Lỗ trống và điện tử• Khi nhiệt độ tăng tùy từng loại chất bán dẫn, các nguyên tử dao động mạnh đến mức một số mối liên kết có thể ngẫu nhiên bị phá vỡ, các điện tử được giải phóng, điện
Trang 1Trường Đại học Thủy lợi
Bộ môn Điện kỹ thuật
Bài giảng kỹ thuật điện tử
GV: Phạm Đức Đại
Trang 3Ge và Si ở cột 5 của bảng tuần hoàn
Trang 5Tinh thể Si
Trang 6Liên kết hóa trị
Trang 7Đặc điểm
• Tại 0K:
• Tất cả các liên kết đều được thiêt lập! Tất cả các điện tử hóa trị đều tham gia vào liên kết.
• Không có điện tử tự do
Trang 8Năng lượng nhiệt
Một số liên kết bị bẻ gãy xuất hiện
• Các điện tử tự do ”free” electrons (Mang điện tích âm −1.6×10−19 C)
• Các lỗ trống ”free” holes (mang điện tích dương, 1.6 × 10−19 C)
• Điện tử tự do và lỗ trống được gọi là các hạt ”Free” electrons and holes are called carriers:
Trang 11Lỗ trống và điện tử
• Khi nhiệt độ tăng( tùy từng loại chất bán dẫn), các nguyên tử dao động mạnh đến mức một số mối liên kết có thể ngẫu nhiên bị phá vỡ, các điện tử được giải phóng, điện tử bứt ra khỏi liên kết để lại một lỗ trống.
• Dưới tác động của điện trường, các điện tử
chuyển động định hướng, lỗ trống được lấp đầy bởi các điện tử liên kết lân cận, điện tử lấp
lỗ lại tạo ra một lỗ trống mới.
Trang 12Tính dẫn điện của chất bán dẫn
Trong chất bán dẫn, khi đặt điện áp ngoài vào cóhai dòng chuyển động là
• Dòng chuyển động của các điện tử
• Dòng chuyển động của các lỗ trống, dòng này ngược chiều với dòng các điện tử
• Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau
• Dòng điện trong chất bán dẫn là tổng dòng điện điện tử và lỗ trống
Trang 13Bán dẫn loại N,P
Bằng cách thêm các nguyên tử tạp chất vào một chất bán dẫn, chúng ta có thể điều
khiển được số lượng lỗ trống và điện
tử tham gia vào quá trình dẫn điện trong chất bán dẫn.
Trang 14Bán dẫn loại N
• Thêm vào bán dẫn Ge( hóa trị
4) với tạp chất As( hóa trị 5),
Trang 15Dòng điện trong chất bán dẫn N
• Dòng điện phụ thuộc chủ yếu vào các electrons ( Negative charged) – Gọi là bán dẫn loại N
Trang 16Bán dẫn loại P
• Nếu thêm vào Ge với
nguyên tử tạp chấtBoron- B( hóa trị 3), cómột liên kết thiếu 1 điện
tử để tạo thành liên kế đồng hóa trị, chỗ thiếu điện tử, được gọi là 1 lỗtrống
• B – gọi là tạp chất cho
Trang 18Dòng điện trong chất bán dẫn P
Trang 19Tiếp giáp P-N
Trang 20Tiếp giáp P-N
• Khi hai loại chất
bán dẫn được ghép với nhau, một qúa trình khuyếch tán lỗtrống và điện tử
được thực hiện Lỗtrống di chuyển từphía P sang phía
N, điện tử di chuyển từ phía N sang P
Trang 21Tiếp giáp P-N
Utiếp xúc
Trang 22Tiếp giáp P-N
• Điện trường được tạo bởi hai lớp ion trái dấu, có chiều từ phía N P, điện trường này tạo nên dòng điện trôi qua tiếp giáp( dòng điện gây ra bởi các hạt thiểu số)
• Dòng điện trôi của điện tử từ n sang p
Trang 23Mô phỏng hoạt động của tiếp giáp
P-N
Trang 24Phân cực thuận tiếp giáp P-N
• Cự dương của nguồn đặt vào bán dẫn P,
cực âm của nguồn đặt vao bán dẫn N
Utiếp xúc
Unguồn
Trang 25Phân cực thuận
'
- UTX’ : giảm, làm tăng chuyển động khuyếch tán
IKT tăng lên, đồng thời dòng điện trôi giảm đến giá trị nhỏ không đáng kể( so với dòng điện khuyếch tán)
Trang 26Phân cực ngược tiếp giáp P-N
- Cực dương của nguồn nối vào phía N, cực
âm nối vào phía P
Utiếp xúc
Unguồn
Trang 27Phân cực ngược tiếp giáp P-N
Trang 28Đặc tuyến V-A tiếp giáp P-N
• Dòng điện trong hai trường hợp trên được
mô tả qua công thức sau.
Trong đó:
• V : điện áp ngoài đặt vào
• I0 : Dòng điện ngược bão hòa
• : Hệ số
Trang 29Đặc tuyến V-A của tiếp giáp P-N
Trang 30Đặc tuyến V-A của tiếp giáp P-N
Trang 31Câu hỏi
• Chất bán dẫn P, N
• Nguyên lý hoạt động của tiếp giáp P-N
• Đặc điểm tiếp giáp P-N
• Có mấy loại dòng điện qua tiếp giáp P-N, chiều của chúng?
• Điện trường qua tiếp giáp P-N có chiều
như thế nào, ảnh hưởng của nó đến dòng điện khuyếch tán và trôi như thế nào?
Trang 32Diode bán dẫn
1 Cấu tạo và ký hiệu: Phần căn bản là tiếp
giáp P-N
Trang 33Pictures of Diode in practice
Trang 34Đặc tuyến V-A của Điode
Trang 35Đặc tuyến V-A của Điode
Trang 36Đặc tuyến V-A của Điode
1 Vùng phân cực thuận
Khi đặt điện áp Uak >0, với giá trị Uak < Umở thì
dòng điện tăng chậm, khi Uak >Umở thì dòng điện tăng nhanh do điện trở lớp tiếp giáp lúc này giảm nhỏ và dòng điện trong mạch phụ thuộc vào điện trở của bán dẫn, đặc tuyến có dạng đường thẳng.
Trang 37Forward Voltage Drop
• Forward Voltage Drop:Electricity uses up a
little energy pushing its way through the diode, rather like a person pushing through a door with
a spring This means that there is a small voltage across a conducting diode, it is called
the forward voltage drop and is about 0.7V for
all normal diodes which are made from silicon The forward voltage drop of a diode is almost constant whatever the current passing through the diode so they have a very steep
characteristic (current-voltage graph)
Trang 38Đặc tuyến V-A của điode
2 Vùng phân cực ngược
- Với Ungược <0 nhỏ dòng điện ngược( dòng trôi) tăng, tăng Ungược dòng điện sẽ tăng
đến giá trị bão hóa I0=const.
- Giá trị Ungược chỉ được phép tăng đến giá trị cho phép = 80% Uđánh thủng
- Uđánh thủng : là điện áp tại đó dòng điện
ngược tăng đột ngột dẫn đến phá hỏng tính chất cách điện của tiếp giáp điốt
Trang 39Nguyên nhân đánh thủng
- Etiếo giáp lớn, các hạt mang điện thiểu số
có năng lượng lớn va chạm với các điện
tử hóa trị, tạo ra cặp lỗ trống, điện tử mới, những hạt này lại va chạm với các điện tử hóa trị mới Quá trình tiếp diễn dẫn đến số lượng hạt tăng ồ ạt, dòng điện trôi tăng
mạnh.
- Điện áp ngược với điode bán dẫn điển
hình làm việc bình thường khoảng 30V
Trang 40Reverse Voltage
• Reverse Voltage: When a reverse voltage is
applied a perfect diode does not conduct, but all real diodes leak a very tiny current of a few µA
or less This can be ignored in most circuits because it will be very much smaller than the current flowing in the forward direction
However, all diodes have a maximum reverse
voltage (usually 50V or more) and if this is
exceeded the diode will fail and pass a large current in the reverse direction, this is called
breakdown
Trang 41Thông số
• Điện trở một chiều
Trang 421 Khái niệm
Trang 43Key questions
• How do semiconductors conduct
electricity?
• What is a ”hole”?
• How many electrons and holes are there
in a semiconductor in thermal equilibrium
at a certain temperature?
• How can one engineer the conductivity of semiconductors?
Trang 44Mức năng lượng trong vật rắn
• Vùng ngoài cùng ở đó các điện tử(
electrons) có đủ năng lượng để thắng được lực hút từ nhân( gồm protons và neutrons) chứa các điện tử tham gia vào quá trình dẫn điện Những điện tử tự do
đó có trong một chất dẫn điện, và vùng đó gọi là vùng dẫn Vùng bên trong chứa các electrons liên k ết chặt chẽ với nguyên tử, gọi là vùng hóa trị
Trang 45Điện tử
tự do
Vùng dẫn trống Năng lượng
Vùng hóa trị
Chất bán dẫn thuần ở 0K
Vùng dẫn Năng lượng
Chất dẫn điện
Trang 48Vùng dẫn Năng lượng
Vùng hóa trị
Biểu đồ năng lượng Bán dẫn loại N
Trang 49Biểu đồ năng lượng bán dẫn loại P
Vùng dẫn Năng lượng
Vùng hóa trị