Giáo trình Điện tử cơ bản (Nghề Công nghệ kỹ thuật ĐiệnĐiện tử CĐTC)

LỜI GIỚI THIỆU Giáo trình này được biên soạn theo Chư ng trình chi tiết mô đun Điện tử c bản ban hành k m theo Chư ng trình đào tạo nghề Công nghệ k thu t điện điện tử.. Rất mong các giả

TRƯỜNG CAO ĐẲNG NGHỀ ĐỒNG THÁP

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

GIÁO TRÌNH MÔN HỌC: ĐIỆN TỬ CƠ BẢN NGÀNH, NGHỀ: CNKT ĐI N ĐI N T TRÌNH ĐỘ: CAO ĐẲNG/TRUNG CẤP

của Hiệu trưởng Trường Cao đẳng nghề Đồng Tháp)

Đồng Tháp, năm 2018

T UYÊN BỐ BẢN QUYỀN

Tài liệu này thuộc loại sách giáo trình nên các nguồn thông tin có thể được phép dùng nguyên bản hoặc trích dùng cho các mục đích về đào tạo và tham khảo

Mọi mục đích khác mang tính lệch lạc hoặc sử dụng với mục đích kinh doanh thiếu lành mạnh sẽ bị nghiêm cấm

LỜI GIỚI THIỆU

Giáo trình này được biên soạn theo Chư ng trình chi tiết mô đun Điện tử c bản ban hành k m theo Chư ng trình đào tạo nghề Công nghệ k thu t điện điện

tử

Cấu tr c c a giáo trình bao gồm 5 bài Cụ thể như sau

ài 1: LINH KI N ĐI N T

ài 2: M CH CH NH LƯU

ài 3: M CH PH N C C JT MOS T SCR

ài 4: M CH ỔN ÁP

ài 5: M CH AO Đ NG

Tác giả xin ch n thành cảm n qu Th y ở Khoa Điện-Điện đ biên soạn

nh ng tài liệu giảng dạy có liên quan đến mô đun này trước đó qua nhiều giai đoạn

Tác giả xin ch n thành cảm n Th y Trư ng V n Tám là giảng viên Khoa Công nghệ Trường Đại học C n Th là tác giả c a các Giáo trình: LINH KI N

ĐI N T và Giáo M CH ĐI N T

Tác giả c ng xin ch n thành cảm n các qu tác giả trên Internet có bài viết tài liệu bài giảng giáo trình liên quan đến mô đun ĐI N T C N này

Trong quá trình biên soạn mặc dù đ có nhiều c g ng nhưng ch c ch n khó tránh kh i các sai sót như l i đánh máy cách dùng c u hình ảnh chưa r nét chưa đồng bộ c ng như c n hạn chế về mặt chuyên môn Rất mong các giảng viên trong Khoa Điện-Điện tử và học sinh sinh viên các lớp đóng góp thêm để Giáo trình Điện Tử c bản này ngày càng hoàn thiện h n

Mọi đóng góp kiên xin vui l ng trao đổi qua s điện thoại: 0989297510

M ỤC LỤC



BÀI 1: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

Nh n dạng chính xác các loại linh kiện

Đo kiểm tra được linh kiện điện tử

Xác định chính xác linh kiện t t xấu và biết thay thế

Thái độ:

Nghiêm t c tích c c trong th c hành

Đảm bảo an toàn trong th c hành về người thiết bị, dụng cụ

Chịu trách nhiệm với nh ng sản ph m mình tạo ra

Có khả n ng v n dụng các kiến th c k n ng đ học để áp dụng vào th c tế Nội dung bài:

U: là hiệu điện thế gi a hai đ u v t d n điện đo bằng Vôn (V)

I: là cường độ d ng điện đi qua v t d n điện đo bằng Ampe (A)

