Với các đặc tính khuếch đại dòng điện của BJT, chỉ cần dao động nhỏ ở Vin sẽ khuếch đại sự thay đổi đó và xuất tín hiệu ra ở cực C hay Vout.. Khuếch đại tính hiệu nhỏ Khuếch đại là quá t
Trang 1SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT
TỊNH
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ
ĐỀ TÀI:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT OTL NGÕ VÀO VI SAI
Giảng viên hướng dẫn : Lê Hồng Nam
Sinh viên thực hiện : Nguyễn Đại Đáo 17DT1 106170006
Tôn Thất Tịnh 17DT1 106170062
Trang 2MỤC LỤC
Chương 1: Khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT 4
I Khuếch đại tính hiệu nhỏ 4
II Cách mắc BJT 4
2.1 Khuếch đại dùng E chung 5
2.2 Khuếch đại dùng C chung 7
2.3 Mạch khuếch đại dùng B chung 9
III Mạch phân cực 8
3.1 Mạch phân cực bằng dòng cố định 9
3.2 Mạch phân cực bằng cầu phân áp 9
3.3 Mạch phân cực bằng hồi tiếp âm điện áp song song 10
Chương 2: Hồi tiếp trong bộ khuếch đại 11
I Mạch khuếch đại hồi tiếp 11
II Phân loại mạch khuếch đại hồi tiếp 11
2.1 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp - điện áp 11
2.2 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp - dòng điện 13
2.3 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song - dòng điện 16
2.4 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song - điện áp 18
Chương 3: Khuếch đại công suất 20
I Phân loại mạch khuếch đại công suất 17
1 Khuếch đại chế độ A 17
2 Mạch khuếch đại chế độ B 23
3 Mạch khuếch đại chế độ AB 24
II Mạch khuếch đại công suất 26
1 Mạch khuếch đại công suất OTL 26
2 Mạch khuếch đại công suất OCL 27
3 Mạch khuếch đại Darlington 27
Chương 4: Thiết kế mạch khuếch đại OTL
Trang 3I Yêu cầu
II Sơ đồ khối mạch khuếch đại OTL ngõ vào vi sai
1 Sơ đồ mạch tổng quát
2 Sơ đồ nguyên lý và hoạt động
3 Mạch nguồn bảo vệ
III Tính toán
3.1 Tính toán nguồn
3.2 Tầng khuếch đại công suất
3.3 Tính toán tầng lái
3.4 Tính chọn BJT thúc Q6:
3.5 Tính toán tần nhận tín hiệu vào
IV Đánh giá mạch
4.1 Mô phỏng tín hiệu ngõ vào và ngõ ra
4.2 Mô phỏng dòng ra loa:
Trang 4CHƯƠNG I: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Mở đầu chương
Trong chương này, sẽ đề cập tới khuếch đại tín hiệu nhỏ với phần tử điều khiển là
BJT Khi có một sự thay đổi tín hiệu điện áp ở Vin , làm thay đổi cường độ dòng điện điqua cực B Với các đặc tính khuếch đại dòng điện của BJT, chỉ cần dao động nhỏ ở Vin
sẽ khuếch đại sự thay đổi đó và xuất tín hiệu ra ở cực C hay Vout Và các thông số chínhcủa mạch khi khuếch đại:
I Khuếch đại tính hiệu nhỏ
Khuếch đại là quá trình làm biến đổi một đại lượng( dòng điện hoặc điện áp) từ biên độnhỏ thành biên độ lớn mà không làm thay đổi dạng của nó
Trang 5<^ Sơ đò tương đương
• Trở kháng vào Zin = (R1//R2) // Rpi Với Rpi= Vbe/ib
• Trở kháng ra: Zout=Rc//r0
• Hệ số khuếch đại điện áp
Trang 60 V 0 Vbe Zin Zin
A V = Vi = Vbe.Vi = Avt- Ri + Zin=Ri + Zin ’gmR
2
Với Avt là hệ số KĐ điện áp của transistor:
Vce -Bin.Rl — gm.Vbe
Avt= Vbe = Vbe = Vbc =-gmRl
• Có khả năng khuếch đại dòng và áp
• Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng kể
• Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất trong thiết
Trang 7<^ sơ đồ tương đương
Trang 8Trở kháng ra toàn mạch:
Điện áp vào cùng pha điện áp ra
Ưu nhược điểm và ứng dụng
Ưu điểm
• Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiêu lần
• Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào
• Tổng trở vào lớn ( vài trăm ohm), tổng trở ra nhỏ ( vài chục ohm ), không khuếch đại áp ( Av ~1)
Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch:
Trở kháng vào nhìn từ cực nên xuống masse:
Trang 9Nhược điểm
• Mạch chỉ khuếch đại dòng, không khuếch đại áp
Ứng dụng: Mạch trên được ứng dụng nhiều trong các mạch khuyếch đại đêm (Damper), và ứng dụng rất nhiều trong các mạch ổn áp nguồn.
2.3 Mạch khuếch đại B chung
<^ Sơ đồ tương đương
Trở kháng vào: Zin = RE // RiE
Trang 10• Mạch khuếch đại điện áp khá lớn
• Tổng trở vào nhỏ ( vài chục ohm), tổng trở ra lớn ( vài trăm ohm ), mạch không
được yếu tố: Ki = 1, Ku không quá lớn
CHƯƠNG II : HỒI TIẾP TRONG BỘ KHUẾCH ĐẠI
Các khiếm khuyết trong mạch mắc Base chung, Emiter chung, hay Collector chung ở các
dạng ghép RC hay biến áp có thể cải thiện được chất lượng bằng phương pháp bù hổi tiếp
âm Bốn dạng mạch hổi tiếp sau đây đều làm giảm độ khuếch đại, song lại mở rộng dải
tần Bw, giảm méo, tạp , nhiễu ở mức tối thiểu và làm ổn định độ khuếch đại toàn mạch,
đặc biệt khi thiế kế tăng âm loại công suất lớn cần bảo vệ quá tải hay khi hở tải cho cặp
Transistor công suất cuối
I Mạch khuếch đại hồi tiếp
Sơ đồ khối
Trang 11Hồi tiếp là lấy một phần tín hiệu đầu ra đưa trở lại đầu vào làm thay đổi đầu vào
• Hồi tiếp âm là làm giảm nhỏ đầu vào Vin, để ổn định điểm làm việc tĩnh
• Hồi tiếp dương là làm tăng điện áp Vin, sử dụng vào mạch tạo dao động.Tính hiệu vào tầng khuếch đại bao gồm tín hiệu vào và tín hiệu hồi tiếp
Đặc điểm hồi tiếp âm
II Phân loại mạch khuếch đại hồi tiếp
2.1 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp - điện áp
• Sơ đồ khối
Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra: Zr
Ngắn mạch tín hiệu đầu vào Us = 0, ta có:
U = I.Zr + kUv
Us = 0 ^ U = -Uf
Khuếch đại
Trang 12U = I.Zr -kUf = IZr - kpU
Trang 13Ro _“
Vì Re được xem như tải Rl nên Rof = 1 p' A l ~ rô
Trong đó: Ro tiến đến rô, Avnl = lim Av ~ x nên Ro’ = Re nên :
Kết luận: Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm
méo tín hiệu, mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền Nhưng lại làm giảm biên độtín
^ IvZv =Us - pkUv
^ Us=IvZv + pkUv= IvZv (1+pk)
Khuếch đại điện dẫn truyền
Trang 14Tín hiệu hồi tiếp Xf = Vf là điện thế ngang qua điện Re và là cách nối tiếp.
Nếu cho lo = 0 (Rl = TO ónghĩa là dòng cực thu bằng 0 nên Vf ngang qua Re cũng bằng 0
Vậy mạch lấy mẫu dòng điện ngõ ra, suy ra đây là mạch hồi tiếp dòng nối tiếp
Vì điện thế hồi tiếp tỉ lệ với lo là dòng điện được lấy mẫu vào Vf xuất hiện ngang qua Retrong mạch tại ngõ ra và không phải ngang qua Re trong mạch ngõ vào
Trang 15-p Vs
lo Gmf Vs r 6+0 X+( 1+0)' X X
Dòng qua tải tỷ lệ trực tiếp với điện thế ngõ vào và dòng này chỉ cùng thuộc Re
Độ lợi ddienj thế cho tải:
Vì Ro z •x-nên Rof = Ro (1 + 0 Gm L — 'Xvìvậy Rof — Rl/ L Rof — Rl
Kết luận: Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm
méo tín hiệu, mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền Nhưng lại làm giảm biên độ tínhiệu và có thể kém ổn định ở tần số cao
2.3 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song - dòng điện
Zv 1+0k
Trang 16I— U +kUv — U -kUf—^r-k0I
Zr Zr Zr
Trang 17Bây giời cho lo = 0 ( Rc = <*), dòng If sẽ bằng 0, vậy mạch lấy mẫu bằng dòng được Đó
là mạch hồi tiếp dòng điện song song Điện thế VB2 rất lớn đối với Vi , do Q1 khuếchđại Vb2 ngược pha so với Vi Vì tác động emitter follower, Ve2 thay đổi rất ít so với Vb
và 2 điện thế này cùng pha Vậy Vb2 có biên độ lớn hơn Vi là Vb và có pha ngược vớiVi
Nếu tín hiệu vào tăng làm cho Is tăng và If cũng tăng, li = Is -If sẽ nhỏ hơn trong trườnghợp không có hồi tiếp Nên mạch này là mạch hồi tiếp âm
Tín hiệu hồi tiếp là dong If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra, ta có:
Ib2 < Ic2 = | Io|
0= ỉf =-^
lo R +^
Điện trở ngõ vào giảm, điện trở ngõ ra tăng và độ lớn dòng điện Aif ổn định,
Trang 18• Hồi tiếp điện áp làm giảm trở kháng ra, hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng ra.
• Trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ là mong muốn của hầu hết các tầng khuếchđại Hồi tiếp điện áp nối tiếp đáp ứng cả 2 yêu cầu trên
• Khi hệ số hồi tiếp thay đổi sẽ làm thay đổi hệ số khuếch đại trở kháng vào - ra củamạch có hồi tiếp
• Bộ khuếch đại hồi tiếp âm còn giúp giảm méo tần số do làm thay đổi hệ số khuếchđại theo tần số trong mạch giảm một cách đáng kể
• Khi có hồi tiếp âm sẽ làm nhỏ tín hiệu nhiễu, giảm méo phi tuyến
2.4 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song - điện áp
Sơ đồ khối
Tín hiệu hồi tiếp tỉ lệ với điện áp đầu ra và ssong song với tín hiệu vào
• Hệ số khuếch đại:
Kf = Ur = KIv = KIv = KIv = K
Is~ Iv +If~ Iv + ftUr~ Iv+0kIv~ 1+ftK
• Trở kháng vào:
Trang 19f _ Uv _ Uv _ Uv _ Iv _ Zv
vf ~ Us~ Iv +If~ Iv+pưr~ 1 + pU^~ 1+PK
^ Zv giảm đi (1+0K) lần khi mạch có hồi tiếp
• Trở kháng ra: nối hở mạch đầu vào Is = 0, => Iv = -If
Ta có: Ur _ Ir.Zr+KIv _ IrZr - KIf _ IrZr - KpUr
Vì tín hiệu hồi tiếp là dòng điện, nguồn tín hiệu được biểu diễn bằng nguồn tương đươngNarton với Is = Vs
Rs
Tín hiệu hồi tiếp là dòng điện If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra, ta có
£ _-1
Vo R'
Trang 20Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm méo tín hiệu,
mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền Nhưng lại làm giảm biên độ tín hiệu và cóthể kém ổn định ở tần số cao
Mạch khuếch đại hồi tiếp giúp cải thiện các tính chất của bộ khuếch đại, nâng coa chấtlượng của bộ khuếch đại, kết hợp với tầng thúc đẻ đảm bảo tín hiệu ít bị méo phi tuyến và
