Mục tiêu của đề tài Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
| Tiêu đề | Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN |
|---|---|
| Trường học | University of Science and Technology Hanoi |
| Chuyên ngành | Physics |
| Thể loại | Thesis |
| Năm xuất bản | 2024 |
| Thành phố | Hanoi |
| Định dạng | |
|---|---|
| Số trang | 93 |
| Dung lượng | 9,79 MB |
Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này
Nội dung
Mục tiêu của đề tài Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InN/GaN là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Ngày đăng: 31/08/2022, 15:43
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm