Ngân hàng câu hỏi và đáp án ôn thi môn cấu kiện điện tử

Microsoft Word bai tap cau kien doc §Ò c−¬ng «n tËp CK§T ChÊt b¸n dÉn C©u 2 Nªu cÊu t¹o vµ qu¸ tr×nh dÉn ®iÖn cña chÊt b¸n dÉn thuÇn C©u 3 Nªu qu¸ tr×nh dÉn ®iÖn cña chÊt b¸n dÉn pha t¹p lo¹i N vµ lo¹i P Diode b¸n dÉn C©u 5 Tr×nh bµy cÊu t¹o, ®Æc tuyÕn VA, vµ nguyªn lý ho¹t ®éng cña Diode b¸n dÉn C©u 6 Tr×nh bµy øng dông chØnh l−u (nöa vµ hai nöa chu kú) cña Diode b¸n dÉn C©u 7 Tr×nh bµy nguyªn lý m¹ch h¹n biªn trªn, h¹n biªn d−íi, h¹n biªn hai phÝa sö dông Diode b¸n dÉn víi tÝn hiÖu vµo h×nh s.

Đề cương ôn tập CKĐT Chất bán dẫn

Câu 2 Nêu cấu tạo và quá trình dẫn điện của chất bán dẫn thuần

Câu 3 Nêu quá trình dẫn điện của chất bán dẫn pha tạp loại N và loại P

Câu 9 Nêu cấu tạo của Transistor, các chế độ làm việc của Transistor

Câu 10 Nguyên tắc hoạt động của Transistor ở chế dộ khuếch đại

Câu 11 Nêu khái niệm đường tải tĩnh, điểm công tác tĩnh

Câu 12 Tại sao phải ổn định điểm làm việc tĩnh khi nhiệt độ thay đổi

Câu14 Các cách mắc BJT ở chế độ khuếch đại Các sơ đồ phân cực cho BJT

Bài tập xác định đường tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh của các sơ đồ ổn định điểm làm việc Transistor trường FET

Câu 18 Nêu cấu tạo, nguyên lý làm việc của JFET

Câu 19 Cấu tạo nguyên lý làm việc của MOSFET

Câu 20 So sánh giữa transistor lưỡng cực BJT và transistor trường FET

Các linh kiện bán dẫn khác

Câu 22 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A của UJT

Câu 26 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A của SCR

Câu 27 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A của DIAC

Câu 28 Trình bày nguyên lý làm việc, đặc tuyến V/A của TRIAC

BÀI TẬP DIODE

Cho mạch như hình vẽ xác định điện áp đầu ra v o = f( )v i

1a v i =10sinωt;E1 =8V;E2 =6V; Diode D1 và D2 là lý tưởng

vi

R=10kΩ

D2

D1 E

+ +

5a v i =10sinωt;E=5V; Diode D là lý tưởng; R=10kΩ

5b v i =10sinωt;E =5V; Diode D có U D =0,7V;R D =10Ω; R=10kΩ

6a Xác định v o = f( )t ; biết RC >>; =v i 20sinωt; Diode D là lý tưởng

6b Xác định v o = f( )t ; biết RC >>; vi có dạng xung vuông biên độ U m =10V ; Diode D là lý tưởng

B

B C

( ) E

B

BE CC

B

R R

U V

I

E B

BEQ CC

I CQ =β BQ =100.56=5,6

Vòng 2:

E E CE C

U = − + , Đây chính là phương trình đường tải tĩnh

(R R ) V I

mA R

R

V I

U

E C

CC C

47,02,1

9

+

=+

=

→

=

V V

I

CEQ

C BQ C

5

,

4

7,337

B

hay:

( ) B E

BE B

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và vẽ đường tải tĩnh

Áp dụng định luật Kirchhoff II:

Phương trình đầu vào:

I

E C B

BEQ CC

I CQ =β BQ =150.12,5.10−3 =1,87

Phương trình đầu ra:

( C E)

C CE E

E CE C

B C

( C E)