cho ra chất lượng âm thanh tốt
Trang 21Chương 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích tải.Công suất ra có thể từ vài trăm mw đến vài trăm watt Như vậy mạch công suất làm việcvới biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương đương tín hiệunhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng phương pháp đồ thị
Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại công suất
ra thành các loại chính như sau
I Phân loại mạch khuếch đại công suất
1 Khuếch đại chế độ A
Khuếch đại công suất chế độ A
Tính hiệu khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính tỏngtoàn bộ chu kì 360o của tín hiệu ngõ vào( transistor hoạt động ở cả hai bán kì)
• Khảo sát phân cực:
Khi có tín hiệu vào, để dòng Ic có thể biến đổi tốt nhất, điểm tĩnh Q phải được phân cựcsao cho:
Trang 22_ Icsat , , T Vcc
Ic = 2 và Vce = —p
Đặc điểm chính là tín hiệu ngõ ra của BJT luôn ở trong vùng tích cực có nghĩa là BJTđược phân cực sao cho tín hiệu ngõ ra luôn biến thiên theo tín hiệu ngõ vào
Tín hiệu khuếch đại trong cả chu kì 2x
Điểm làm việc tĩnh Q(Vce, Ic) thõa mãn điều kiện Vce =
Đây là điểm phân cực để cho mạch có hiệu suất lớn nhất
• Khảo sát xoay chiều:
Khi đưa tín hiệu Vi vào ngõ vào, dòng Ic và điện thế Vce sẽ thay đổi quanh điểm làmviệc tĩnh Q
Với tín hiệu ngõ vào nhỏ, nên dòng điện và điện áp ra cũng ít thay đổi
Với tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ thay đổi rất nhiều quanh điểm Q, dòng Ic sẽ thay đổiquanh giá trị (0, Icsat) mA Còn Vce thay đổi giữa hai giới hạn ( 0, Vcc)
• Khảo sát công suất:
Công suất hữu ích trên tải:
Vcc
2
Trang 23Công suất nguồn cung cấp:
Pcc = 2Vcc./lpHiệu suất của chế độ A:
J Do được phân cực làm việc tối ưu, nên tiêu hao năng lượng lớn
J Hiệu suất của mạch thấp thường là q = 25%
• Ứng dụng:
J Được sử dụng trong các mạch trung gian như khuếch đại cao tần, khuếch
đại trung tần, tiền khuếch đại,
Trang 24• Khảo sát công suất
Công suất hữu ích trên tải trong 1 chu kì:
Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:
J Mạch không hoạt động khi không có tín hiệu vào
J Năng lượng tiêu hao ít
J Hiệu suất cao từ 50-75%
• Nhược điểm:
Outout WflVBform
Trang 25J Tín hiêu ra bị méo xuyên tâm
J Yêu cầu cần phải có nguồn đôi
• Thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất đẩy kéo như công suất
âm tần, công suất mành của tivi,
3 Mạch khuếch đại chế độ AB
Class AB
Đặc điểm là sự cải tiến nhược điểm méo xuyên tâm cuẩ lớp B bằng cách nâng áp phâncực điểm tĩnh Q sao cho nằm trong vùng giữa lớp A và lớp B, mạch được phân cực cóVbe gần bằng Vy của BJT Vì vậy tính hiệu ngõ ra hơn nữa chu kì
Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng đối xứng bổ phụ, có nghĩa là hai BJT
Trang 26• Ưu điểm:
J Hiệu suất cao
J Tiêu hao năng lượng khi không có tín hiệu ngõ vào ít hơn lớp A
J Tín hiệu ngõ ra ít bị méo
• Nhược điểm:
• Ứng dụng: Sử dụng trong mạch công suất đẩy kéo
II Mạch khuếch đại công suất
1 Mạch khuếch đại công suất OTL
J Hiệu suất cao, tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm, tụ xuất âm ngăn dòng 1
chiều nhỏ cho thành phần xoay chiều đi qua, bảo vệ loa
J Mạch đơn giản, không cồng kềnh, chỉ sử dụng một nguồn đơn.
J Méo phi tuyến lớn, do 2 Transistor không đối xứng.
J Băng thông bị co hẹp (ảnh hưởng từ tụ Ct).
Trang 27J Có thể khiến âm thanh ra loa bớt chân thực, bị hao tổn.
2 Mạch khuếch đại công suất OCL
■ Sơ đồ mạch
• Đặc điểm:
J Mạch OCL dung 2 Transistor Q1, Q2 hoàn toàn giống hau về đăch tính
J Sử dụng nguồn đôi
J Dùng mạch đảo pha trước
J Tín hiệu đưa thẳng ra loa không cần qua tụ lọc
• Ưu điểm
J Không bị méo ở tần số thấp
J Bang thông được mở rộng
J Hiệu suấ cao (làm việc ở chế độ AB)
Trang 283. Mạch khuếch đại Darlington
Mạch Darlington là mạch gồm 2 Transistor cùng kiểu NPN hoặc PNP kết nối theo cáchthức để khuếch đại dòng của Transistor đầu được khuếch đại them bởi Transistor thứ hai
J Độ Ku nhỏ «1 trên tải Emitter
J Cách phân cực giống tầng Emitter follower có hổi tiếp cực E
s Dòng IEQ 1 là IBQ 2
• Mạch Darlington tương đương
Trang 29này, ta xem tải R L <K h o e nên đã bỏ qua hiệu ứng R L <K h o etr°ng mạch.
Ở tầng này, tải RL1 « Zie là điện trở vào tầng thứ 2, về độ lớn, không thể coi như nối tắt
,.1 1s° với h e • Vì vậy, ở tầng thứ nhất cần phải tính tới hiệu ứng của h e 1 •
Trang 30Chương 4: Thiết kế mạch khuếch đại OTL
Trang 31Tín hiệu vào của mạch khuyếch đại có dạng sin: v=V sin at.
Xem hệ thống là tuyến tính thì tín hiệu ra trên tải:
V L = V Lsin at + V
CE 0 i L = I Lsin at +
I C 0
với V L ’ I L:là biên độ điện áp và dòng ra trên tải.
V CE0 , I C0 : là điện áp và dòng điện DC trên tải.
Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh rơi trên tải không đáng kể
Do vậy: v L = V L sin (;)ii L = I L sin (;)I
Gọi V Lhd , I Lhd : là điện áp hiệu dụng và dòng điện hiệu dụng trên tải.
Để đảm bảo về mặt năng lượng và tránh nhiễu phi tuyến thì điện áp nguồn
phải bằng hai lần điện áp trên loa Mặc khác, vì Q1, Q 2 làm việc ở chế độ AB
Trang 32Công suất nguồn cung cấp:
II Tầng khuếch đại công suất
Tầng khuyếch đại công suất có nhiệm vụ phát trên loa một tín hiệu âm tầng được xác định theo yêu cầu thiết kế P L = 25 w.
Các BJT làm việc ở mức điện áp cao, các dòng collector Q1 , Q 2 rất lớn.
Vì vậy, Q1 ,Q 2 phải được chọn phù hợp đồng thời phải chọn nguồn, dòng nguồn khong được vượt quá giá trị cho phép của BJT nhưng cũng phải
đủ lớn để đảm bảo công suất và hiệu suất của mạch.
Để tránh méo xuyên tâm đồng thời đảm bảo hiệu suất của mạch , ta chọn Q1 ,Q 2 làm việc ở chế độ AB.Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng 20 + 50 mA Ở đây ta chọn:
Dạng tín hiệu trên R1 , R 2 là: i e 1 = i e 2=I Lsin at.
Nếu chọn R1, R 2 lớn thì tổn hao trên loa nhiều do đó phải chọn sao cho tín hiệu ra loa là lớn nhất Để tránh tổn thất tín hiệu ra loa ta thường chọn:
Trang 33Công suất nguồn cung cấp : P CC = V CC I TB = V CC^
Công suất loa: P L = R L I Lhd = 1 R L I L
1
2
Công suất tiêu tán của R1,R 2: P R = 2 P R1 = L R 1 ÌL
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT Q1 ,Q 2 là :