ĐỀ CƯƠNG MÔN HỌC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ TRẠNG THÁI RẮN Solid-State Electronic Devices

14- Nội dung chi tiết môn học: A- Nội dung tổng quát và phân bổ thời gian... Sự cân bằng bất biến Chương 3 – Sự chuyển động và tái hợp của các hạt mang điện 3.1.. Mức Fermi chuẩn quasi

ĐỀ CƯƠNG MÔN HỌC THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ TRẠNG THÁI RẮN

Solid-State Electronic Devices

1- Tên môn học: Thiết kế mạch tích hợp

2- Phân loại môn học: Môn tự chọn

3- Mã số môn học: AUTO 381

4- Số tín chỉ: 3 tín chỉ (LT: 2; TH/BT/TL: 1)

5- Mô tả môn học:

Nghiên cứu về v t u v t ết bị t t ất

v t lý c a v t li u bán d n, hạt n trong chất bán d n t ế -n, thiết bị bán d ư

BJT và MOSFET

6- Mục đích:

- Cung cấp các kiến thứ ơ ản về v t li u bán d n và thiết bị n t trạng thái rắn

7- Yêu cầu: Đối với học viên:

- Dự lớ ầy , làm bài t p

- Dự ki m tra và thi

8- Phân bổ thời gian:

Tổng số: 30 tiết

- Lý thuyết: 30 tiết;

- Bài t p, thảo lu n: 15 tiết

9- Logic môn học:

- Môn học tiên quyết:

- Môn họ trước: V t lý II

10- Giảng viên tham gia:

ThS Nguyễn Gia Quân K Nă ượng Kỹ thu t n – n t

11- Định hướng bài tập:

- Bài t p nhỏ: làm bài t p theo từ ươ ọc

- Bài t p lớn:

12- Tư vấn và hướng dẫn học viên:

- Hướng d n bài t p và thảo lu n tại lớp

- Giới thi u các tài li u tham khả tr v ước

13- Tài liệu học tập:

A Tài liệu học tập

1 Giáo trình: Thiết bị điện tử và quang điện tử - BM Kỹ thu t n – Trườ ĐH T y

Lợi biên dịch

B Tài liệu tham khảo

1 Solid State Electronic Devices, Ben G Streetman and Sanjay Banerjee, 5th ed

Prentice-Hall, Upper Saddle River, NJ, 2000

14- Nội dung chi tiết môn học:

A- Nội dung tổng quát và phân bổ thời gian

Số tiết

Tổng

số

Lý thuyết

Thảo luận, BT

Tiểu luận, KTra

1 Giới thi u chung về v t li u bán d n 3 3 0

2 Hạt n trong v t li u bán d n 4 3 1

3

Sự chuy ộng và tái hợp c a các hạt

4 Công ngh sản xuất thiết bị bán d n 3 3 0

5 Tiếp giáp p – n và kim loại – bán d n 9 6 3

B- Nội dung chi tiết:

Chương 1 – Giới thiệu chung về vật liệu bán dẫn

1.1 V t li u bán d n

1.2 Cấu trúc tinh th c a Silicon

1.3 Mô hình liên kết c a hạt n trong bán d n 1.4 Mô ì vù ă ượng

Chương 2 – Hạt mang điện trong chất bán dẫn

2.1 Electron và lỗ trống

2.2 Mức Fermi và cân bằng nhi t

2.3 Sự cân bằng bất biến

Chương 3 – Sự chuyển động và tái hợp của các hạt mang điện

3.1 Chuy ộng nhi t

3.2 Sự trôi

3.3 Dòng khuếch tán

3.4 Mối liên h Einstein

3.5 Sự tái hợp c a electron và lỗ trống

3.6 Mức Fermi chuẩn (quasi Fermi level)

Chương 4 – Công nghệ sản xuất thiết bị bán dẫn

4.1 Giới thi u chung

4.2 Quá trình oxi hóa silicon

4.3 Quá trình quang khắc

4.4 Quá trình etching

4.5 Quá trình làm giàu (doping) bán d n

4.6 VPD

4.7 Epitaxy

Chương 5 – Tiếp giáp p-n và tiếp giáp kim loại – bán dẫn

5.1 Bi u mứ ă ượ v n thế

5.2 P ươ trì P ss

5.3 Mô ì vù è n tích

5.4 Vù è n tích khi phân cự ược

5.5 Đ t ng tiếp giáp

5.6 Tiếp giáp pn khi phân cực thu n

5.7 Đặc tính V-A c a diode pn

5.8 Tiếp giáp kim loại – chất bán d n

5.9 Loại tiếp giáp khác

Chương 6 – Tụ MOS và MOSFET

6.1 Tụ MOS

6.2 Giới thi u về CMOS

6.3 Độ ộng ở bề mặt tiếp giáp

6.4 Đ ưỡng – hi u ứ t â ế

6.5 MOSFET

Chương 7 – BJT

7.1 Hoạt ộ ơ ản c a BJT

7.2 Sự khuế ại với BJT

7.3 Chế tạo BJT

7.4 Sự phân bố các hạt thi u số

7.5 Sự ịnh thiên

7.6 Khóa

7.7 Hi u ứng quan trọng khác

7.8 Sự hạn chế tần số c a transistor

7.9 Tiế tr s st r ưỡng cực khác

15- Phương pháp giảng dạy và học tập:

- Thuyết trình, có minh họa

- Nêu vấ ề, thảo lu n tại lớp

- Học viên tự nghiên cứu, làm bài t p

16- Tổ chức đánh giá môn học:

Đ m môn học = (KT,CC,BT) x 0.3 + THM x 0.7