C CC

U = − + , đây chính là phương trình đường tải tĩnh

Vậy:

(R R ) V I

Bài 5 Cho mạch (Hình 4)

VCC=12V; UBEQ=0,7V; β=200;

R1=27KΩ; R2=4,7KΩ; RE=500Ω; RC=1KΩ

Xác định điểm công tác tĩnh Q và vẽ đường tải tĩnh

Đưa sơ đồ mạch về sơ đồ tương đương Thevenin:

V V

Áp dụng định luật Kirchhoff II:

Phương trình đầu vào:

E E BE B

I

E B

BEQ BB

I CQ =β BQ =200.10.10−3 =2

Phương trình đầu ra:

( C E)

C CE E

E CE C

U = − + , Đây chính là phương trình đường tải tĩnh

(R R ) V I

+ VBB

RE RB

RC +Vcc

RE R2

R1

RC

BÀI TẬP FET

Bài 1 JFET kênh n hoạt động trong miền bão hòa (miền thắt)

UP=-3V; IDSS=9mA; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ID, UGS, UDS)

Biểu diễn điểm làm việc trên đặc tuyến ra

Bài giải:

Đây là mạch phân cực cho JFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động trong miền bão hòa

Do IG=0 nên UGS=-1V

U

U I

I

P

GS DSS

Bài 2 JFET kênh n hoạt động trong miền bão hòa

UP=-3V; IDSS=6mA; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ID, UGS, UDS)

Biểu diễn điểm làm việc trên đặc tuyến ra

D

R

U V

D

U

U I

VGG=-2V RG=1MΩ

RS=0,5kΩ

Bài 3 JFET kênh n hoạt động trong miền bão hòa

Xác định điểm làm việc tĩnh Q Vẽ đường tải tĩnh và biểu diễn

điểm làm việc tĩnh Q trên đặc tuyến ra

UP=-3V; IDSS=8mA; IG=0

Bài giải:

Theo định lý Thevenin:

V V

D

R

U V

D

U

U I

I

Từ (1) và (2), giải phương trình bậc 2:

Ta được UGS, ID, UDS

Bài 4

MOSFET kênh đặt sẵn (kênh n) hoạt động trong chế độ nghèo

Xác định điểm làm việc tĩnh Q Vẽ đường tải tĩnh và biểu diễn

điểm làm việc tĩnh Q trên đặc tuyến ra

UP=-4V; IDSS=10mA; IG=0

Theo định lý Thevenin:

V V

+

=

+VDD=6V RD=1kΩ

0,4MΩ R2

R1

=+

D

R

U V

D

U

U I

I

Từ (1) và (2), giải phương trình bậc 2:

V U

mA I

V

U GS =−0,54 ; D =7,48 ; DS =1,04

Bài 5

MOSFET kênh n hoạt động trong chế độ giàu trong miền bão hòa

UT=3V; ID=8mA tại UGS=5V

V = + + (3) Đõy chớnh là phương trỡnh đường tải tĩnh

1a Cho mạch nh− hình 1: UP=-2V; IDSS=10mA; IG=0

Xác định điểm làm việc Q và biểu diễn trên đặc tuyến ra

1b Cho mạch nh− hình 1: điểm làm việc trong mìên thắt với ID=4mA, IG=0; xác định điện

áp UDS Nếu VGG=0,2V thì ID=6mA, xác định điện áp thắt UP và dòng máng bão hoà IDSS

+VDD=10V

RD=2kΩ

RG=1MΩ -VGG=-1V

RG=10MΩ

RS=100Ω +VDD=12V

2a Cho mạch nh− hình 2a: UP=-2V; IDSS=8mA; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

2b Cho mạch nh− hình 2b: IDSS=4mA; UP=-2V; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

3a Cho mạch (hình 3a): UP=-4V; IDSS=mA; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