R: là điện trở c a v t d n điện đo bằng Ohm Ω Thí dụ như có một đoạn d y d n có điện trở là 1Ω và có d ng điện 1A chạy qua thì điện áp gi a hai đ u d y là 1V

Điện trở R c a d y d n tỉ lệ thu n với điện trở suất và độ dài d y d n tỉ lệ nghịch với tiết diện c a d y

R = /S Trong đó:

L là chiều dài c a d y d n đo theo mét

S là tiết diện diện tích mặt c t đo theo m2

ρ tiếng Hy Lạp: rô) là điện trở suất hay c n gọi là điện trở riêng hoặc suất điện trở nó là thước đo khả n ng kháng lại d ng điện c a v t liệu Điện trở suất c a một d y d n là điện trở c a một d y d n dài 1m có tiết diện 1mm2 nó đặc trưng cho v t liệu d y d n

Điện trở (Resistor: con điện trở là một linh kiện điện tử thụ động gồm hai tiếp điểm kết n i thường được dùng để hạn chế cường độ d ng điện chảy trong mạch điều chỉnh m c độ tín hiệu dùng để chia điện áp kích hoạt các linh kiện điện tử tích c c ch động như transistor tiếp điểm cu i trong đường truyền điện

và có trong rất nhiều ng dụng khác

1 1 1 2 C u t o

Điện trở có cấu tạo như Hình 1

(a): Cấu tạo điện trở than b : Mặt c t điện trở than

c : Mặt c t điện trở màng d : Mặt c t điện trở d y quấy

đ : Cấu tạo biến trở e : Cấu tạo biến trở

Hình 1 Một s cấu tạo điện trở

V t liệu cấu tạo điện trở thường được chế tạo t h n hợp bụi cacbon hoặc than chì mịn tư ng t như chì trong viết chì và bột g m đất sét không d n điện

để liên kết tất cả với nhau.Tỷ lệ c a bụi cacbon và g m quyết định giá trị điện trở

Tỷ lệ carbon càng cao thì trở kháng càng thấp và ngược lại H n hợp được đ c thành dạng hình trụ với d y kim loại hoặc d y d n được g n vào m i đ u để kết

n i điện sau đó được bọc bằng v t liệu cách nhiệt bên ngoài và đánh dấu m màu hoặc m giá trị để biểu thị giá trị điện trở c a nó

V ph n o i i n tr :

Trên thị trường có rất nhiều loại điện trở khác nhau cho nh ng mục đích công dụng khác nhau Có nhiều cách để ph n loại điện trở như theo tính chất theo

v t liệu theo công dụng Để đ n giản ta tìm hiểu ph n loại điện trở theo v t liệu cấu tạo nên điện trở

Điện trở carbon: là loại cấu tạo t hợp chất than hoặc than chì và ph bên ngoài là bột g m cách điện Loại này có công suất thấp phù hợp với các ng dụng

t n s cao Loại này có khả n ng ch ng nhiễu t t

Điện trở màng film hoặc g m kim loại: Loại có công suất được xem là thấp nhất Có thành ph n t bột ôxit kim loại như thiết hoặc niken kết t a

Điện trở d y quấn: Có thành ph n là hợp kim Niken-Crom Ch ng được tạo thành bằng cách quấn d y kim loại m ng vào một lớp g m cách điện dưới dạng l

xo xo n Ch ng có công suất khá cao chịu được nhiệt độ cao Một loại khác c a điện trở d y quấn là điện trở d y quấn công suất cao Đ y là nh ng loại điện trở chịu đ ng được với nhiệt độ cao công suất cao

Điện trở quang (hay quang trở, photoresistor, photocell, LDR viết t t tiếng Anh: Light ependent Resistor : được chế tạo bằng chất đặc biệt có điện trở thay đổi giảm theo m c ánh sáng chiếu vào Các hợp chất để chế tạo điện trở quang là: Chì(II) Sunfua (PbS) và Indi Antimonua InSb được sử dụng cho vùng phổ hồng ngoại

đổi được

đ iến trở VR: điện trở thay đổi được Hình 2 K hiệu điện trở trên mạch điện

K hiệu khác một s loại điện trở:

(e) PTC Điện trở nhiệt dư ng

(f) NTC Điện trở nhiệt m

(g) Điên trở quang Hình 3 K hiệu loại điện trở khác trên mạch điện

Điện trở

5 v ng màu (c)

Điện trở

6 v ng màu (d)

Điện trở dán

đ Điện trở dán (e)

Điện trở công suất (f)

Điện trở công suất (g)

Điện trở thanh

(h)

NTC Điện trở nhiệt m

(i)

PTC Điện trở nhiệt dư ng

Điện trở nhiệt công suất

(n) Điện trở nhiệt công suất

(0)

Điện trở d y quấn

(p)

iến trở volume trục xoay

(q)

Các loại biến trở n t áo

(r) Hình 7 Một s hình dạng th c tế c a điện trở

1 1.6 Cách c giá tr i n tr

1 1 6 1 Giá tr i n tr ghi tr c ti p trên th n i n tr

Là điện trở có công suất lớn được nhà sản xuất ghi giá trị và công suất tiêu tán trên th n điện trở

Hình 8 Điện trở công suất

a Đ i với điện trở có 3 v ng màu:

Giá trị c a điện trở: A:V ng 1 :V ng 2 x10C C:V ng 3  20 Không

có V ng 4; mặc định sai s 20

Ví dụ: Tìm giá trị c a điện trở có v ng màu sau

Ví dụ: Tìm giá trị c a điện trở có v ng màu sau

N u đen đ vàng kim Đ tím cam vàng kim Xanh lá xanhdư ng cam vàng kim 10x102 = 1K  5% 27x103

= 27 K  5% 56x103 = 56 K  5%

c Đ i với điện trở có 5 v ng màu:

Giá trị c a điện trở:

V ng 1 V ng 2 V ng 3 x10D =V ng 4  V ng 5 Sai s

Ví dụ: Tìm giá trị c a điện trở có 05 v ng màu sau

Đ Tím Vàng Đ N u Xanh dư ng Xám Đen Đ

Vàng kim Xanh lá Đ N u Đen N u274x102 = 27,4K  1% 680x102 = 68 K  5% 521x100 = 521  1%

* Ghi chú :

Nếu không có v ng s 4 t c là loại điện trở chỉ có 3 v ng màu thì sai s

là  20%

+ Điện trở là linh kiện không ph n c c nên khi m c vào mạch điện ta không

c n phải ph n biệt hai đ u c a điện trở

Một s giá trị điện trở trong th c tế:

Trƣ ng h p SMD ƣ c ghi ằng số: oại này thường dùng ở các mạch

ph c tạp như máy vi tính thiệt bị công nghệ cao …

Ví dụ 1: Tìm giá trị c a điện trở sau

Hình 10 Hình dáng điện trở dán

Ví dụ 2: Tìm giá trị c a điện trở sau

dư ng hay thu n nhiệt trở PTC - positive temperature coefficient Ngược lại

nếu K m trở kháng c a điện trở giảm khi nhiệt độ t ng và nó được gọi là nhiệt

điện trở m hay nghịch nhiệt trở NTC - negative temperature coefficient).

Ví dụ: NTC 10 -9

10 = giá trị điện trở tại 250

C

D = Disk type = kiểu đóng gói dạng hình đ a

9 = đường kính bề ngang c a linh kiện mm

Ví dụ: NTC 8 -20

8 = giá trị điện trở tại 250

C

= isk type = kiểu đóng gói dạng hình đ a

20 = đường kính bề ngang c a linh kiện mm

Tụ điện là linh kiện điện tử thụ động dùng để nạp xả phóng điện

Khả n ng tích điện c a tụ phụ thuộc vào điện thế đặt vào hai đ u tụ và điện dung c a tụ theo công th c: Q = C.U Trong đó:

50S

MZ3

C: điện dung, có đ n vị là arad

Q: điện lượng có đ n vị là coulomb C là độ lớn điện tích được tích tụ ở v t thể

U: điện áp có đ n vị là voltage V là điện áp ở v t thể khi tích điện

1 2 1 2 C u t o

Cấu tạo c a tụ điện bao gồm một lớp v t liệu cách điện nằm gi a hai bản

c c là hai tấm kim loại có diện tích S Điện dung c a tụ điện được đo bằng s lượng điện tích mà nó có thể được tích trong linh kiện khi điện áp gi a hai bản

c c là 1 V Điện dung có thể được tính khi biết kích thước c a tụ điện và hằng

s điện môi c a chất cách điện

Điện dung phụ thuộc vào diện tích bản c c v t liệu làm chất điện môi và khoảng cách gi hai bản c c theo công th c:

Trong đó:

C: điện dung có đ n vị là arad [ ];

εr: Là hằng s điện môi tư ng đ i c a chất điện môi

ε0: Là hằng s điện môi tuyệt đ i c a không khí hay ch n không d: là chiều dày c a lớp cách điện;

- Tụ giấy: chất điện môi là giấy thường có trị s điện dung khoảng t 500

pF đến 50 µF và điện áp làm việc đến 600 VDC Tụ giấy có giá thành rẻ nhất so với các loại tụ có cùng trị s điện dung

- Tụ màng chất dẻo film nh a/màng m ng : chất điện môi là chất dẻo

có điện trở cách điện lớn h n 100000 M Điện áp làm việc cao khoảng

600V C Tụ màng chất dẻo nh h n tụ giấy nhưng đ t h n Giá trị điện dung

c a tụ tiêu chu n nằm trong khoảng t 5 p đến 0 47 µF

- Tụ mi ca: chất điện môi là mi ca tụ mi ca tiêu chu n có giá trị điện dung khoảng t 1 p đến 0 1 µF và điện áp làm việc cao đến 3500V C

- Tụ g m: chất điện môi là g m Giá trị điện dung c a tụ g m tiêu chu n khoảng t 1 p đến 0 1 µF, với điện áp làm việc một chiều đến 1000 V C

Tụ d u: chất điện môi là d u Tụ d u có điện dung lớn chịu được điện áp cao

Tụ tantali: chất điện môi Tantalum Tụ tantali có điện áp làm việc lên đến

630 V C nhưng giá trị điện dung chỉ khoảng 3 5 µF

1 2 1 3 K hi u tụ i n

Một s k hiệu c a tụ điện:

Tụ không c c Tụ có c c tụ hóa học Tụ xoay điều

chỉnh Hình 14 Một s k hiệu tụ điện

Khi sử dụng tụ điện ta phải quan t m đến điện dung điện áp và đặc tính nạp xả điện c a tụ điện ph n c c nếu là tụ có c c dư ng c c m

1 2 3 Đơn v c i n tr

Đ n vị tụ điện là: ara

1F = 106 µF (Micro Fara) = 109 nF (Nano Fara)= 1012 pF (Pico Fara)

c Tụ không ph n

c c Tụ g m ph n c c Tụ d Tụ không

g m

đ Tụ không ph n

c c Tụ g m ph n c c Tụ e Tụ không

giấy

f Tụ xoay điều chỉnh

g Tụ xoay điều chỉnh

Tụ g m ceramic

C: 47x104pF Điện áp: 400V

Tụ g m ceramic

Kí hiệu cuộn d y: L Coil

Một s kí hiệu cuộn d y trên mạch điện tử

Hình 19 Kí hiệu cuộn d y trên mạch điện

Diode là một loại linh kiện bán d n chỉ cho phép d ng điện đi qua nó theo

một chiều mà không theo chiều ngược lại

C u t o

iode được cấu tạo gồm hai lớp bán d n loại N Negative và bán d n loại P

Positive tiếp x c nhau điện c c n i với bán d n loại P là c c dư ng A Anode

n i với bán d n loại N là c c m K Kathode/Cathode Loại này thường chế tạo bằng chất bán d n Si Silic/Silicium Ge Germani/Germanium rất ít Ge

