đá h d u m màu hoặc m iá trị để biểu thị iá trị điệ tr c a ó

V h i i tr :

Trang 10

Trê thị trư có r t hiều loại điệ tr khác hau cho h mục đích,

cô dụ khác hau Có hiều cách để h loại điệ tr hư th o tí h ch t, th o vật liệu, th o cô dụ , Để đ iả , ta tìm hiểu h loại điệ tr th o vật liệu

c u tạo ê điệ tr

Điệ tr carbo : là loại c u tạo t hợ ch t tha hoặc tha chì và h bê oài là bột m cách điệ oại ày có cô su t th , hù hợ với các dụ

t s cao oại ày có khả ă ch hi u t t

Điệ tr mà ilm hoặc m kim loại: oại có cô su t được m là

th h t Có thà h h t bột ô it kim loại hư thiết, hoặc ik kết t a

Điệ tr d y u : Có thà h h là hợ kim Nik -Crom Ch được tạo thà h bằ cách u d y kim loại m vào một lớ m cách điệ dưới dạ l

o o Ch có cô su t khá cao chịu được hiệt độ cao Một loại khác c a điệ tr d y u là điệ tr d y u cô su t cao Đ y là h loại điệ tr chịu đự được với hiệt độ cao, cô su t cao

Điệ tr ua (hay ua tr , photoresistor, photocell, LDR viết t t tiế Anh: i ht D d t R sistor : được chế tạo bằ ch t đặc biệt có điệ tr thay

đ i iảm th o m c ánh sáng chiếu vào Các hợ ch t để chế tạo điệ tr ua là: Chì(II) Sunfua (PbS) và Indi Antimonua b được sử dụ cho vù h hồ oại

đ i được)

đ Biế tr R: điệ tr thay đ i được)

Hì h 2 hiệu điệ tr trê mạch điệ

Trang 11

hiệu khác một s loại điệ tr :

(e) PTC Điệ tr hiệt dư )

(f) NTC Điệ tr hiệt m)

(g) Điê tr ua

Hì h 3 hiệu loại điệ tr khác trê mạch điệ

1.1.2 C c th g số cơ ả

Các thô s c bả c a điệ tr ồm: iá trị c a điệ tr hm: ),

cô su t P W , hiệt độ 0C , vật liệu c u tạo ê điệ tr

1.1 Đơ vị của i tr

Đ vị điệ tr là:  (Ohm), K, M

1K (Kilô Ohm) = 1.000 1M (Mêga Ohm) = 1.000 K = 1.000.000

Trang 12

Điệ tr

v màu) (c)

Điệ tr

6 v màu) (d)

Điệ tr dá )

đ Điệ tr dá ) (e)

Điệ tr

cô su t) (f)

Điệ tr

cô su t) (g)

Điệ tr tha h)

(h)

NTC Điệ tr hiệt m)

(i)

PTC Điệ tr hiệt dư )

Điệ tr hiệt cô su t)

(n) Điệ tr hiệt cô su t)

(0)

Điệ tr d y u )

(p)

Trang 13

Biế tr volum trục oay)

Trang 14

a Đ i với điệ tr có v màu:

Giá trị c a điệ tr : A: B: 2)x10C C: 3)  20 hô

có mặc đị h sai s 20%)

í dụ: Tìm iá trị c a điệ tr có v màu sau

í dụ: Tìm giá trị c a điệ tr có v màu sau

N u đ đ và kim Đ tím cam và kim a h lá a hdư cam và kim 10x102 = 1K  5% 27x103

= 27 K  5% 56x103 = 56 K  5%

c Đ i với điệ tr có v màu:

Giá trị c a điệ tr :

Trang 15

2 3)x10D 4)  ai s )

í dụ: Tìm iá trị c a điệ tr có 0 v màu sau

Đ Tím à Đ N u a h dư ám Đ Đ

à kim a h lá Đ N u Đ N u274x102 = 27,4K  1% 680x102 = 68 K  5% 521x100 = 521  1%

* Ghi chú :

Nếu khô có v s t c là loại điệ tr ch có v màu thì sai s

là  20%

+ Điệ tr là li h kiệ khô h cực, ê khi m c vào mạch điệ ta khô

c hải h biệt hai đ u c a điệ tr

Một s iá trị điệ tr tro thực tế:

Trang 16

Tr g h M c ghi ằ g số: loại ày thư dù các mạch

h c tạ hư máy vi tí h, thiệt bị cô hệ cao, …

í dụ 1: Tìm iá trị c a điệ tr sau

Hình 10 Hì h dá điệ tr dá

Trang 17

í dụ 2: Tìm iá trị c a điệ tr sau

Trang 18

dư hay thuậ hiệt tr PTC - positive temperature coef ici t N ược lại

ếu K m, tr khá c a điệ tr iảm khi hiệt độ tă , và ó được ọi là hiệt

điệ tr m hay hịch hiệt tr NTC - negative temperature coefficient).

Tụ điệ là li h kiệ điệ tử thụ độ dù để ạ , ả hó điệ

hả ă tích điệ c a tụ hụ thuộc vào điệ thế đặt vào hai đ u tụ và điệ

du c a tụ th o cô th c: Q = C.U Trong đó:

50S

MZ3

Trang 19

s điệ môi c a ch t cách điệ

Điệ du hụ thuộc vào diệ tích bả cực, vật liệu làm ch t điệ môi và khoả cách i hai bả cực th o cô th c:

Tro đó:

C: điệ du , có đ vị là Farad [F]

εr: à hằ s điệ môi tư đ i c a ch t điệ môi

ε0: à hằ s điệ môi tuyệt đ i c a khô khí hay ch khô d: là chiều dày c a lớ cách điệ

- Tụ i y: ch t điệ môi là i y, thư có trị s điệ dung khoả t 500

pF đế 50 µF và điệ áp làm việc đế 600 VDC Tụ i y có giá thành rẻ h t so với các loại tụ có cùng trị s điệ dung

Trang 20

- Tụ mà ch t dẻo ilm hựa mà m : ch t điệ môi là ch t dẻo,

có điệ tr cách điệ lớ h 100000 M Điệ á làm việc cao khoả

600 DC Tụ mà ch t dẻo h h tụ i y hư đ t h Giá trị điệ du

c a tụ tiêu chu ằm tro khoả t F đế 0, 7 µF

- Tụ mi ca: ch t điệ môi là mi ca, tụ mi ca tiêu chu có giá trị điệ du khoả t F đế 0, µF và điệ áp làm việc cao đế 00 DC

- Tụ m: ch t điệ môi là m Giá trị điệ du c a tụ m tiêu chu khoả t F đế 0, µF, với điệ áp làm việc một chiều đế 000 DC

Tụ d u: ch t điệ môi là d u Tụ d u có điệ du lớ , chịu được điệ á cao

Tụ ta tali: ch t điệ môi Ta talum Tụ ta tali có điệ á làm việc lê đế

6 0 DC hư iá trị điệ du ch khoả , µF

hi sử dụ tụ điệ ta hải ua t m đế điệ du , điệ á và đặc tí h

ạ , ả điệ c a tụ điệ , h cực ếu là tụ có cực dư , cực m)

1.2 Đơ vị của i tr

Đ vị tụ điệ là: Fara (F)

1F = 106 µF (Micro Fara) = 109 nF (Nano Fara)= 1012 pF (Pico Fara)

Trang 21

c Tụ không h cực Tụ m) h cực Tụ d Tụ không

m)

Trang 22

đ Tụ không h

cực Tụ m) h cực Tụ Tụ không

i y)

Tụ oay điều ch h)

Tụ oay điều ch h)

Tụ m (ceramic))

C: 47x104pF Điệ á : 400V

Tụ m (ceramic))

Trang 23

Cuộ cảm (hay cuộ t , cuộ t cảm là một loại li h kiệ điệ tử thụ

độ tạo t một d y d điệ với hiều v u , sinh ra t trư khi có dòng điệ chạy ua

í hiệu cuộ d y: L (Coil)

Một s kí hiệu cuộ d y trê mạch điệ tử

Hình 19 í hiệu cuộ d y trê mạch điệ

Trang 25

Diode là một loại li h kiệ bá d ch cho hé d điệ đi ua ó th o

một chiều mà khô th o chiều ược lại

Cấ t

Diod được c u tạo ồm hai lớ bá d loại N N ativ và bá d loại P

Positiv tiế c hau, điệ cực i với bá d loại P là cực dư A A od ,

i với bá d loại N là cực m athod Cathod oại ày thư chế tạo

bằ ch t bá d i (Silic/Silicium , G G rma i G rma ium r t ít G

Nó được chế tạo sao cho khi h cực ược thì diod z r sẽ him một

m c điệ á c đị h bằ iá trị hi trê th diod m iá trị trê th diode), làm á cho mạch điệ

Trang 26

- Ghi trực tiế trê th diod :

- Ghi bằ m hải tra bả m để tìm ra iá trị

Khi UAK < UD : d điệ tă r t chậm

Khi UAK > UD : d điệ tă r t ha h

Khi UAK = UD : thì diod mới b t đ u được m là h cực thuậ , l c ày

d điệ thuậ mới đ lớ và bằ 0,1IthMax Tro đó:

- UAK : là điệ á đặt vào hai đ u c a diod

- UD : là điệ á ư thềm c a diod , điệ á mà tại đó m hư diod

b t đ u d điệ

Cathode Anode

Trang 27

Hì h 2 Đặc tuyế olt-Amper (V-A)

- IthMax : là d điệ thuậ cực đại c a diod , diod khô thể làm việc làm việc với d điệ cao h trị s ày Điệ á với d điệ thMax được ọi là

UBH BH: b o hoà)

Đ i với diod G , iá trị UD khoả 0,3V

Đ i với diod i, iá trị UD khoả 0,7V

ù h cực thuậ có đặc trư d điệ lớ mA , điệ á h và điệ

tr h

ù h cực hịch có đặc trư d điệ h A , điệ á lớ (hà chục đế hà trăm vô và điệ tr lớ hà chục đế hà trăm k)

Khi UAK tă tới iá trị Uđt thì d điệ ược tă vọt, ọi là hiệ tượ

đá h th m i i P-N Điệ á tại điểm đá h th ọi là điệ á đá h th kí hiệu là Uđt

Đặc tuyế -A c a diod là mô tả m i ua hệ i a d điệ ua diod và điệ á một chiều đặt lê dido

Ph cực thuậ : U A > U K: diod d điệ thô mạch)

Nếu m diod d điệ là l thư thì D = 0V

Nếu khô m diod l tư thì D = 0,7V

thô mạch)

(VD = 0,7V)

Ph cực hịch: U A < U K: diod ư d điệ h

Trang 28

hi sử dụ diod điệ c c ua t m các thô s sau: điệ á ,

d điệ t i đa cô su t điệ á ược, …

Một s diod điệ thô dụ : 1N4001-1A-50V; 1N4007-1A-1000V; 1N4004-1A-400V; 1N5408-3A-700 , …

Khi diode Ze r được h cực thuậ (VP > VN thì ó d điệ và hoạt

độ i hư diod điệ vù (I))

Khi UN hịch (-U)< UZMin thì diod r khô d điệ

Khi UN hịch (-U) > = UZMin, <= UZMax thì diod z r d điệ và l c ày điệ

á tại hai đ u diod r sẽ him á bằ Z (VZ: là điệ á chu á c a diode Zener)

hi sử dụ diod r c ua t m các thô s sau: Điệ á á Z.;

D điệ ược cực đại ZMax A Cô su t tiêu tá P W

Hì h 26 Đặc tuyế ô -Amper (V-A)

Đặc tuyế -A c a diod z r là mô tả m i ua hệ i a d điệ ua diod và điệ á một chiều đặt lê dido

:

IZmin: là d điệ t i thiểu c a diod z r với điệ á t i thiểu UZmin

điệ á mà tại đó điệ á diod z r b t đ u d điệ và đị h)

(I)

(II)