3b Cho mạch (hình 3b): UP=-1,5V; IDSS=6mA; IG=0

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

4a Cho mạch (hình 4): UT=1V; ID=10mA tại UGS=5V

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

4b MOSFET kênh cảm ứng ( kênh n): RG=750kΩ có VT=2,5V Nếu ID=10mA và UGS=4V; xác định VGG; RD; và VDD để MOSFET làm việc tại: ID=6mA; UDS=3V

4c Cho mạch (hình 4): UT=1V; ID=8mA tại UGS=3,6V

Xác định điểm làm việc tĩnh Q và biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt

5 Cho mạch (hình 5): MOSFET kênh có sẵn hoạt động trong chế độ làm giàu kênh dẫn với

0,4MΩ R2

R1

Hình 5 +VDD=24V

NGÂN HÀNG ĐỀ THI

MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬCâu hỏi loại 1:

1/ Theo lý thuyết dải năng lượng của vật

2/ Các tính chất vật lý điện cơ bản của chất điện môi là: hằng số điện môi ε, độ tổn

hao điện môi (Pa), độ bền về điện Eđ.t, nhiệt độ chịu đựng và điện trở cách điện

3/ Dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử thì cấu kiện điện tử được chia

làm 5 loại là cấu kiện điện tử

chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô

4/ Hệ số nhiệt của điện trở suất α biểu thị:

a Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 1 0 C

b Sự thay đổi của điện trở khi nhiệt độ thay đổi 10C

c Sự tăng của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 10C

d Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi một khoảng là ∆t

5/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:

a Các i-on âm quyết định

b Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định

c Hạt dẫn lỗ trống quyết định.d Hạt dẫn điện tử quyết đinh.

6/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

a Các i-on âm quyết định

8/ Tại nhiệt độ phòng, một miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống như

c Chất dẫn điện kém d Một nguồn điện

9/ Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là

a Dòng điện phân cực và dòng điện rò

b Dòng điện phân cực và dòng điện trôi

c Dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi

d Dòng điện khuếch tán và dòng điện phân cực

10/ Vật liệu bán dẫn quang là hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba hoặc bốn thành phần của các nguyên tố thuộc

Câu hỏi loại 2:

11/ Dòng điện trong chất bán dẫn gồm có:

a Ba thành phần là dòng điện rò, dòng điện phân cực, dòng điện khuếch tán

b Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện chuyển dịch (dòng phân cực)

c Bốn thành phần là dòng điện rò, dòng điện khuếch tán, dòng điện phân cực và dòng điện trôi

d Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi

12/ Ferit từ mềm là vật liệu từ được dùng rộng rãi nhất ở tần số cao do có:

a Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích hợp

b Điện dẫn suất thấp, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thíchhợp

c Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu thấp, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp

d Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp

13/ Ký hiệu dưới đây là của cấu kiện điện tử nào?

c Bộ dao động thạch anh d Điốt bán dẫn

14/ Chất điện môi thụ động thường được dùng làm

a Lõi cuộn dây và biến áp b Tụ điện và chất cách điện

Câu hỏi loại 3:

15/ Một miếng bán dẫn silic được pha thêm photpho

1/ Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở là

a Chất dẫn điện có điện trở suất thấp b Tất cả các loại vật liệu trên

c Chất dẫn điện có điện trở suất cao d Chất cách điện

2/ Trên thân điện trở thường được các nhà sản xuất ghi các tham số chính sau:

Trị số điện trở, dung sai của trị số điện trở, điện áp làm việc cho phép

5/ Tổn thất của cuộn cảm được biểu thị trong sơ đồ mạch tương đương bởi

a Một tụ điện mắc song song với cuộn dây

b Một điện trở và một tụ điện mắc song song với cuộn dây

c Một điện trở nối tiếp với cuộn dây.

d Một điện trở song song với cuộn dây

6/ Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc thì dùng loại ghép lỏng, còn biến áp cao tần dùng để

biến đổi tổng trở thì dùng loại ghép chặt

7/ Tụ hóa là loại tụ có chất điện môi là dung dịch hóa học

8/ Varixto là điện trở mà trị số của nó được điều khiển bằng

c Điện áp đặt lên nó d Từ trường xung quanh nó

9/ Tụ xoay có thể có nhiều ngăn Mỗi ngăn có các lá tĩnh và các lá động chế tạo từ đồng nguyên chất, đặt xen kẽnhau

Câu hỏi loại 2:

10/ Một điện trở màu có các vòng màu theo thứ tự: vàng - tím - lá cây - vàng kim có trị số điện trở là

470M ∧± 5%

11/ “Luật điện trở” là một tham số cơ bản của:

a Biến trở b Tất cả các loại điện trở

12/ Khi tụ điện làm việc ở tần số cao thì phải chú ý đến:

a Tổn hao công suất trong tụ thông qua hệ số tổn hao DF.

b Cả 3 tham số trên

c Dung sai của tụ điện tính theo %

d Điện áp làm việc cho phép của tụ điện

13/ Các tham số kỹ thuật cơ bản của cuộn cảm là

a Điện cảm (L), điện trở nối tiếp biểu thị tổn hao của cuộn cảm (R ), kích thước cuộn cảm

S

b Hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C), số vòng dây (N)

c Điện cảm (L), tần số làm việc giới hạn (fgh), điện dung riêng của cuộn cảm (C)

d Điện cảm (L), hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

14/ Cuộn dây không lõi làm việc ở tần số cao thường yêu cầu phải có

a Điện cảm ổn định, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng nhỏ ở tần số làm việc

b Điện cảm ổn định, hệ số nhiệt cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc

c Điện cảm thích hợp, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc

d Điện cảm cao, hệ số phẩm chất nhỏ, điện dung riêng cao ở tần số làm việc

15/ Lõi trong cuộn dây ferit có thể điều chỉnh được để

a Thay đổi tần số làm việc giới hạn của cuộn dây

b Thay đổi tổn thất của cuộn dây

c Thay đổi điện cảm của cuộn dây

d Thay đổi cả 3 tham số kỹ thuật trên

16/ Khi sử dụng điện trở ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?

a Trị số điện trở, dung sai và công suất tiêu tán (nếu có).

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc

c Trị số điện trở, dung sai, điện áp làm việc cho phép

d Trị số điện trở, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại

17/ Khi sử dụng tụ điện ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?

a Trị số điện dung, dung sai và công suất tiêu tán

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc

c Trị số điện dung, dung sai và điện áp làm việc cho phép

d Trị số điện dung, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại

Câu hỏi loại 3:

18/ Biến áp âm tần có đáp ứng tần số không bằng phẳng trong khoảng tần số thấp dưới 100Hz và cao hơn10KHz là do ảnh hưởng của điện cảm của cuộn sơ cấp và tổn hao năng lượng của lõi sắt từ (do điện cảm rò vàđiện dung phân tán giữa các vòng dây) tăng lên?

1/ Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cựcngược

2/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì

a Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

b Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

c Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

d Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

3/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc là do

a Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

b Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

c Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác dụng của điện trường tiếp xúc tạo nên

d Cả hạt dẫn đa số và thiểu số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường tạo nên

4/ Nguyên lý hoạt động của đi ốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc P-N

5/ Trên thực tế, đi ốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên đi ốt phải:

AK • 0V

6/ Ký hiệu sau đây chỉ cấu kiện nào:

a Đi ốt zener b Đi ốt Sốt-ky c Đi ốt tunen d Đi ốt chỉnh lưu.7/ Varicap là đi ốt bán dẫn có chức năng như môt:

8/ Đi ốt chỉnh lưu chỉ hoạt động khi ở chế độ phân cực thuận

a Sai

b Đúng

9/ Đặc tính cơ bản của đi ốt chỉnh lưu là

a Giá trị dòng điện thuận cực đại và nhiệt độ làm việc cho phép

b Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp thuận cho phép

c Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp ngược cho phép

d Giá trị dòng điện thuận cực đại và công suất tiêu tán cực đại

10/ Ảnh hưởng của nhiệt độ lên dòng điện ngược bão hòa của đi ốt được tính xấp xỉ là

a Tăng gấp 3 lần đối với sự tăng nhiệt độ lên 100C

b Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 150C

c Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 10 0 C

d Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 200C

11/ Điốt có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều được gọi là

12/ Điện áp ngược cho phép của điốt thường được chọn bằng

a 0,6 U

đ.t.

b Uđ

.t.

Câu hỏi loại 2:

14/ Mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp đặt trên đi ốt bán dẫn được biểu diễn bằng công thức:

15/ Điện trở động (R ) của đi ốt là một tham số quan trọng, nó được tính theo công

ithức

với I

là dòng điện tại chế độ làm việc tĩnh

là dòng điện của đi ốt ở chế độ tĩnh

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp.

b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao

c Phân cực thuận

d Phận cực ngược và với tín hiệu nhỏ

17/ Sơ đồ tương đương của đi ốt bán dẫn có dạng mạch như hình vẽ dưới khi nó làm việc ở chế độ

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao

b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp

c Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số cao

d Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số thấp

18/ Khi đi ốt phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu?

a 300 mA

b 1 mA

c Không phải những giá trị trênd 0 mA

19/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

a Một điện trở thực

b Một nguồn điện áp thực

c Một nguồn điện áp lý tưởngd Một nguồn dòng

lí tưởng

20/ Tham số quan trọng nhất của điốt xung là

a Thời gian xuống t

a Một nguồn điện áp lý tưởng

Câu hỏi loại 3:

25/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E ) của lớp tiếp xúc P-N khi ở trạng thái cân bằng

0động

được xác định theo công thức:

d 14 A

27/ Hãy tính công suất tiêu tán của đi ốt zener khi biết điện áp nguồn cung cấp U =

S24V,

điện áp trên đi ốt là 10V và dòng điện qua đi ốt là 20mA

a 200 W

điện qua điốt xấp xỉ 10 mA?

a 430 KΩ

b 1 KΩc430 Ωd

500 Ω

30/ Một điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?

a Phương pháp tỏa nhiệt cho điốt

b Dòng điện ngược bão hòa

c Nồng độ tạp chất của chất bán dẫnd Điện áp ngoài

đặt lên nó

Câu hỏi loại 4:

32/ Hai điốt mắc nối tiếp Điốt thứ nhất có điện áp phân cực là 0,75 V và điốt thứ hai

33/ Cho mạch điện như hình vẽ

Điện áp tại điểm nối giữa R

a Đi ốt bị đứt hỏng

b Đi ốt bị nối tắt

c Mạch hoạt động bình thường d Điện trở bị nối

tắt

34/ Có hai điốt mắc nối tiếp với nhau với nguồn điện cung cấp cả mạch là 1,4V

Điốt thứ nhất có điện áp là 0,75V Nếu dòng điện chạy qua đi ốt thứ nhất là 500mA, hỏi điốt thứ hai có công suất

a Cả hai loại hạt dẫn trên.b Các lỗ trống

c Các điện tử tự do

d Không phải hai loại hạt dẫn trên

2/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được

a Không dẫn điện

b Phân cực thuận c Phân cực

c Không dẫn điệnd Phân cực

ngược.

4/ Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và

a Có độ pha tạp thấpb Là kim loại

c Có độ pha tạp cao

d Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị năm

5/ Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực,

các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của

c Nó được đo bằng miliampe.

) chia cho hệ số khuếch đại dòng điện

d Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (I ).

E

8/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:

a Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

b Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

9/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì

a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

b Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

10/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thì

a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

b Cả ba trường hợp phân cực trên đều đúng

c Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

d Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

11/ Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-N

là hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực?

a Sai

b Đúng

12/ Trong vùng tích cực của mộttranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát

d Không phải các chế độ trên

15/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với

các điện áp tĩnh là: U

B E

d Không phải các chế độ trên

16/ Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ

Câu hỏi loại 2:

19/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện gốc trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức

d I = α(I + I )

C E CB0