Hình 22 Cấu tạo c a diode

Nó được chế tạo sao cho khi ph n c c ngược thì diode zener sẽ ghim một

m c điện áp g n c định bằng giá trị ghi trên th n diode m giá trị trên th n diode làm ổn áp cho mạch điện

Hình 24 K hiệu diode zener/

Cách đọc điện áp diode zener:

- Ghi tr c tiếp trên th n diode:

- Ghi bằng m phải tra bảng m để tìm ra giá trị

Khi UAK > UD : d ng điện t ng rất nhanh

Khi UAK = UD : thì diode mới b t đ u được xem là ph n c c thu n l c này

d ng điện thu n mới đ lớn và bằng 0 1IthMax Trong đó:

- UAK : là điện áp đặt vào hai đ u c a diode

- UD : là điện áp ngư ng thềm c a diode điện áp mà tại đó xem như diode

b t đ u d n điện

Cathode Anode

Hình 25 Đặc tuyến Volt-Amper (V-A)

- IthMax : là d ng điện thu n c c đại c a diode diode không thể làm việc làm việc với d ng điện cao h n trị s này Điện áp ng với d ng điện IthMax được gọi là

UBH H: b o hoà

Đ i với diode Ge giá trị UD khoảng 0 3V

Đ i với diode Si giá trị UD khoảng 0 7V

Vùng ph n c c thu n có đặc trưng d ng điện lớn mA điện áp nh và điện trở nh

Đặc tuyến V-A c a diode là mô tả m i quan hệ gi a d ng điện qua diode và điện áp một chiều đặt lên didoe

Ph n c c thu n: U A > U K: diode d n điện thông mạch

Nếu xem diode d n điện là l thưởng thì VD = 0V

Nếu không xem diode l tưởng thì VD = 0,7V

thông mạch

(VD = 0,7V)

Ph n c c nghịch: U A < U K: diode ngưng d n điện hở

Khi sử dụng diode n n điện c ng c n quan t m các thông s sau: điện áp

d ng điện t i đa; công suất; điện áp ngược …

Một s diode n n điện thông dụng: 1N4001-1A-50V; 1N4007-1A-1000V; 1N4004-1A-400V; 1N5408-3A-700V …

Khi UNghịch (-U)< UZMin thì diode Zener không d n điện

Khi UNghịch (-U) > = UZMin, <= UZMax thì diode zener d n điện và l c này điện

áp tại hai đ u diode Zener sẽ ghim áp bằng VZ (VZ: là điện áp chu n ổn áp c a diode Zener)

Khi sử dụng diode Zener c n quan t m các thông s sau: Điện áp ổn áp VZ.;

ng điện ngược c c đại IZMax A ; Công suất tiêu tán P W

Hình 26 Đặc tuyến Vôn-Amper (V-A)

Đặc tuyến V-A c a diode zener là mô tả m i quan hệ gi a d ng điện qua diode và điện áp một chiều đặt lên didoe

IZTB: là d ng điện trung bình c a diode zener ng với điện áp UZ điện áp mà tại đó điện áp diode zener ổn định

IZMax: là d ng điện t i đa c a diode zener ng với điện áp t i đa UZMax điện

áp mà tại đó điện áp diode zener có khả n ng chịu đ ng t i đa

A : là vùng khoảng ổn định c a c a diode zener

Ph n c c thu n I : VP > VN : diode Zener d n điện thông mạch

* LED (Light Emitting Diode: Dio phát sáng)

- C u t o: c ng gồm lớp bán d n P-N tiếp x c nhau nhưng chế tạo

bằng chất bán d n Ga As Khi d n điện phát ra ánh sáng màu

Ph n c c thu n: VP > VN : L d n điện VD = V điện áp

ngư ng c a L

Ph n c c nghịch: VP < VN : L ngưng d n điện hở mạch

- Tu theo chất bán d n mà L phát ra ánh sáng có màu s c khác nhau như vàng xanh lá xanh dư ng đ tr ng …

- Do các diode này khác nhau về v t liệu nên điện áp ngư ng c a các loại L c ng khác nhau:

+ VD = (1,6 2 V Led đ + VD = (2,2 3) V (Led cam )

+ VD = (2 2,8) V (Led xanh lá)

+ VD = (2,4 3,2) V (Led vàng )

+ VD = (1,8 5 V Led hồng ngoại + VD = (3 5 V Led xanh dư ng

- ng điện qua L gọi là ID = (5 20 mA thường chọn 10mA

* Led 2 màu: là loại L đôi gồm 2 L nằm song song và nguợc chiều nhau Trong đó có 1 L đ và 1 Led xanh lá Tivi … hay 1 L vàng và 1 LED xanh (máy vi tính, PLC)

Hình 29 Led 2 màu

* LED 3 màu: c ng là L đôi nhưng không ghép song song mà n i chung c c K xu ng mass Trong đó Led đ ra ch n ng n Led xanh lá ra ch n dài và ch n gi a là K

Hình 30 K hiệu và hình dáng Led 3 màu

A 2

A 1

Khi chân A1 dư ng được cấp nguồn thì Led d sáng khi ch n A2

dư ng thì Led xanh lá sáng khi 2 ch n A1 và A2 cùng dư ng thì 2 Led cùng sáng và cho ra màu vàng

* L 7 o n:

L 07 đoạn có 08 đoạn gồm có 07 đoạn a b c d e f g dot Qui ước các vị trí như sau:

Hình 31 K hiệu và hình dáng th c tế L 7 đoạn

Có 2 loại L 7 đoạn : loại Cathode chung và Anode chung

Hình 32 LED Anode chung Hình 33 LED Cathode chung

* Ghi chú: khi sử dụng Led quan trọng nhất là phải tính điện trở nối tiếp

2 1 3 2 Cách u nối io z n r

iode zener ngoài ch c n ng ổn áp diode zener c n được ng dụng xén

c t biên độ c a tín hiệu Hình bên dưới là hai trong nhiều dạng xén tín hiệu c a diode zener

a Xén biên độ dư ng b Xén biên độ dư ng m

2.2 BJT (BJT: Bipolar Junction Transistor)

S lược về lịch sử phát triển c a nghành Điện tử:

- Transistor là ghép hai t Transfer Resistor điện chuyển được phát minh vào n m 1947 bởi 2 nhà ác học W.H ritain và J raden được chế tạo cùng trên

một m u bán d n Silicium hay Gecmanium

- Vào n m 1947 tại ph ng thí nghiệm c a ell John arden và Walter rattain đ thành công trong việc phát minh Transistor lư ng c c JT ipolar Junction Transistor Đ y là một bước ngoặt đánh dấu s b t đ u c a thời đại bán

d n Phát minh này và một chu i phát triển c a công nghệ vi điện tử đ th t s làm thay đổi cuộc s ng loài người

- 1948 Transistor đ u tiên ra đời Đ y là một cuộc Cách mạng c a ngành điện

tử

- 1950 Mạch điện tử chuyển sang dùng transistor Hệ máy tính dùng linh kiện bán d n dạng rời rạc ra đời thế hệ II

- 1960 Mạch tích hợp ra đời IC:Intergrated Circuit

Hệ máy tính dùng IC ra đời thế hệ III

- 1970 Các mạch tích hợp m t độ cao h n ra đời MSI LSI VLSI

MSI: Medium Scale Intergrated Circuit

LSI: Large Scale Intergrated Circuit

VLSI:Very Large Scale Intergrated Circuit

- 1980 đến nay Điện tử được ng dụng rộng r i trong các l nh v c như y tế điều khiển t động phát thanh truyền hình …

Transistor hai c c tính hay lư ng c c gọi t t là JT- Bipolar Junction

hiệu hoặc hoạt động như một khóa đóng mở

2 2 1 Đ nh ngh - C u t o - K hi u

2 2 1 1 Đ nh ngh

tính d n điện khác nhau khi áp vào các ch n c a ch ng nh ng kiểu ph n c c khác nhau

2 2 1 2 C u t o

JT gồm hai m i n i P-N ba lớp bán d n n i tiếp nhau được chế tạo trên cùng một m u bán d n Silicium hay Germanium Trong đó ở gi a là lớp bán d n khác với hai lớp ở bên cạnh Tu theo cách s p xếp người ta chế tạo hai loại JT:

đó là JT N-P-N JT nghịch và P-N-P JT thu n

JT nghịch JT thu n

2 2 1 3 K hi u

Lo i NPN

a Cấu tạo b K hiệu c K hiệu tư ng đư ng

Hình 38 Cấu tạo và K hiệu NPN

Lo i PNP

a Cấu tạo b K hiệu c Cấu tạo tư ng đư ng

Hình 39 Cấu tạo và K hiệu PNP

Với 3 sợi kim loại g n vào 3 lớp nói trên dùng làm c c c a transistor có tên là: c c c c C và c c

a)

b) Hình 40 Mạch ph n c c JT NPN th c tế

Điều kiện để JT d n điện vùng khuếch đại : VC > VB >VE

ng điện trong JT: IE = IB + IC

Khi c c để hở không nguồn thì JT ngưng d n: IB = IC = IE = 0

Tỷ s : IC / IB =  gọi là hệ s khuếch đại

Vì IC hàng mA >> IB hàng µA gấp hàng chục đến hàng 100 l n nên có thể xem IE  IC

Nếu có thêm tín hiệu xoay chiều es biên độ nh thông qua tụ C1 tại ng vào

ch n ngh a là xếp chồng lên điện áp ph n c c làm cho điện áp trên c c C c ng thay đổi và đồng thời l c này biên độ ng ra tại ch n C sẽ lớn h n ban đ u ta nói

JT đ khuếch đại tín hiệu do IC =  IB )

2 2 2 2 Ph n c c BJT PNP

C ng tư ng t như JT NPN để JT PNP hoạt động phải áp điện áp một chiều nguồn dư ng hoặc m vào các ch n c a JT PNP Tu theo chế độ hoạt động c a JT khuếch đại b o hoà ngưng d n mà nười ta có các cách ph n c c khác nhau

Hình 41 Mạch ph n c c JT PNP

Điều kiện để JT d n điện vùng khuếch đại : VE > VB >VC

ng điện trong JT: IE = IB + IC

Khi c c để hở không nguồn thì JT ngưng d n: IB = IC = IE = 0

Tỷ s : IC / IB =  gọi là hệ s khuếch đại

là JT nghịch NPN

- M : các transistor thường b t đ u bằng 2N tiếp theo là nhóm ch cái chỉ

s th t sản ph m Ví dụ như: 2N2222 2N3904 …

- Trung Qu c: b t đ u bằng s 3 và sau đó là các ch cái

Ch cái th nhất cho biết loại bán d n: nếu là ch A hoặc là loại PNP;

c n C hoặc là NPN

Ch cái th hai: Ch cái th hai cho biết đặc điểm và công dụng: nếu ch X

là m t n công suất nh h n 1W; P là m t n công suất lớn h n 1W; G: là cao t n công suất nh h n 1W; …