Trang 29

IZTB: là d điệ tru bì h c a diod z r với điệ á UZ điệ á mà tại đó điệ á diod z r đị h)

IZMax: là d điệ t i đa c a diod z r với điệ á t i đa UZMax điệ

á mà tại đó điệ á diod z r có khả ă chịu đự t i đa)

* LED (Light Emitting Diode: i d h t s g)

- Cấ t : c ồm lớ bá d P-N tiế c hau, hư chế tạo

bằ ch t bá d Ga, As hi d điệ hát ra á h sá màu

Trang 30

Ph cực thuậ : VP > VN : ED d điệ , VD = V điệ á

ư c a ED)

Ph cực hịch: VP < VN : ED ư d điệ h mạch)

- Tu th o ch t bá d mà ED hát ra á h sá có màu s c khác hau hư và , a h lá, a h dư , đ , tr , …

- Do các diod ày khác hau về vật liệu ê điệ á ư c a các loại ED c khác hau:

+ VD = (1,6 2 d đ + VD = (2,2 3) V (Led cam )

+ VD = (2 2,8) V (Led xanh lá)

+ VD = (2,4 3,2) V (Led vàng )

+ VD = (1,8  d hồ oại + VD = (3  d a h dư

- D điệ ua ED ọi là D = (5 20 mA thư chọ 0mA

* Led 2 màu: là loại ED đôi ồm 2 ED ằm so so và uợc chiều hau Tro đó có ED đ và d a h lá Tivi,… hay ED vàng và 1 LED xanh (máy vi tính, PLC)

Hì h 29 Led 2 màu

* LED 3 màu: c là ED đôi hư khô hé so so mà i chu cực u mass Tro đó d đ ra ch , d a h lá ra ch dài và ch i a là

Hì h 0 hiệu và hì h dá d màu

A 2

A 1

Trang 31

Khi chân A1 dư được c uồ thì d d sá , khi ch A2

dư thì d a h lá sá , khi 2 ch A1 và A2 cù dư thì 2 d cù sáng và cho ra màu vàng

ED 07 đoạ có 08 đoạ ồm có 07 đoạ a, b, c, d, , , , dot Qui ước các vị trí hư sau:

Hì h hiệu và hì h dá thực tế ED 7 đoạ

Có 2 loại ED 7 đoạ : loại Cathod chu và Anode chung

Hình 32 LED Anode chung Hình 33 LED Cathode chung

* Ghi chú: khi sử dụng Led quan trọng nhất là phải tính điện trở nối tiếp

2.1 Một vài c ch ấ ối tr g ch i

2.1 .2 C ch ấ ối di d ch h

Diod có hiều dụ , một tro h dụ c a ó là ch h lưu

Hì h bê dưới là hai tro hiều dạ ch h lưu c a diod

a Ch h lưu dù 4 diode a Ch h lưu dù 2 diode

Trang 32

2.1 .2 C ch ấ ối di d z r

Diod z r oài ch c ă á , diod z r c được dụ é

c t biê độ c a tí hiệu Hì h bê dưới là hai tro hiều dạ é tí hiệu c a diode zener

a é biê độ dư b é biê độ dư , âm

Trang 33

2.2 BJT (BJT: Bipolar Junction Transistor)

lược về lịch sử hát triể c a hà h Điệ tử:

- Tra sistor là hé hai t Tra s r R sistor điệ chuyể được hát mi h vào ăm 7 b i 2 hà Bác học W.H Britai và Brad được chế tạo cù trê

một m u bá d ilicium hay G cma ium

- ào ăm 7, tại h thí hiệm c a B ll, oh Bard và Walt r Brattai đ thà h cô tro việc hát mi h Tra sistor lư cực B T Bi olar

u ctio Tra sistor Đ y là một bước oặt đá h d u sự b t đ u c a th i đại bá

d Phát mi h ày và một chu i hát triể c a cô hệ vi điệ tử đ thật sự làm thay đ i cuộc s loài ư i