Ch cái th 3 là nhóm ch s chỉ th t sản ph m

Ví dụ: 3AG11 là transistor loại PNP Ge cao t n công suất nh h n 1W sản

MOS T là linh kiện điện tử bán d n có 03 ch n có đặc tính d n điện khác

nhau khi áp vào các ch n c a ch ng nh ng kiểu ph n c c khác nhau

2 3 1 2 C u t o

MOS T là Transistor hiệu ng trường kim loại - oxit bán d n viết t t Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor được x y d ng d a trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán d n ví dụ Oxit ạc và bán d n Silic tạo ra lớp cách điện m ng gi a c c cổng gate kim loại với vùng bán d n hoạt động n i gi a

c c nguồn source và c c máng drain)

MOS T có cấu tạo như bên dưới:

a Cấu tạo MOS T kênh N b Cấu tạo MOSFET kênh P

Hình 43 Cấu tạo

2 3 1 3 K hi u

K hiệu MOS T kênh n p như bên dưới

a -MOS T kênh n có diode n i gi a

S-D)

b -MOS T kênh P có diode n i

gi a -S) Hình 44 K hiệu

2 3 2 Các thông số cơ ản c MOSFET

Khảo sát ph n c c MOS T là khảo sát ph n c c thu n và ph n c c nghịch

Để MOS T kênh P hoạt động phải áp điện áp một chiều vào các ch n c a MOS T Tu theo chế độ hoạt động c a MOS T kênh P điều hành theo kiểu hiếm hoặc kiểu t ng mà người ta có các cách ph n c c khác nhau

- C c S Source – c c nguồn =C c mitter- c c phát

- C c rain – c c máng = C c C Collector- c c thu

- C c G Gate – c c cổng = C c ase – c c nền

2.4 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

2 4 1 Đ nh ngh - C u t o - K hi u

2 4 1 1 Đ nh ngh

SCR hay c n được gọi là Thyristor là một linh kiện bán d n ba ch n có vai

tr như một khóa điện tử có điều khiển SCR được sử dụng rất nhiều trong các bo mạch điện tử điều khiển Trong đó SCR chỉ cho phép d n điện t Ande sang Katode khi cho một d ng điện kích thích vào chân G

2 4 1 2 C u t o

SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán d n PNPN có 3 n i P-N Như tên gọi

ta thấy SCR là một diode chỉnh lưu được kiểm soát bởi cổng silicium Các tiếp x c kim loại được tạo ra các c c Anode-A c c Cathode-K và cổng Gate-

G

Cấu tạo Mô hình tư ng đư ngHình 48 Cấu tạo và mô hình tư ng đư ng c a SCR

G và để SCR d n điện phải có d ng điện kích IGvào c c cổng G

Ta thấy SCR có thể coi như tư ng đư ng với hai JT PNP và NPN liên kết nhau qua ng nền và thu C

Khi có d ng điện nh kích IG vào c c cổng nền c a JT NPN-T1 t c cổng

G c a SCR ng điện IG sẽ tạo ra d ng c c thu IC1 lớn h n mà IC1 lại chính là

d ng nền IB2 c a JT PNP-T2 nên tạo ra d ng thu IC2 lại lớn h n trước … Hiện tượng này c tiếp tục nên cả hai JT nhanh chóng trở nên b o h a ng b o h a qua hai JT chính là d ng Anode c a SCR ng điện này tùy thuộc vào VAA và điện trở tải RA

C chế hoạt động như trên c a SCR cho thấy d ng IG không c n lớn và chỉ

c n tồn tại trong thời gian ng n Khi SCR đ d n điện nếu ta ng t b IG thì SCR

v n tiếp tục d n điện ngh a là ta không thể ng t SCR bằng c c cổng đ y c ng là một nhược điểm c a SCR so với JT

d n điện nhưng khi VAK đạt đền một trị s nào đó tùy thuộc vào t ng SCR gọi

là điện thế quay về VBO (VBO: Break Over thì điện thế VAK t động sụt xu ng