- 8 Tra sistor đ u tiê ra đ i Đ y là một cuộc Cách mạ c a à h điệ

MSI: Medium Scale Intergrated Circuit

LSI: Large Scale Intergrated Circuit

VLSI:Very Large Scale Intergrated Circuit

- 80 đế ay Điệ tử được dụ rộ r i tro các l h vực hư y tế, điều khiể tự độ , hát tha h, truyề hì h, …

Tra sistor hai cực tí h hay lư cực ọi t t là B T- Bipolar Junction

hiệu hoặc hoạt độ hư một khóa đó m

2.2.1 Đị h ghĩa - Cấ t - ý hi

2.2.1.1 Đị h ghĩa

tí h d điệ khác hau khi á vào các ch c a ch h kiểu h cực khác nhau

2.2.1.2 Cấ t

BJT ồm hai m i i P-N ba lớ bá d i tiế hau được chế tạo trê

cù một m u bá d ilicium hay G rma ium Tro đó, i a là lớ bá d khác với hai lớ bê cạ h Tu th o cách s ế ư i ta chế tạo hai loại B T:

đó là B T N-P-N B T hịch và P-N-P B T thuậ )

Trang 35

Nếu có thêm tí hiệu oay chiều s biê độ h thô ua tụ C1 tại vào

ch B, h a là ế chồ lê điệ á h cực, làm cho điệ á trê cực C c thay đ i và đồ th i l c ày biê độ ra tại ch C sẽ lớ h ba đ u, ta ói

B T đ khuếch đại tí hiệu do C =  IB )

Trang 37

- Tru Qu c: b t đ u bằ s và sau đó là các ch cái

Ch cái th h t cho biết loại bá d : ếu là ch A hoặc B là loại PNP

c C hoặc D là NPN

Ch cái th hai: Ch cái th hai cho biết đặc điểm và cô dụ : ếu ch

là m t cô su t h h W P là m t cô su t lớ h W G: là cao t

cô su t h h W …

Ch cái th là hóm ch s ch th tự sả h m

Trang 38

í dụ: AG là tra sistor loại PNP, G , cao t cô su t h h W, sả

M FET là li h kiệ điệ tử bá d có 03 chân có đặc tí h d điệ khác

hau khi á vào các ch c a ch h kiểu h cực khác hau

2 .1.2 Cấ t

M FET là Tra sistor hiệu trư kim loại - o it bá d viết t t Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor được y dự dựa trê lớ chuyể tiế it im loại và bá d ví dụ it Bạc và bá d ilic tạo ra lớ cách điệ m i a cực c gate kim loại với vù bá d hoạt độ i i a cực uồ source và cực má drain)

M FET có c u tạo hư bê dưới:

a C u tạo M FET kê h N b C u tạo MOSFET kênh P

Hình 43 C u tạo

2 .1 ý hi

hiệu M FET kê h , hư bê dưới

a E-M FET kê h có diod i i a

S-D)

b E-M FET kê h P có diod i

i a D-S)

Hì h hiệu

Trang 40

Để M FET kê h P hoạt độ hải á điệ á một chiều vào các ch c a

M FET Tu th o chế độ hoạt độ c a M FET kê h P điều hà h th o kiểu hiếm, hoặc kiểu tă mà ư i ta có các cách h cực khác hau

- Cực ourc – cực uồ Cực E Emitt r- cực hát

- Cực D Drai – cực má Cực C Coll ctor- cực thu

- Cực G Gat – cực c Cực B Bas – cực ề

2.4 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

2 .1 Đị h ghĩa - Cấ t - ý hi

2 .1.1 Đị h ghĩa

CR hay c được ọi là Thyristor là một li h kiệ bá d ba ch có vai

tr hư một khóa điệ tử có điều khiể CR được sử dụ r t hiều tro các bo mạch điệ tử điều khiể Tro đó, CR ch cho hé d điệ t A d sa atod khi cho một d điệ kích thích vào chân G

2 .1.2 Cấ t

CR được c u tạo b i lớ bá d PNPN có i P-N Như tê ọi

ta th y CR là một diod ch h lưu được kiểm soát b i c silicium Các tiế c kim loại được tạo ra các cực A od -A, cực Cathod - và c Gat -

G

Ngày đăng: 23/10/2022, 06:30

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm